钌系高阻浆料的电压稳定性

用钌酸铅、钽钌酸铅、钛酸钡、玻璃粉配制电阻浆料，印烧成电阻器，考察短期过负荷性能。结果证明钌酸铅不适于做高阻高压浆料导电相；钽钌酸铅适于做高阻高压浆料导电相；钛酸钡是合适的改性剂。电阻体均匀性对短期过负荷起重要作用。     

热处理温度对ITO薄膜组织与光电性能的影响

采用溶胶-凝胶工艺制备出纳米晶ITO透明导电薄膜。采用XRD和SEM分析了薄膜物相和显微形貌。采用面电阻仪和分光光度计测量了薄膜方阻和透光率。实验结果表明,随热处理温度升高,晶化趋于完整,组织逐渐均匀致密,晶粒有所长大,700℃热处理时薄膜完全晶化。另外,随热处理温度升高,方阻减小而透光率增加。经过700℃热处理,厚度400nm的ITO膜的方阻约300Ω/□,透光率>80%。     

激光调阻钌酸盐厚膜电阻浆料研究

介绍一种新的钌酸盐电阻改进体系，该体系中用Ｐｂ２Ｒｕ２Ｏ６代替钽钌酸铅（Ｐｂ２Ｒｕ２Ｏ６和Ｐｂ２Ｔａ２Ｏ７）作导电相，用硼硅酸铅玻璃代替硼硅酸铅锌锆玻璃，完全不用ＢａＴｉＯ３，ＰｂＴｉＯ３作为高阻ＴＣＲ改性的掺杂剂，该体系制作的１００ＫΩ／□以上了电阻激光调阻稳定，电阻漂移小于±１％。     

(Cr-Si-Ni)/Si薄膜的微观结构和电阻率

采用磁控溅射方法在Si(100)基底上制备了Cr-Si-Ni电阻薄膜,研究了不同温度退火时薄膜微观结构的转变过程以及对电阻率的影响.结果表明:薄膜在溅射态和低于300℃热处理时为非晶态;退火温度高于300℃以后,薄膜中析出CrSi2晶化相;当退火温度达到600℃时,薄膜中还有少量多晶Si相析出,同时在薄膜与基底界面处还发生了原子的相互扩散;CrSi2晶化相成"岛"状结构,弥散分布在非晶绝缘基底上;薄膜室温电阻率随着退火温度的上升,呈先上升、后下降趋势;薄膜电阻率随退火温度的变化行为与薄膜微观结构的变化以及界面扩散有关.     

Ti5Si3电极层表面沉积BST薄膜及其介电性能研究

使用溶胶-凝胶法在涂覆有Ti5Si3电极层的玻璃基板上成功制备了Ba/Sr为64的BST薄膜,并对该薄膜在600℃进行了热处理.使用XRD,阻抗分析仪对薄膜进行了测试,研究了不同热处理条件对薄膜介电性能的影响.结果表明,由于非氧化物Ti5Si3电极层中氧空位等缺陷含量少,因此可成功制备缺陷少,质量良好的BST薄膜.快速升温可得到的薄膜晶相含量较多,多次重复热处理使薄膜中晶相的缺陷相对较少;控制薄膜的热处理条件,可以控制薄膜的电容和损耗.     

仿生法沉积Sb2S3微晶薄膜

以硫脲(SC(NH2)2)和三氯化锑(SbC13)为主要原料,采用仿生法在玻璃基板上制备了Sb2S3薄膜,研究了热处理温度对薄膜晶相、显微结构和禁带宽度等的影响.采用X-射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和紫外-可见自记式分光光度计等对薄膜的相组成、显微结构和光学性能进行了表征.结果表明300℃热处理后获得的薄膜为无定形薄膜;随热处理温度的提高,薄膜的结晶性能变好,薄膜生长和取向性增强;随着热处理温度从300℃提高到500℃,薄膜的光学带隙由2.06 eV降低到1.88 eV.     

ZnO掺杂对ZnSb相变薄膜结构和电学特性的影响

目的通过掺杂不同量的ZnO提升ZnSb相变薄膜的晶化温度和晶态膜电阻。方法采用磁控溅射双靶共溅方式制备不同含量ZnO掺杂的ZnSb薄膜,使用真空四探针设备原位测试薄膜电阻随温度的变化情况,用EDS、DSC、XRD、Raman、FESEM、UV-Vis分别对薄膜的成分、晶化温度和熔点、掺杂薄膜的结构、薄膜厚度、表面形貌以及光学带隙进行分析。结果 ZnO掺杂量为1.6%时,Zn O掺杂提升了薄膜的晶化温度和晶态薄膜的电阻,并抑制了ZnSb晶粒的长大。薄膜的晶化温度由253℃提升至263℃,光学带隙由0.37 eV提升至0.38 eV,掺杂薄膜晶粒大小为20 nm左右,远低于未掺杂的50 nm。掺杂薄膜内的O原子更易与Sb结合,过多的Zn O掺杂会使薄膜结晶后形成Sb_2O_3晶粒,使薄膜的晶化温度下降。结论低含量ZnO掺杂的ZnSb薄膜具有更高的晶化温度、更细小的ZnSb晶粒以及更高的膜电阻;过量的Zn O掺杂使薄膜在结晶后产生分离的Sb_2O_3相,恶化薄膜性能。     

ITO薄膜的微观组织结构与光电性能研究

以金属铟和结晶四氯化锡为原料，采用溶胶．凝胶工艺，用浸渍提拉法在石英玻璃基体上制备ITO透明导电薄膜。采用XRD，AFM，四探针电阻率仪，紫外分光光度计对薄膜的晶型结构，表面形貌，方电阻和透光率进行了测定和分析，研究了热处理温度和提拉层数对薄膜光电性能的影响。结果表明：随着热处理温度的升高，薄膜的方电阻显著降低，透光率也不断增大，但是当后处理温度大于750℃时，透光率略有降低，方电阻仍然降低。     

基于等温热处理工艺制备细晶镁合金非枝晶组织

AZ91D镁合金通过Al-Ti-B变质处理获得细小的等轴晶.在固液两相区进行等温热处理,结合金相分析研究了组织的演化规律:等温热处理的初期,树枝晶经历了熔断、粒状化、球化和粗化的过程;随着加热温度的提高和保温时间的延长,共晶组织不断熔化成液相,液相体积分数逐渐增加,使液相薄膜包围着α相,α相由不规则形状向球状转化;α相的粗化和合并几乎同时进行,最终获得非常理想的半固态非枝晶组织.     

氮元素对Cr-Si-Al电阻薄膜晶化行为及电性能的影响

研究了Cr-Si-Al和Cr-Si-Al-N两种薄膜的微观结构及电性能，结果表明：溅射态非晶Cr-Si-Al和Cr-Si-Al-N薄膜在加热到700℃的过程中，将析出两种晶化相，即Cr(Al,Si)2和Si微晶相；氮元素加至Cr-Si-Al非晶膜中，将阻碍其中晶化相的形核与长大；与Cr-Si-Al薄膜相比，Cr-Si-Al-N薄膜欲获得较小电阻温度系数（TCR）需要更高的退火温,Cr-Si-Al-N电阻膜具有更高的电学稳定性。