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11.
从中国石化股份公司济南分公司新上铁路罐车密闭装车计量系统的背景出发,阐述该系统的设计思想和组成;通过分析实际运行过程中仪表比对数据,讨论影响仪表贸易交接准确性的各种因素,提出相应的解决方法;最后通过铁路罐车密闭装车计量系统投用效果。证实该系统可产生明显的经济效益。 相似文献
12.
A stochastic model for local disturbances, particularly for a temporal harmonic with random modulations in amplitude and/or phase, is proposed in this paper. Results for the second moment responses of a linear single-degree-of-freedom system to this type of stochastic loading demonstrate a significant change in response characteristics due to a small uncertainty. A local phenomenon may last much longer and resonance may be smeared to a broad range. Integrated with wavelet transform, the proposed approach may be used to model a random process with non-stationary frequency content. Especially, it can be effectively used for Monte Carlo simulation to generate large size of samples that have similar characteristics in time and frequency domains as a pre-selected mother sample has. The technique has a great potential for the case where uncertainty study is warranted but the available samples are limited. 相似文献
13.
对上海高桥分公司2×10~4m~3/h(标准状态)制氢装置原设计的预转化催化剂还原流程进行了改进。先跳开预转化反应器,利用转化炉制取氢气,再用自产的高纯氢气代替重整氢,对预转化催化剂进行单独升温还原,避免了催化剂在还原初期因发生甲烷化反应而超温失活的问题,使催化剂具有更好的活性和稳定性。 相似文献
14.
对己二腈工业反应器提出了两釜串联带回流的模型,通过模拟计算得出模型的级间返混系数 f=6的结论。该模型能较好地预测工业反应器中物料组分浓度变化和气、液两相的流动特性;指出了现工业反应器的鼓泡中和段体积偏小是造成己二酸浓度偏高的关键;提出了可以通过增加串连一个鼓泡预反应段的改造方案,能有效地降低己二酸的浓度,从7%降至4%左右,从而能较好地减缓腐蚀和结焦。 相似文献
15.
Modeling ion implantation of HgCdTe 总被引:2,自引:0,他引:2
H. G. Robinson D. H. Mao B. L. Williams S. Holander-Gleixner J. E. Yu C. R. Helms 《Journal of Electronic Materials》1996,25(8):1336-1340
Ion implantation of boron is used to create n on p photodiodes in vacancy-doped mercury cadmium telluride (MC.T). The junction
is formed by Hg interstitials from the implant damage region diffusing into the MC.T and annihilating Hg vacancies. The resultant
doping profile is n+/n-/p, where the n+ region is near the surface and roughly coincides with the implant damage, the n- region is where Hg vacancies have been annihilated revealing a residual grown-in donor, and the p region remains doped by
Hg vacancy double acceptors. We have recently developed a new process modeling tool for simulating junction formation in MC.T
by ion implantation. The interstitial source in the damage region is represented by stored interstitials whose distribution
depends on the implant dose. These interstitials are released into the bulk at a constant, user defined rate. Once released,
they diffuse away from the damage region and annihilate any Hg vacancies they encounter. In this paper, we present results
of simulations using this tool and show how it can be used to quantitatively analyze the effects of variations in processing
conditions, including implant dose, annealing temperature, and doping background. 相似文献
16.
LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了LDD结构参数对器件击穿特性的影响,并结合实验结果对N^-区的注入剂量,长度及引入的串联电阻进行了优化设计。 相似文献
17.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献
18.
实体造型中的几何约束 总被引:5,自引:0,他引:5
实体造型是一个基于约束的过程,完成从功能约束到几何约束、再到代数约束的转化而得到实体模型。本文讨论了几何约束的层次性及其表示,并且对几何约束同设计意图的关系进行了研究,提出了基于CSG/GCG/B-rep的模型表示。 相似文献
19.
Takeshi Nakajo 《Quality and Reliability Engineering International》1993,9(2):111-119
Work system improvements are implemented in various manufacturing processes to prevent problems caused by human errors. However, they are almost always applied to problems which have already occurred. This paper examines a method of identifying latent human errors existing within the work systems beforehand. A procedure for applying failure mode and effect analysis to this identification problem was defined based on over 1000 empirical errors: a work system decomposition criterion and fundamental error modes for listing latent human errors, and then applied to three practical manufacturing processes in order to evaluate its effectiveness. 相似文献
20.
The evaluation of microcomputer programs: an area of debate 总被引:1,自引:0,他引:1
V. M. Johnston 《Journal of Computer Assisted Learning》1987,3(1):40-50