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1.
2.
场发射扫描电子显微镜(FESEM)是扫描电镜的一种,主要用于对样品显微结构的表征,同时还能定性、定量地获得样品微观区域内的化学成分和结构信息。目前作为一种先进的测试技术手段,FESEM在科学研究、工业生产和刑侦物证等众多领域中得到广泛的应用。本文研究了加速电压、工作距离、探头选择、信号选择等不同参数对FESEM图像的影响,并针对一些材料的形貌表征提出了较佳的参数选择。  相似文献   
3.
腐蚀阴极尖端的新方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
给出一种腐蚀阴极尖端的新方法,使得对阴极常用金属材料(W,Mo,Ir,Ta等)制作的阴极尖端的腐蚀效果明显,针尖对称性和重复性都很好,成品率和质量都有所提高.  相似文献   
4.
Fowler—Nordheim公式应用于实际场发射体的修正   总被引:2,自引:0,他引:2  
  相似文献   
5.
碳纳米管(CNT)场发射显示器的关键技术的研究   总被引:9,自引:1,他引:8       下载免费PDF全文
对碳纳米管阴极的制备以及场发射显示器的真空封装技术进行了研究.利用一种新的碳纳米管生长工艺制备出了具有优良场发射性能的碳纳米管阴极.并将这种直接生长的碳纳米管薄膜作为阴极,结合一种弹性封装工艺,开发了一种具有简单字符显示功能的场发射显示器.该显示器在较低的工作电压下就可获得高亮度的显示效果,并且器件的亮度与驱动电压成较好的线性关系,这将有利于未来的碳纳米管场发射显示器实现高亮度和多级灰度显示.器件的持续工作寿命测试已经超过5500小时,充分验证了碳纳米管作为场发射阴极的应用潜力.  相似文献   
6.
荧光显示管直丝氧化物阴极有效逸出功的计算   总被引:1,自引:1,他引:0  
阴极的逸出功是表征阴极发射能力的物理量,求定荧光显示管直丝氧化物阴极有效逸出功时,因其零场发射电流密度难于准确取值,温度无法直接测量,显得困难,须予解决,为此提出了一种计算阴极有产逸出功的办法,对某显示管的发射欠佳和“低温高效”的两种氧化物阴极的有效逸出功进行计算,有效逸出功率是靠测量相关物理量再同计算得出,精度不很高,文中所用办法也不例外,但所得结果能反映阴极发射能力,所需仪器少,是实用方法。  相似文献   
7.
本文对60KA铝电解槽阴极的保温砖层结构和眉毛圈结构提出了合理改进,分析了改进后的工艺在技术上的可行性及其在经济上的有利性,认为改进后的阴极内衬结构能产生两种作用:一是可提高阴极寿命,二是可降低电能消耗,因而具有较高的技术经济价值,并值得在国内同类型厂家中推广。  相似文献   
8.
转移电子光电阴极电子传输特性的蒙特卡罗模拟   总被引:1,自引:0,他引:1  
李相民  侯洵 《半导体学报》1996,17(5):328-334
本文利用蒙特卡罗模拟方法计算了转移电子光电阴极的光电子输运特性,其中包括阴极的内部量子效率,电子的能量分布函数,谷间转移效率,同时也给出了阴极的时间响应特性.  相似文献   
9.
用等效电路的方法研究了点阴极情况下的电场辅助阳极连接效应,计算了连接电流,连接孕育期和紧密接触面积,本文结果表明,连接初期电流迅速衰减,随后缓慢变小,直至某一稳定值,孕育期随温度上升指数下降,连接温度高时,孕育期将难以观察到;待连接表面之间紧密接触面积随时间延长而非线性扩展,紧密接触区域增大时,其边界向外推进速度渐小,而接触面积增加渐快。  相似文献   
10.
在很多金属材料中 ,界面处元素的偏聚对材料的力学性能往往起到至关重要的作用。随着电子显微学的进步 ,电子能量损失谱 (EELS)已被用来研究界面处的性能。例如 ,对Ni3 Al晶界处电子能量损失谱的研究表明 ,B在晶界处的偏聚改变了晶界处的电子态 ,从而对于改善Ni3 Al的脆性具有明显的作用[1,2 ] 。在过渡金属的合金中 ,如下的定性结论可以判别界面处键合的趋势 :当界面处EELS谱的白线较块体高且尖锐的情况下 ,界面处强度比块体低 ,界面为易断裂处 ;如果界面处的白线强度比块体较低 ,且有展宽效应 ,则界面处的强度高于块体强…  相似文献   
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