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磷钨酸乙醇染色法在嗜铬颗粒电镜X射线显微分析中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
通过比较常规透射电镜制样法、快速冷冻固定-冷冻超薄切片法及磷钨酸乙醇(EPTA)染色法在嗜铬颗粒透射电镜X射线显微分析中的应用,发现磷钨酸乙醇染色法能使嗜铬颗粒电子着色,从而较好地显示嗜铬颗粒的超微结构。同时磷钨酸乙醇染色法也以在一定程度上原位保留生物样品中元素,可以应用于检测样品元素含量的变化或比较样品元素含量的组间差别,提示磷钨酸乙醇染色法是一种可应用于透射电镜X射线显微分析的经济简便的生物样品制备方法。 相似文献
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文章研究了三水草酸铀酰(UO_2C_2O_4·3H_2O)在兆瓦脉冲二氧化碳激光辐照下的红外激光化学反应,它与草酸铀酰的热分解反应不同,反应产物是二氧化铀和二氧化碳。反应的量子效率随激光波长不同而变化。 相似文献
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螺旋槽管强化传热原理及在石化装置上的应用前景 总被引:3,自引:0,他引:3
李治滨 《石油化工设备技术》2002,23(2):8-10
详细介绍了螺旋槽管换热器的强化传热原理 ,阐明了在无相变和有相变两种工况下 ,螺旋槽管换热器的强化作用 ,并介绍了螺旋槽管换热器的设计计算方法。说明了在石油化工装置上应用的必要性 相似文献
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Zhibin Xiong Haitao Liu Chunxiang Zhu Sin J.K.O. 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2005,52(12):2629-2633
In this paper, a new polysilicon CMOS self-aligned double-gate thin-film transistor (SA-DG TFT) technology is proposed and experimentally demonstrated. The self-alignment between the top- and bottom-gate is realized by a backlight exposure technique. The structure has an ultrathin channel region (300 /spl Aring/) and a thick source/drain region. Experimental results show that this technology provides excellent current saturation due to a combination of the effective reduction in the drain field and the full depletion of the ultrathin channel. Moreover, for n-channel devices, the SA-DG TFT has a 4.2 times higher on-current (V/sub gs/=20V) as compared to the conventional single-gate TFT. Whereas for the p-channel devices, the SADG TFT has a 3.6 times higher on-current (V/sub gs/=-20V) compared to the conventional single-gate device. 相似文献
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The effect of annealing on microstructure,adhesive and frictional properties of GeSb 2 Te 4 films were experimentally studied.The GeSb 2 Te 4 films were prepared by radio frequency(RF)magnetron sputtering,and annealed at 200℃and 340℃under vacuum circumstance,respectively.The adhesion and friction experiments were mainly conducted with a lateral force microscope(LFM)for the GeSb 2 Te 4 thin films before and after annealing.Their morphology and phase structure were analyzed by using atomic force microscopy(AFM)and X-ray Diffraction(XRD)techniques,and the nanoindention was employed to evaluate their hardness values.Moreover,an electric force microscope(EFM)was used to measure the surface potential. It is found that the deposited GeSb 2 Te 4 thin film undergoes an amorphous-to-fcc and fcc-to-hex structure transition;the adhesion has a weaker dependence on the surface roughness,but a certain correlation with the surface potential of GeSb 2 Te 4 thin films.And the friction behavior of GeSb 2 Te 4 thin films follows their adhesion behavior under a lower applied load.However,such a relation is replaced by the mechanical behavior when the load is relatively higher.Moreover,the GeSb 2 Te 4 thin film annealed at 340℃presents a lubricative property. 相似文献
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