掺钪AlN材料特性及HBAR器件性能研究

该文基于掺钪AlN薄膜制备了高次谐波体声波谐振器(HBAR),研究了钪(Sc)掺杂浓度对AlN压电薄膜材料特性及器件性能的影响。研究表明,当掺入Sc的摩尔分数从0增加到25%时,压电应力系数e₃₃增加、刚度 下降,导致Al₁-_xSc_xN压电薄膜的机电耦合系数 从5.6%提升至15.8%,从而使HBAR器件的有效机电耦合系数 提升了3倍。同时,当Sc掺杂摩尔分数达25%时,Al₁-_xSc_xN(x为Sc掺杂摩尔分数)压电薄膜的声速下降13%,声学损耗提高,导致HBAR器件的谐振频率和品质因数降低。     

毫米波三维异质异构集成技术的进展与应用

三维异质异构集成技术是实现电子信息系统向着微型化、高效能、高整合、低功耗及低成本方向发展的最重要方法,也是决定信息化平台中微电子和微纳系统领域未来发展的一项核心高技术。文章详细介绍了毫米波频段三维异质异构集成技术的优势、近年来的发展趋势以及面临的挑战。利用硅基MEMS 光敏复合薄膜多层布线工艺可实现异质芯片的低损耗互连,同时三维集成高性能封装滤波器、高辐射效率封装天线等无源元件,还能很好地处理布线间的电磁兼容和芯片间的屏蔽问题。最后介绍了一款新型毫米波三维异质异构集成雷达及其在远距离生命体征探测方面的应用。     

一步电沉积制备Ni Al-LDHs/CS/CNTs修饰电极及用于构建非酶葡萄糖传感器

采用恒电位法将镍铝水滑石、壳聚糖和碳纳米管一步电沉积在电极表面,构建了一种新型的非酶葡萄糖传感器。对制备的Ni Al-LDHs/CS/CNTs修饰电极进行了表征,并对其传感性能进行了电化学测试,结果表明该修饰电极对葡萄糖的氧化展现出优秀的电催化性能。在优化条件下,其线性范围为10μM-5.85m M,灵敏度为1.056 m A·m M-1cm-2,其最低检测限为1μM(三倍信噪比)。该传感器具有灵敏度高、重现性好、稳定性高以及抗干扰能力强等特点。     

异地搬迁大型铝电解槽技术升级改造的工程运用

近年由于铝工业产能过剩,国家对新建电解铝产能只能采取等量或限量置换,一些传统电解铝企业由于受当地的电价限制,需要将电解铝产能向有成本优势地区进行产能转移和技术升级改造,增强企业竞争力使企业扭亏为盈。本文特针对某电解铝企业异地搬迁项目对电解槽结构改造、异地运输、母线优化等进行了详细论述,为今后大量的电解槽异地搬迁项目提供参考。     

308nm准分子激光剥离聚酰亚胺薄膜实验研究

为了研究聚酰亚胺薄膜在308nm准分子激光下的剥离效果, 采用实验研究的方法, 分别探究了激光能量密度、光斑重叠率、脉冲频率、衬底温度对激光剥离效果的影响, 并结合显微镜观察剥离后的衬底和薄膜形貌。结果表明, 激光剥离能量阈值约为160mJ/cm2, 在激光能量密度为180mJ/cm2~190mJ/cm2左右、光斑重叠率为68.33%时, 剥离效果较好; 提高衬底温度有利于激光剥离过程。该研究对聚酰亚胺薄膜在柔性电子领域的工业化应用具有一定意义。     

铜包铝母排作为轨道车辆接地产品的应用分析

本文对比了不同工艺生产的铜包铝接地块的相关实验参数,综合分析比较认为采用固液融合工艺生产的接地块与采用爆炸焊工艺生产的接地块性能非常类似,采用固液融合工艺生产的接地块也可以用于轨道交通车辆的接地系统。     

抑弧层结构对高压熔断器熔断效果的影响

将不同结构的抑弧层使用在相同熔断器基片上,研究了不同结构对熔断器高压电弧猝灭效果的影响。结果表明:熔断器动作时高压电弧的猝灭与抑弧层结构密切相关,多孔的抑弧层结构更有利于电弧的及时猝灭,对抑弧层中孔洞结构进行优化后熔断器电弧猝灭时间能够缩短至3 ms以内,电弧猝灭后的绝缘电阻大于500 M?,能达到较好的切断电流的目的。     

东兴铝业嘉峪关分公司铝灰渣循环利用研究

铝灰渣是铝熔铸过程中产生的废弃物。本文主要介绍了酒钢东兴铝业嘉峪关分公司铝灰渣的产生量、排放、利用情况、化学成分及表面特征,并简要介绍了铝灰渣、铝灰的循环利用途径。