一种制造高纯三氟化磷气体的简易方法

本文介绍一种高纯PF_3气体的简易制作方法。给出所研制的PF_3气体在L1-2离子注入机上质谱分析的结果以及工艺试验结果。结果表明可供各类离子注入机、尤其冷阴极离子源的注入机掺磷使用。     

LY-3A型离子源

LY—3A型—永磁冷阴极电子振荡型离子源,是我们在一九八八年研制的最新科研成果,该离子源具有低耗高效、长寿命、束流品质好、多电荷离子产额高、气耗小、工作稳定可靠、结构简单,小巧轻便、真空性能好、离化元素广泛等优点。是离子注入机、材料改性机、加速器等设备理想的离子源。     

机电部48所推出LC—2C新型中能离子注入机——各项主要技术指标与进口中束流离子注入机相当。靶上~(11)B~ 大于300μA

一九八八年我们在LC—2B型中能离子注入机上配置最新研制成果—LY—3A型冷阴极潘宁离子源,并相应地对整机各有关电器、结构部件的改造更新,推出LC—2C新型中能离子注入机。该机具有性能价格比好;生产效率高;注入剂量及能量范围宽;整机工作稳定可靠;结构紧凑;真空性能好;操作维护方便等优点。该机目前为国内最先进水平。现正在苏州半导体总厂3英寸,2英寸片生产线上正常运行。整机运行稳定可靠,性能优良。     

一种新型离子源——LY-3型离子源

本文介绍了LY—3型——永磁冷阴极电子振荡型离子源(以下简称LY—3型离子源)的结构设计和实验结果。用BF_3、PH_3、Ar等作放电物质。在放电功率小于50瓦的情况下,引出总束流强度可达4毫安。用于LC—2B中能离子注入机靶上(11)~B~+和的束流强度大于200微安,(40)~Ar~+的束流强度(当主高压为零时)大于600微安,同时具有较高成份的多电荷态离子。     

宽束矩形冷阴极潘宁离子源研究

根据大面积离子束辅助沉积MgO薄膜的需要，本文研究了具有并行阳极结构的宽束矩形冷阴极潘宁离子源。在简要说明冷阴极潘宁离子源基本原理的基础上，分析了在设计宽束矩形的离子源中主要考虑的问题，并给出初步的实验结果。     

潘宁离子源中电磁场和气压对氢气电离的影响

分析了冷阴极潘宁离子源中氢的碰撞电离过程，定性讨论了电磁场强弱、压强大小对氢电离的影响，并阐述了电极材料的特性及选用方法，可为设计小型潘宁离子源部件提供参考依据，对提高潘宁离子源工作稳定性具有一定的实际意义。     

高温溅射离子源及其在LC—3型高能离子注入机上的使用

高温溅射离子源已用于LC—3型离子注入机,可以成功地进行全元素注入。 本文描述了该离子源的结构和使用状况,根据我们的实践,改进了源的热炉。束流到达靶上的强度从零点几微安到几个微安。     

调磁式潘宁离子源

<正> 本文介绍一台调磁式潘宁离子源,包括结构、外特性、发射度、亮度等。该源已成功地应用在离子注入机产品上。 (一)概况和结构介绍 1980年我们研制了一个调磁式潘宁离子源,它作为J59200/ZK型离子注入机的配套部件,已经生产并在该机上运行了好几年。将其装在其它离子注入机上,同样获得了很好的效果。根据我们的调试和广大用户的反映,这种离子源使用方便,结构简单,起弧容易,放电稳定,装拆方便,寿命长,对安装尺寸和清洁状况的要求并不苛刻,很少发现打火等异常情况。 该离子源的结构简图如图(1)所示。     

LC—2A型离子注入设备的某些改进

本文叙述了弗里曼(Freeman)离子源体联接在LC-2A型中能离子注入机上的应用;表明了弗里曼离子源体与LC-2A型中能离子注入机光路系统相吻合后,可以茯得较大束流;这样,满足了我所半导体集成电路研制工艺中高剂量离子注入掺杂要求;文章还讨论了LC-2A型离子注入机束流增大后引起的诸如离子流的污染、磁分析器扁管防“穿通”、以及样品热聚积效应问题。     

NV10-80大束流注入机离子源电路原理分析及维修经验浅谈

本文较为详细地分析了Eaton NV10-80大束流离子流入机离子源电路工作原理，包括ARC电压，灯丝电流，气源压力调节及固体源坩埚温度控制的电路工作原理，同时，又针对常用离子源故障解决作了剖析。由于Eaton NV10-80大束流离子注入机国内半导体厂家使用较为广泛，其它型号的离子注入机也可借鉴，本文有较高的实际指导意义。     

离子注入机的辐射剂量

一、引言随着器件工艺的不断发展,对离子注入机提出了更高的要求,70年代初的离子注入机只能获得几十微安的束流,称为弱流离子注入机。近年来,广泛采用的是中束流离子注入机,束流可达几百微安,能量一般在200kev以下。同时束流达毫安级的大束流离子注入机,能量在100kev以下,也得到迅速的发展。随着束流的提高,注入剂量的增大,离子注入机的辐射剂量也随之增大。测量结果表明,离子注入机的辐射线主要是X—γ射线,为了减少辐射线对工作人员的危害,并为设计离子注入机提供一些参数,我们对我所生产的LC_2和LC_3型离子注入机,以及国内现有部分离子注入机的辐射剂量进行了较全面的调查和测量.本文简要介绍我们的调查和测量结果。     

脉冲钨离子注入4Cr5MoV1Si钢改善其耐磨性的研究

采用由金属蒸汽真空弧（MEVVA）离子源引的强束流脉冲金属钨离子对4Cr5MoV1Si(H13)钢进行了离子注入表面改性研究,用针盘式磨损机测得样品的耐磨性提高两部左右,使用卢瑟福背散射谱（RBS）测量了钨在样品中的浓度深度分布,采用X射线衍射考察了注入样品的表面微结构,按照非线性碰撞理论,讨论了样品的耐磨性,表面成分,结构与注入参数（主要是注入能量和注入束流密度）的关系。     

国外离子注入机发展动态

国外离子注入机发展动态随着超大规模集成电路的迅速发展，为适应中００、０．５μｍ工艺的需求，国外出现了多种新型的中束流、大束流、高能离子注入机，现将其现状介绍如下：新型中束流离子注入机大多采用平行束扫描方式、束的平行度优于０．５度。２００ｍｍ晶片内注入...     

用于强流离子注入的多极头离子源

多极头离子源技术已在融合和等离子加工的中性束加热方面获得了应用,但把这种离子源应用于离子注入的报道却少见。多极头离子源的几何形状能满足离子注入所希望的若干特征,具有束流引出面积大,产生静等离子体和形成手段灵活等特点。与常规的弗里曼源不同,它不需外加磁场、用于强流离子注入机的多极头离子源已研制成功,实验结果表明这种离子源的性能与标准弗里曼源相似,而且源的寿命更长。本文将介绍用BF_3作为掺杂气体的多极头离子源性能和寿命的实验结果。     

木马式连续注入靶室

<正> 靶室是离子注入机的关键部件之一,它对于提高注入机的注入速度、注入质量以及使注入机能开展多方面的实验研究,都有一定的影响。我厂研制的T45 200—1/ZK型微控中束流离子注入机靶室是仿日本真空技术株式会社200—DF_4型离子注入机而设计的一种木马式连续注入靶室。下面就该靶室总体情况作简要介绍。     

永磁镜场边引出潘宁型离子源的研制与初步应用

本文介绍永磁镜场边引出潘宁型离子源的原理、结构特点、实验结果及应用。该源具有电离效率高,引出束流密度大和小巧轻便等优点,能提供总束流大于1mA的多电荷重离子束或轻离子束。其中多电荷离子比例较大。用N_2和BF_3等气体实验,~(14)N~+和~(11)B~+的离子比分别达到80％和60％。在离子注入机上初步应用,~(11)B~+靶流达300μA。     

弗里曼离子源综述

弗里曼离子源至今已有30多年的历史,仍然是适用面最广、用得最多的一种离子源。由于它能够对大多数元素产生聚焦得很小、束流达毫安级的离子束,而且具有较宽的能量范围,因而成为人们普遍选用的一种离子源。就半导体离子注入的应用来说,该源具有性能好和操作简单等特点,因而被广泛地用作硅器件的掺杂。几十年来弗里曼离子源已成功地应用在离子注入机领域的许多方面,其中包括束流为毫安级的多种金属离子束的常规生产。本文将详细讨论离子束的产生方法,对灯丝寿命和离子源研究的最新进展及今后展望等也分别作了介绍。     

基于Opera-3D软件的碳化硅离子注入机光路设计与仿真

碳化硅（SiC）离子注入机是碳化硅半导体器件制造的核心装备，其光路设计与仿真是碳化硅离子注入整机研发的关键核心技术。利用Opera-3D软件研究了B+在不同注入能量下经加速、聚焦到靶室的传输包络图和束流截面形状，模拟仿真了B+通过扫描器、平行透镜后的注入均匀性，并与实际验证结果进行了对比。结果表明：现有SiC离子注入机光路在50～350 keV能量范围内具有较好的束流截面形状、离子传输效率和注入均匀性，能够满足SiC离子注入工艺需要。     

微控中流离子注入机用Freeman离子源

为了适应我国半导体器件及大规模集成电路工业的发展,研制一台供微控中流离子注入机使用的气固两用Freeman离子源。~(11)B~ 束流达1.5mA,离子比大于40％。     

离子注入机的有用束流

束流是离子注入机的一个重要技术指标,是生产注入机厂家和用户都特别关心的问题。人们通常用这个指标对同类型机器进行性能对比,来评价机器的优异程度。我们了解到不少机器的法拉第筒测得的束流,并不就是晶片上接收的束流。晶片上接收的束流,本文称为离子注入机的有用束流,通常它是小于或等于法拉第筒测得的束流。对于用户来说,最有实际意义的是有用束流。所以,我们在评价机器的生产能力时,应该注重的是考查机器的有用束流的大小。