英飞凌创新双传感器封装技术

这种双传感器封装集成了两个线性霍尔传感器或两个角度传感器。这两个传感器都具备单独的电源和独立的信号输出。借助电隔离技术实现了二者的电气独立。这意味着这两个传感器均独立工作,从而提高了系统可靠性。这种SMD封装具备8个或16个引脚。英飞凌也提供了采用这种封装的单传感器型号。     

实战4显卡SLI 技嘉GA-8N-SLI-QUAD Royal主板

NVIDIA当初推出SLI技术时就已经说过，SLI并不仅是局限在双显卡领域的技术，只是现在它暂时只提供双显卡SLI功能而已。现在，技嘉就推出了一款具备4条PCIE x16接口的SLI主板，它能让最多四张NVIDIA显卡实现SLI互连!这种方案究竟能否真正带来性能突破呢？请随我们一起看过来。     

基于UX8交换芯片的机群互连网络设计

构造机群系统的互连网络要求具有高带宽、低延时、高可靠及容错等特性，而实现这些特性的关键是实现网络连接的交换部件和网络适配器。文章介绍了8端口交换芯片UX8和网络适配器的设计和实现方法，交换芯片采用虫洞路由流量控制方法减少对缓存空间的需求，切入交换机制减小数据包传送延时，同步信号传送方式提高了链路上的信号传送速率，源址路由方式支持任意拓扑结构的网络，FPGA实现表明其单端口单向带宽可达到1．6Gbit／s，延迟时间为240ns。网络适配器内含Intel公司的i960VH处理器作为通信处理机，在以DMA方式工作时，测得点到点数据传送带宽可达506Mbit／s。     

超薄W-Si-N 作为铜与硅之间的扩散阻挡层

研究了W-Si-N三元化合物对铜的扩散阻挡特性.在Si(100)衬底上用离子束溅射方法淀积W-Si-N,Cu/W-Si-N薄膜,样品经过高纯氮气保护下的快速热退火,用俄歇电子能谱原子深度分布与X射线衍射以及电流-电压特性测试等方法研究了W-Si-N薄层的热稳定性与对铜的阻挡特性.实验分析表明W-Si-N三元化合物具有较佳的热稳定性,在800℃仍保持非晶态,当W-Si-N薄层的厚度仅为6nm时,仍能有效地阻挡铜扩散.     

新型的芯片间互连用CMOS/BiCMOS驱动器

从改善不同类型 IC芯片之间的电平匹配和驱动能力出发 ,设计了几例芯片间接口 (互连 )用 CMOS/Bi CMOS驱动电路 ,并提出了采用 0 .5 μm Bi CMOS工艺 ,制备所设计驱动器的技术要点和元器件参数。实验结果表明所设计驱动器既具有双极型电路快速、大电流驱动能力的特点 ,又具备 CMOS电路低压、低功耗的长处 ,因而它们特别适用于低电源电压、低功耗高速数字通信电路和信息处理系统。     

软件无线电关键技术最新进展

1前言 近年来软件无线电技术研究取得了一些进展,但仍面临许多技术挑战,包括高速A/D、DSP数字处理、射频前端、天线技术等问题,可以说这些技术决定着软件无线电的发展和实现.     

16信道0.35μmCMOS/VCSEL光发射模块

研究了垂直腔面发射激光器 (VCSEL)及其列阵器件的光谱特性、调制特性、高频特性及与微电子电路的兼容性 ,将 1× 16的VCSEL与CMOS专用集成电路进行多芯片组装 (MCM ) ,混合集成为 16信道VCSEL光发射功能模块 .测试过程中 ,功能模块的光电特性及其均匀性良好 ,测量的 - 3dB频带宽度大于 2GHz.     

MEMS封装技术研究进展

介绍了MEMS封装技术的特点、材料以及新技术,包括单片全集成MEMS封装、多芯片组件(MCM)封装、倒装芯片封装、准密封封装和模块式MEMS封装等。文中还介绍了MEMS产品封装实例。