晶体管爆裂噪声的积分双谱检测方法研究

本文根据对积分双谱分布特性分析，论证了晶体管爆裂噪声是服从非高斯且非对称分布的，并提出可利用积分双谱方法来检测晶体管爆裂噪声．     

测量噪声功率谱作为筛选光电耦合器件的方法研究（Ⅱ）

在文献「１」中作者曾提出用测量光电耦合器件噪声功能率谱的方法,筛选光电耦合器件。此 根据低频噪声的幅值。但在实验中发现,由于１／ｆ、ｇ－ｒ和爆裂噪声三者之间相关性较弱,在剔除掉１／ｆ噪声值较大的器件后,ｇ－ｒ噪声和爆裂噪声较大的器件却可能未被易除。     

电荷以电流积分方式通过MOS晶体管注入CCD中引起的噪声

此文是对在CCD输入端(相当于一个MOs晶体管)由积分噪声电流所引入的噪声电荷进行评价。信号源噪声及输入晶体管的噪声贡献可与CCD的其它噪声区分出来。此外,从我们对于在弱反型和强反型状态中工作的MOS晶体管1/f噪声的测试结果,与先前报导的结果相比取得了很好的一致性。     

晶体管红外热像图的热谱分析方法

使用自编的分析软件，根据比色法对所摄取的晶体管红外热像图进行了热谱分析，给出了晶体管发射区热谱和发射区一维温度分布曲线．一维温度分布曲线给出了整个发射区的结温分布情况，并可直接读取发射区的峰值结温和最低结温，还可以计算出平均结温．晶体管热谱是表示晶体管结温不均匀性的一种与热像图不同的新方法．     

低噪声高增益晶体管

在运算放大器中希望能将输入基极电流限制在小电流数值。这样的放大器电路的输入级晶体管,要求在1微安以下的集电极电流范围具有1000以上的直流电流放大系数。并且计时用的电子学仪器或生理电子学仪器等要求极力减小功耗的场合所应用的晶体管,必须是微小集电极电流的晶体管,也就是必须要有足够大的电流放大率。特别是在立体电视前置放大器等的低频低噪声放大电路的第一级晶体管中,必须减小1/f噪声和脉冲噪声(又可称为猝发噪声或爆裂噪声)。由文献我们可知,就这些噪声而言,在集电极电流相同的条件下,直流电流放大率越大,基极电流就越小,因而噪声功率就越     

获得低频晶体管低噪声高增益的途径与措施

闪变噪声和爆裂噪声是晶体管低频噪声的主要来源。散粒噪声和基区电阻的热噪声在低频范围内同样起作用。改善半导体的表面状态、减少晶体中的原生缺陷并控制二次缺陷的诱生及重金属杂质的引入,提高小电流下的直流电流增益h_(FE)、减小晶体管的基区电阻r′_(bb),是实现低频晶体管低频低噪声的主要途径。按这一指导思想制得的晶体管,低频噪声系数N_(FL)≤1.5dB,在I_c=0.1mA下,h_(FE)=200～1200;I_(CEO)可低于100pA,BV_(CEO)<15V。     

AWGN和FEXT噪声下铜双绞传输线的信道容量

本文研究加性白高斯噪声和远端串音两种噪声并存时铜双绞传输线的信道容量，用数值方法给出了不同线路长度和不同输入功率时的信道容量，研究了达到信道容量时的最优输入功率谱密度分布。计算结果表明，在加性白高斯噪声和远端串音同时存在时，信号的输入功率谱不再为均匀分布，这种不均匀性随着输入功率的增加更为明显。这与干扰为纯白高斯噪声时，最优输入功率谱近似为均匀分布的结果是不同的。     

自对准双极晶体管中的低频噪声

报导了用多晶硅做发射极的自对准n-p-n双极晶体管的低频噪声的初步研究情况。其中一些管子显示出一般扩散结晶体管中观察到的1／f规律不同的过量噪声谱。并且发现噪声谱形成S(f)随样品而异。例如，我们在同一芯片上的两个相邻的管子上，就观察到两种不同的形式S(f)－1/f和S(f)－1[1|(f/f0)^2]。我们认为，后者是由于在多晶硅－单晶硅界面处的氧化层势垒中载流于俘获造成的。其不均匀性可以说明噪声谱变化范围很宽的原因。     

一种低功耗低噪声相关双取样电路的研究

为了尽量在前级消除CMOS图像传感器读出电路中的主要噪声源，本文提出一种低功耗低噪声的相关双取样电路，开关晶体管采用PMOS晶体管代替传统的NMOS晶体管，避免了NMOS管的阈值损失，有效地降低功耗而不减小信号摆幅，降低了1/f噪声。与传统CDS电路相比较，所提出的CDS电路的输出采用对称列选通开关和源跟随晶体管，减少了两个电流源晶体管和一个偏置电源，有效地降低了功耗：同时，现有工艺能制造出性能匹配很好的对称晶体管，有效地消除器件本身由于阈值偏差带来的固定平面噪声。模拟结果表明，在电源电压为3．3V的情况下，像素单元响应动态范围(输出幅值接近电源电压)较宽，像素单元及CDS正常工作时消耗的能量是1．73μW。     

晶体管PN结缺陷形成的G-R噪声研究

本文对大量晶体管g-r噪声测量结果表明,常温下g-r噪声具有很宽的时间常数分布及可能有很大的幅度.现有的文献已无法解释这些实验结果,为此本文提出了pn结区缺陷引起的g-r噪声机理,给出了g-r噪声幅度及时间常数计算公式,可以对晶体管pn结缺陷形成的g-r噪声的形式及特点作出满意的解释.     

红外分光计中串音误差的处理和信噪比的计算

本文推导了红外分光计串音误差的解析表达式;提出了双积分处理方法,并进行串音误差计算,其结果比美国VTPR提出的箝位积分方法,有更好的性能。为计算信噪比,本文还提出一种计算时分网络输出噪声功率谱的方法。     

风廓线雷达谱宽计算方法的模拟试验研究

雷达回波信号谱矩的计算,通常都是采用"客观噪声电平切割法"作噪声电平切割,再对整个谱进行积分的方法.但是在风廓线雷达研制时发现,当回波信号比较强时,这种方法计算结果较好,而信号弱时,确定的噪声电平偏高,使计算出的信噪比偏低,谱宽偏差较大,而风廓线雷达实际测量时,大部分情况下信号都很微弱,影响了该方法的适用性.为此,提出了用"分段平均法"确定噪声电平,然后只对信号谱峰包络部分进行积分计算的方法,数值模拟试验结果表明:在高信噪比时,两者的计算误差相当.而当信噪比小于5 dB以下时,采用"分段平均法"和局部谱峰包络积分的计算结果明显要好一些.     

低温、低频双极晶体管的噪声分析

建立了低温双极晶体管的低频噪声模型，对低温、低频双极晶体管的噪声进行了分析，并给出了噪声电压随工作温度、工作电流以及频率的三维变化曲线，指出了双极晶体管获得最小噪声的最佳工作温度和最佳工作电流。通过对低温双极晶体管的ＣＡＴ噪声测试，证明了我们的噪声分析结果。     

晶体管红外热像图的热谱分析方法

使用自编的分析软件,根据比色法对所摄取的晶体管红外热像图进行了热谱分析,给出了晶体管发射区热谱和发射区一维温度分布曲线.一维温度分布曲线给出了整个发射区的结温分布情况,并可直接读取发射区的峰值结温和最低结温,还可以计算出平均结温.晶体管热谱是表示晶体管结温不均匀性的一种与热像图不同的新方法.     

低温,低频双极晶体管的噪声分析

建立了低温双极晶体管的低频噪声模型，对低温、低频双极晶体管的噪声进行了分析，并给出噪声电压随工作温度、工作电流以及频率的三维变化曲线，指出了双极晶体管获得最小噪声的最佳工作温度和最佳工作电流。     

工作在液氮温度下的低频低噪声双极晶体管的研究

对双极晶体管的低温物理模型和低频噪声模型进行了研究，认为低温下硅双极晶体管电流增益下降的主要原因是低温下非理想基极电流的增加。同时指出，低温下硅双极晶体管１／ｆ噪声的增大，是由于低温下电流增益的减小和载流子在体内和表面的复合增加。通过优化设计，做出了一种低温、低频、低噪声硅双极晶体管。测试表明，在室温（３００Ｋ）下，电流增益、低频转折频率、１ｋＨｚ点的噪声电压分别为β≥８００，ｆＬ≤３０Ｈｚ，Ｅｎ     

自对准双极晶体管中的低频噪声

报导了用多晶硅做发射极的自对准n-p-n双极晶体管的低频噪声的初步研究情况。其中一些管子显示出与一般扩散结晶体管中观察到的1/f规律不同的过量噪声谱。并且发现噪声谱形式S(f)随样品而异。例如,我们在同一芯片上的两个相邻的管子上,就观察到两种不同的形式S(f)～1/f和S(f)～1/[1+(f/f_0)~2]。我们认为,后者是由于在多晶硅-单晶硅界面处的氧化层势垒中载流于俘获所造成的,其不均匀性可以说明噪声谱变化范围很宽的原因。     

晶体管放大器的闪变调相噪声

本文导出了由晶体管高频调谐放大器的闪变调相噪声,决定的频率稳定度(频域的表征相位功率谱密度S△'1(f)和时域的表征阿伦方差y2())与晶体管参数的关系式,并进行了实验验证。     

纳米电子器件中的噪声及其应用研究

对多种纳米材料和纳米器件的噪声进行了比较详细的研究,对纳米器件中几种常用的噪声测量方法进行了探讨。讨论了利用噪声(主要是散粒噪声)进行介观电学机制探测的方法,并提出了用于解决单电子晶体管中背景电荷噪声的有效方法,揭示了双势垒共振隧穿二极管在负微分电阻区的散粒噪声大于Poisson值的本质。     

伊顿7618E噪声发生器修理

伊顿７６１８Ｅ噪声发生器修理王英强丹东半导体器件总厂（辽宁丹东１１８００２）从美国伊顿（ＥＡＴＯＮ）公司进口的２０７５型功率增益和噪声系数测试仪，是生产ＵＨＦ、ＶＨＦ低噪声晶体管和双栅场效应晶体管的必要设备。工作频率范围１０～１８００ＭＨｚ，可同时数...