关于天然气水合物钻采工艺技术进展的研究

目前全球正面临着前所未有的能源危机，天然气水合物由于储量大、能量密度高而将成为一种诱人的新型能源。天然气水合物主要存在于冻土带和海洋，在地下处于低温和高压状态，以现有的技术，钻井和开采都存在很大的困难。简要介绍了天然气水合物的性质及储量，阐述了天然气水合物钻井的六个挑战及目前国外天然气水合物的两种钻探方法；同时阐述了以热力法、降压法和化学试剂注入法为主的天然气水合物开采方法，并针对天然气水合物钻采技术现状指出了下一步的研究方向。     

一种基于混沌同步的噪音衰减算法

论文提出了一种混沌通信系统的噪音衰减算法,该算法利用混沌同步现象在接收端获得正确的噪音估计值,从而从接收信号中滤除噪音恢复出正确的信号。通过数值仿真试验表明该方法是可行的。     

论数码艺术的发展趋势研究

数码艺术在当代的发展中具有明显特点,是对传统艺术的继承与超越,为艺术家们以及设计师们提供了全新的创作视角,使艺术走上了新的发展空间.数码艺术在当代的发展趋势体现了数码艺术与技术的分工,实现商业性与艺术性的结合.     

不同锌钛比对纳米钛酸锌（ZnO—TiO2）体系成分的影响

以工业偏钛酸、硫酸锌、氨水为主要原料，用直接沉淀法并进行热处理得到钛酸锌粉体，并用XRD对产物成分进行了检测。结果表明，不同的锌钛比对钛酸锌（ZnO-TiO2）体系的成分有较大影响。     

长庆油田苏平1井固井技术研究与应用

苏平l井完井方式运用了技术套管一次上返、悬挂尾管和筛管技术。该井技术套管段井眼大、裸眼段长，加上大斜度、小间隙的尾管段．对水泥浆体系的性能要求较高。总结分析了长庆天然气水平井苏平l井的固井技术问题，介绍了苏平l井的井身结构与地层性质。通过研究．确定采用低失水GSJ水泥浆体系。该体系成功地应用在三次工程建井过程中，解决了长裸眼、大灰量、大斜度、尾管小间隙等固井技术问题。固井质量达到工程要求。     

合成2,4-二叔丁基苯酚工业试验

以离子交换树脂为催化剂，苯酚和甲基叔丁基醚为原料合成2，4-二叔丁基苯酚(简称2，4酚)，合成产物经过滤再经间歇真空精馏精制提纯，得到高纯度的2，4酚成品。成品精馏后釜中残液在酸性白土催化剂的作用下通过歧化反应生成对叔丁基苯酚，再经精馏提纯得到成品对叔丁基苯酚。通过工艺优化，使2，4酚、对叔丁基苯酚形成联产生产工艺，降低了生产原料消耗和成本。     

炼钢中间包塞棒液压伺服比例控制系统的应用

济钢第三炼钢厂中间包塞棒液压伺服比例控制系统采用伺服比例阀和伺服缸等,系统设计完善,功能齐全,可实现塞棒位置的闭环控制,保证了结晶器中钢水液面的稳定。     

聚电解质溶液分子热力学模型

<正>链状聚电解质由于是长链大分子又有很高的电荷密度,其溶液即使在极低的浓度下仍具有很强的负偏差,与Debye-Huckel理论预测的结果相去甚远。工程上使用的Manning模型认为聚离子的电荷密度有一临界值,当超过临界值时,反离子即凝聚在聚离子表面使其实际电荷密度降至临界值。Nagvekar等在该模型的基础上引入NRTL方程,以计及短程相互作用的贡献。Manning等的方法虽然有一定的物理意义,但临界值的确定缺乏可靠的根据。     

Densification of plasma deposited silicon nitride films by hydrogen dilution

The effects of hydrogen dilution on the bonding characteristics, composition, and properties of SiN films deposited from a SiH₄/NH₃ mixture by r.f. plasma enhanced chemical vapor deposition were studied. The addition of relatively small amounts of hydrogen increased the Si/N ratio resulting in a corresponding increase in the Si---H/N---H bonding ratio. At higher hydrogen dilutions, the Si/N ratio decreased towards stoichiometric with significant changes in the hydrogen bonding characteristics. Changes in the physical properties are discussed in terms of the measured changes in bonding structure. Changes normally associated with changes in bulk film density were found to be well correlated to the Si---N bond density. The effects of substrate temperature and NH₃/SiH₄ ratio on films deposited under conditions of high hydrogen dilution were similar to those widely reported in the literature for plasma-enhanced chemical vapor deposition films deposited without hydrogen. Films deposited by remote plasma using hydrogen as the excitation exhibited high Si---N bond densities and low hydrogen. Experiments are planned to clarify the mechanism responsible for the observed changes in film properties.