铁电存储器的研究进展

介绍了铁电存储器的存储原理,同时对两种铁电存储器(铁电随机存取存储器和铁电场效应晶体管存储器)的研究进展、当前存在的问题以及我国目前在这一领域的研究现状进行了简单介绍,并对今后的技术发展进行了展望。     

腐蚀阴极尖端的新方法

给出一种腐蚀阴极尖端的新方法,使得对阴极常用金属材料(W,Mo,Ir,Ta等)制作的阴极尖端的腐蚀效果明显,针尖对称性和重复性都很好,成品率和质量都有所提高.     

MCU更佳的应用伴侣——FM31系列

FM31XX是Ramtron公司最有竞争力的产品系列，包含4K-256K的铁电存储器，精度为＋2．17PPM的RTC，低电压复位，看门狗复位和低电压检测，8个可以锁定的特殊存储和2个16位的频率高达10M的计数器。     

新型存储器FRAM与非易失性存储器

FRAM是一种新型非易失性存储器。这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制。介绍其基本工作原理、结构及其特点,并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。     

荧光显示管直丝氧化物阴极有效逸出功的计算

阴极的逸出功是表征阴极发射能力的物理量，求定荧光显示管直丝氧化物阴极有效逸出功时，因其零场发射电流密度难于准确取值，温度无法直接测量，显得困难，须予解决，为此提出了一种计算阴极有产逸出功的办法，对某显示管的发射欠佳和“低温高效”的两种氧化物阴极的有效逸出功进行计算，有效逸出功率是靠测量相关物理量再同计算得出，精度不很高，文中所用办法也不例外，但所得结果能反映阴极发射能力，所需仪器少，是实用方法。     

60KA铝电解槽阴极内衬结构的改进

本文对６０ＫＡ铝电解槽阴极的保温砖层结构和眉毛圈结构提出了合理改进，分析了改进后的工艺在技术上的可行性及其在经济上的有利性，认为改进后的阴极内衬结构能产生两种作用：一是可提高阴极寿命，二是可降低电能消耗，因而具有较高的技术经济价值，并值得在国内同类型厂家中推广。     

转移电子光电阴极电子传输特性的蒙特卡罗模拟

本文利用蒙特卡罗模拟方法计算了转移电子光电阴极的光电子输运特性，其中包括阴极的内部量子效率，电子的能量分布函数，谷间转移效率，同时也给出了阴极的时间响应特性．     

点阴极电场辅助阳极连接中的紧密接触面积和电流

用等效电路的方法研究了点阴极情况下的电场辅助阳极连接效应，计算了连接电流，连接孕育期和紧密接触面积，本文结果表明，连接初期电流迅速衰减，随后缓慢变小，直至某一稳定值，孕育期随温度上升指数下降，连接温度高时，孕育期将难以观察到；待连接表面之间紧密接触面积随时间延长而非线性扩展，紧密接触区域增大时，其边界向外推进速度渐小，而接触面积增加渐快。