基于OBE理念的视觉方向实践教学设计

阐述基于OBE理念开展的教学改革与探索，课程内容的设计、教学方法、考核评价，实验应用案例包括变换颜色的台灯、追球的小车、人脸识别的智能门锁。     

取代苯并噻唑类化合物的制备工艺

本专利公开了工业化制备取代苯并噻唑类化合物(1)的新工艺,取代苯并噻唑类化合物可作为制备医药或农药的中间体.具体合成方法如下:     

高分辨率阵列感应测井仪在河南油田的应用

文章介绍了美国Baker-Atlas公司研制生产的高分辨率阵列感应成像测井仪（HDIL）,简述了该仪器的工作原理和技术性能指标及主要应用范围,并介绍了高分辨率阵列感应测井（HDIL）资料在河南南阳油田的具体应用实例.     

应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性

以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制.     

噻吩系列化合物

中间体专利工艺栏目介绍的是最新中间体专利信息,其内容大多选自近期出版的美国化学文摘(CA)等文献,如需专利原文者,请与编辑部联系。 电话:010-64444032-835 E-mail:shengy@cheminfo.gov.cn     

第一再生器装卸催化剂口过滤器的设计及应用

针对 2 5万t a催化裂化装置第一再生器装卸催化剂口频繁堵塞问题 ,设计并安装特制的过滤器 ,解决了因堵塞影响装置生产的难题     

橡胶卷材挤出连续硫化生产线的结构特色与工作原理

介绍了橡胶防水防腐卷材挤出连续硫化生产线的结构、特点和工作原理;指出在目前国内同类设备中,该生产设备具有先进性,并可替代引进设备。     

退火对GaAs窗口晶体断裂模数的影响

LEC GaAs晶片经高温退火后，残余应力得以部分释放；从而减小残余应力诱生断裂的可能性，提高了GaAs晶体的断裂模数。原生GaAs晶片加工的样品的断裂模数平均值约为135MPa，经退火的GaAs晶片加工样品的断裂模数平均值更高，约为150MPa，断裂模数最高值达163MPa。     

注氢硅中微结构缺陷的TEM观察

通过透射电子显微镜观察到注氢硅片中存在损伤带，损伤带的位置和注人氢的分布几乎一致，推断损伤带是由于氢的注入引起的。损伤带内主要以平行于正表面的{111}面状缺陷为主，另外还有斜交于正表面的{111}面状缺陷以及{100}面状缺陷，这是由于氢朝能量低的位置的迁移聚集而形成的。在损伤带的中间还可见到晶格紊乱团块和空洞，这是由于损伤带中间存在高浓度的氢和高密度的面状缺陷面导致形成的。