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991.
992.
993.
基于传统AI-EBG结构,提出了一种小尺寸的增强型电磁带隙结构,实现了从0.5~9.4 GHz的宽频带-40 dB噪声抑制深度,且下截止频率减少到数百MHz,可有效抑制多层PCB板间地弹噪声。文中同时研究了EBG结构在高速电路应用时的信号完整性问题,使用差分信号方案可改善信号完整性。 相似文献
994.
朱海霞 《固体电子学研究与进展》2021,(1):60-64
采用第一性原理计算,研究了有机金属卤化物钙钛矿CH3NH3PbI3和CH3NH3MnI3的电子结构、磁性和光吸收。CH3NH3PbI3和CH3NH3MnI3都是具有直接带隙半导体,CH3NH3MnI3磁基态为G型反铁磁序(G-AFM)。CH3NH3MnI3在G-AFM状态下的带隙值为1.668 eV;当系统处于FM态时,多数自旋通道的带隙为0.696 eV,少数自旋通道的带隙为2.148 eV。结果表明,具有FM态的CH3NH3MnI3的光激发电子将迅速熔化局域磁序。最后计算了CH3NH3PbI3和CH3NH3MnI3的光学特性,结果表明具有铁磁态的CH3NH3MnI3(FM)表现出较强的红外光吸收。 相似文献
995.
针对油膜厚度的静、动态测量,设计了一种基于反射式强度调制型同轴结构光纤位移传感器(RLIM-FODS)的精密位移检测系统.根据激光光束光场近似高斯分布的特性建立数学模型,利用Matlab对特性函数进行仿真分析,光电转换对部分背景光进行了有效补偿,对滤波电路进行了失调电压调节和截止频率仿真修正,并通过实验进行了验证.仿真和实验结果表明:建立的模型可以有效减小电源波动、微弯损耗等带来的影响,信号检测电路能够精确地将小信号进行放大,并且输出信号稳定,噪声低,失调小,线性区间在1 200~2 700 μm的范围内,灵敏度可以达到6 mV/μm,满足精密检测要求. 相似文献
996.
997.
采用磁控溅射方法和热加工工艺在n型Si衬底上溅射不同厚度的MgO层并制备Fe-Si薄膜层,退火后形成Fe3Si/MgO/Si多层膜结构.利用MgO缓冲层对退火时Si衬底扩散原子进行屏蔽,并分析MgO层对Fe3Si薄膜结构和电学性质的影响.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和四探针测试仪对Fe3Si薄膜的晶体结构、表面形貌、断面形貌和电阻率进行表征与分析.研究结果表明:当MgO层厚度为20 nm时生成Fe0.9Si0.1薄膜,当厚度为50,100,150和200 nm时都生成了Fe3Si薄膜,生成的Fe3Si和Fe0.9Si0.1薄膜以(110)和(211)取向为主.随MgO缓冲层厚度增加,Si衬底扩散原子对Fe3Si薄膜的影响减小,Fe3 Si薄膜的晶格常数逐渐减小,晶粒大小趋向均匀,平均电阻率呈现先增大后减小趋势.研究结果为后续基于Fe3 Si薄膜的器件设计与制备提供了参考. 相似文献
998.
999.
基于OPNET的校园网优化设计与仿真 总被引:1,自引:0,他引:1
为了达到优化校园网的目的,通过OPNET仿真方法,从网络拓扑结构到资源合理配置两方面进行优化设计。对多级网络和三级网络环境下网络的系统时延、服务器响应速度和吞吐量进行仿真。结果表明,控制交换级数可以有效降低系统时延,提高网络性能。建议中小型网络采用"核心交换-汇聚交换-节点交换"的三级交换拓扑结构。 相似文献
1000.
报道了一种在倍增区引入AlxGa1-xAs带隙梯度结构的谐振腔增强型雪崩光探测器,并提出优化其后工艺制作的新方法.通过将Al0.4Ga0.6As(28 nm)一Al0.2Ga0.8As(10 nm)-GaAs(50 nm)带隙梯度结引入雪崩探测器的高场区,可以实现对探测器噪声和频率响应两个主要性能的优化.数值仿真表明,该结构探测器具有较小的噪声(有效离化系数为0.1),约33 GHz的3 dB带宽(增益为5),在增益为15时可获得420 GHz的增益带宽积.在实际的后工艺制作中,提出使用苯并环丁烯树脂进行InP/空气隙DBR反射镜与雪崩探测器结构粘合的方法,简化了工艺流程.摘要: 相似文献