链路增益平坦度对OTA测试准确性的影响分析

空口(OTA)测试已广泛应用在无线通信领域,提高测试结果的准确性是OTA测试当前急需解决的问题.文章从影响OTA测试结果准确性的因素链路增益平坦度入手,使用衰减器对测试链路进行增益削剪,分析测试了不同链路增益平坦度对被测件的EVM(误差矢量幅度)、BER(误码率)、TIS(总全向灵敏度)三项性能指标的测试误差与测试不确定度的影响.测试结果表明,增大链路增益平坦度会导致EVM、BER参数发生偏移,降低测试系统的通信质量;当系统的链路增益平坦度为1.82 dB时,测试误差与不确定度接近CTIA测试标准中规定值.最后,提出一种使用增益均衡器降低链路增益平坦度的方法,在链路增益平坦度为3.25 dB的测试系统中可将其控制在0.5dB以内.     

基于IWO-ESN的网络流量预测研究

为了提高网络流量的预测精度,针对ESN网络预测结果易受谱半径SR、神经元个数N、输入单元尺度IS、连接稀疏度SD以及嵌入维数p等参数的影响,利用IWO算法收敛速度快的特点对ESN模型参数进行优化。研究结果表明,IWO-ESN可以有效提高网络流量的预测精度,同时可以对ESN网络模型参数和嵌入维数p进行自适应选择,为网络管理优化和拥堵控制提供决策依据。     

一类交叉扩散系统稳态解的存在性和多重性

考虑的是一类带交叉扩散的干旱地区沙漠化生态系统模型,主要研究了当资源项与降水的正反馈系数相等时的边界平衡点附近的空间非齐次稳态解性质,其中通过运用Lyapunov-Schmidt约化方法和隐函数存在定理,得到了空间非齐次稳态解的存在性与多重性,并给出了在参数λ不同的取值范围内空间非齐次稳态解的具体表示式.     

HEGF中CO井筒流动及扩散规律研究

目前,高能气体压裂广泛的应用于低渗透油气田,可以有效清除近井地带由于钻井、射孔和各种措施造成的污染和堵塞,达到油气井增产、注水井增注的目的。但最近一些低渗透油气田却出现了频繁的CO气体中毒事件,给油田及员工带来巨大的损失。针对这一现象,运用现场数据以及物理模拟和数学模拟方法首次通过对CO气体流动、扩散等的综合研究,建立了CO井筒流动及大气扩散模型。同时,也考察了井筒压力、气油比、风速、气体泄放速率、大气稳定度等主要因素对CO气体扩散的影响。通过现场实例计算,证实模型具有较高的准确性。此项工作的完成为建立监控系统提供基础技术依据,同时对合理、有效的开发油气田以及煤层气的开发将具有重要的实际意义。     

三峡三期厂房工程肘管二期自密实砼施工

1 概述 三峡三期右岸电站厂房工程肘管段为单腔轮廓，空腔最大跨度31．14m，相应腔高6．75m，相应肘管二期砼采用一期预留大二期坑，待肘管安装后再进行二期砼施工的方式施工。肘管除在尾部与尾水扩散段之间留有50cm的过渡段外，其余为全钢衬结构。肘管共分为12节，由半径5955．0mm圆形断面渐变为宽度为31785mm，高度为7087．1mm，四角为半径2800mm圆弧的扁圆形断面型式。     

超薄W-Si-N 作为铜与硅之间的扩散阻挡层

研究了W-Si-N三元化合物对铜的扩散阻挡特性.在Si(100)衬底上用离子束溅射方法淀积W-Si-N,Cu/W-Si-N薄膜,样品经过高纯氮气保护下的快速热退火,用俄歇电子能谱原子深度分布与X射线衍射以及电流-电压特性测试等方法研究了W-Si-N薄层的热稳定性与对铜的阻挡特性.实验分析表明W-Si-N三元化合物具有较佳的热稳定性,在800℃仍保持非晶态,当W-Si-N薄层的厚度仅为6nm时,仍能有效地阻挡铜扩散.     

合理沉没度及泵况控制图的确定

尽管螺杆泵的泵效较高，我们认为螺杆泵的泵效一般控制在50％～90％较为合理，泵效太高影响油井的潜力，泵效太低则螺杆泵的工作性能优势得不到最好的发挥。因此，用50％～90％作为计算沉没度范围的界线值，与泵的结构参数、加工质量等有关的常数PO选泵深1000m时的模拟参量值为7．52.由此从理论上分析，螺杆泵的沉没度应控制在200～500m之间为宜。     

Klipsch RB35书架箱

与之前RF7同处一代的RB5等书架箱有所不同，这一代参考系列被分别命名为RB15、RB25和RB35等，明摆着是想要和前一代产品区分开来。RB35在新的RB系列中名列第二，之上还有款源于RF7的RB75。     

轴承外圈波纹度引起的振动特性研究

外圈波纹度是球轴承普遍存在的一种缺陷,本文对滚动体与内外圈之间径向间隙的影响充分考虑,分析了轴承间隙对轴承振动的影响特性,利用振动理论建立了外圈有波纹度的轴承振动响应模型.结论的合理性经过了验证,可为轴承设计和振动噪声研究提供理论依据.     

安森美半导体便携式应用功率MOSFET产品系列

安森美半导体（ON Semiconductor）推出便携式应用带来领先效能与设计灵活度的新功率MOSFET产品μCool系列，新推出的六款μCool^TM产品采用外露漏极DFN封装技术，可以在极小的4mm。面积上取得卓越的热阻（38℃／W）与额定功率（1．9W），额定持续功率比业界标准SD-88封装提高了高达190％，