海思半导体选用概伦电子SPICE建模解决方案

概伦电子科技有限公司近日宣布，海思半导体有限公司已采用概伦电子领先的BSIMProPlus^TMSPICE建模平台，用于海思的高性能集成电路芯片设计，以提升其在先进工艺节点，特别是45纳米以下的产品竞争力。     

概伦电子举行2010年技术研讨会分享下一代IC设计建模与设计验证方案

概伦电子科技有限公司（ProPlus）近日举办了主题为“如何设计有竞争力的高性能Ic：纳米时代的建模与验证挑战”的技术研讨会。来自集成电路制造企业、Ic设计公司、高校与研究机构等百余位来宾出席了研讨会，共同分享了概伦电子有关下一代集成电路设计挑战的精彩见解，以及高阶工艺下Ic设计中的建模、仿真与验证的解决方案。     

概伦电子:与您共建中国的EDA

概伦电子科技有限公司(Proplus)的前身是美国普拉普斯公司,概伦电子董事长刘志宏博士在接受本刊记者采访时表示,我们这次是把一个成熟的团队一起迁回国内,并把公司总部设于济南的高新区国家信息通信国际创新园,在美国的硅谷、北京、日本、台湾设有全资子公司。概伦电子的知识产权所有地是中国,并在美国和中国申请保护。     

SGS选择思博伦通信测试LTE设备性能

近日,测试认证公司SGS电气电子公司选择思博伦通信的移动测试设备,用于其设在美国新泽西州的BaskingRidge新试验室。BaskingRidge试验室将与一家主要无线网络运营商合作,提供3G／LTE设备测试支持。思博伦的8100移动设备测试系统将用于测试为美国市场研制的CDMA／EV—DO、LTE和多模移动设备。     

SGS选择思博伦通信测试LTE设备性能

近日,领先测试认证公司SGS电气电子公司选择思博伦通信的移动测试设备,用于其设在新泽西州的BaskingRidge新试验室。BaskingRidge试验室将与一家主要无线网络运营商合作,提供3G／LTE设备测试支持。思博伦的8100移动设备测试系统将用于测试为美国市场研制的CDMA／EV—DO,LTE和多模移动设备。     

SGS选择思博伦通信测试LTE设备性能

测试认证公刮SGS电气电子公司近日选择思博伦通信的移动测试设备，用于其设在美国新泽两州的Basking Ridge新试验室。Basking Ridge试验室将与一家主要无线网络运营商合作，提供3G／LTE设备测试支持。思博伦的8100移动设备测试系统将用于测试为美国市场研制的CDMA／EV—DO、LTE和多模移动设备。     

区域动态

华力微电子与联发科技合作开发28纳米工艺技术近日,上海华力微电子有限公司与联发科技股份有限公司共同宣布,华力微电子将与联发科技在28纳米工艺技术和晶圆制造服务方面紧密合作,部分联发科技移动通信处理器的代工将交由华力微电子完成。华力微电子此前已为联发科技的移动通信基带芯片、无线及连接IC产品提供不同工艺技术的支持。藉由本次在28纳米技术及晶圆制造服务上的新协作,不仅有利于华力微电子加速完善28纳米工艺     

一种InP HEMT分布小信号模型建模方法

提出了一种用于InP高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistor,HEMT）的分布式小信号等效电路建模方法。在采用的模型中考虑了分布电容效应,通过加入三个分布电容来表征。为了精确建模,在提取寄生电容时考虑到寄生电感引入的误差,首先提取了寄生电感。在达到50 GHz的InP HEMT中,小信号建模方法的有效性得到了验证。此外,在2～50 GHz频率范围内,S参数建模误差小于4%,这也证明了所提出建模方法的高建模精度。     

华力微电子与联发科技合作开发28纳米工艺技术

上海华力微电子有限公司与联发科技股份有限公司共同宣布,华力微电子将与联发科技在28纳米工艺技术和晶圆制造服务方面紧密合作,部分联发科技移动通信处理器的代工将交由华力微电子完成。华力微电子此前已为联发科技的移动通信基带芯片、无线及连接IC产品提供不同工艺技术的支持。藉由本次在28纳米技术及晶圆制造服务上的新协作,不仅有利于华力微电子加速完善28纳米工艺     

华力微电子基于Cadence公司Encounter数字技术开发55纳米平台的参考设计流程

Cadence设计系统公司（NASDAQ：CDNS）与上海华力微电子有限公司日前共同宣布,华力微电子基于Cadence Encounter 数字技术交付出55纳米平台的参考设计流程。从现在起,华力微电子首次在其已建立的55纳米工艺平台上实现了从RTL到GDSII的完整流程,这也是Cadence与上海华力紧密合作的结果。     

力旺与华力微电子共同布局高压先进制程平台

上海华力微电子与嵌入式非挥发性内存领导厂商力旺电子共同宣布，力旺电子之单次可程序（OneTime Programmable，OTP）技术NeoBit已于华力微电子之55纳米高压制程完成硅知识产权验证。该方案为目前全球最先进之高压制程的OTP解决方案，具备尺寸微缩与低成本之优势，在当前不断升级之中、小高清显示屏市场竞争中，将可为下一世代智能型手机与平板计算机提供高分辨率显示驱动芯片及高效能解决方案。     

基于信号流程的电子装备机理建模方法

针对面向电子装备战斗操作训练和技术维修训练的模拟器,研究机理模型建模问题。首先总结了当前主要的建模方法,进而根据模块化思想,提出了基于信号流程建立电子装备的机理模型,共分为装备分解,提取信号流程图、建立子模型、建立完整机理模型等四个步骤。阐明了建模过程,重点介绍了如何构建子模型和完整模型。讨论了模型的时间管理机制,多分辨率建模等问题,分析了该方法在故障建模中的应用,并提出了一个三级分辨率的机理模型体系。该方法的创新点包括：通过调整模型分辨率,可以兼容其他主要建模方法;同时能有效解决故障装备机理建模的问题。分析表明,该方法可以满足当前模拟器在各个层次上对机理模型的需求。     

一个新的单异质结InGaP/GaAs HBT模型

对VB IC B JT模型用于Ⅲ-V族化合物HBT器件建模的可行性进行了讨论和借鉴,结合UCSD HBT模型优点,提出一个新的可精确用于单异质结InGaP/GaAsHBT模型,并用于该类器件建模。测量和模型仿真I-V特性及多偏置条件下多频率点S参数对比结果表明,DC~20GHz频率范围内,新模型可对单、多指InGaP/GaAs HBT器件交流小信号特性进行精确表征。运用所建模型准确的预见了一宽带放大器性能。     

基于GNSS的武汉区域电离层TEC建模

为研究适用于区域电离层总电子含量(total electron content, TEC)建模的方法和估计策略,对传统单层假设下的几种建模方法和估计策略进行了比较分析. 基于我国中纬度武汉地区17个连续运行参考站的数据进行TEC建模,建模方法分别采用4×3阶多项式模型、2阶多项式模型、4阶球谐级数模型,估计策略使用分段常数估计策略和分段线性估计策略. 在传统单层假设的基础上,本文还提出了三层电离层TEC模型,该模型可以分别给出底部电离层、峰高电离层和顶部电离层的TEC. 研究结果表明,几种模型的天顶方向总电子含量拟合效果和欧洲轨道确定中心公布的电离层格网地图均具有较好的一致性,其中4阶球谐级数模型和分段线性估计策略效果最佳. 通过三层电离层模型,可以得到TEC与电离层高度之间的关系,多层电离层模型对空间目标监视和低轨卫星航天测控具有重要应用价值.     

纳米电子／光电子器件概述

概述纳米电子／光电子器件的类型，提出发展纳米电子／光电子器件的几点建议。     

一种紧凑的GaN高电子迁移率晶体管大信号模型拓扑

GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）以其复杂的器件特性使其大信号建模变得十分困难,尽管EEHEMT、Angelov等模型结构曾经成功应用于GaAs HEMT/MESFET的大信号模型,但当它们被用于GaN HEMT建模时却不再准确和完备.面向GaN HEMT器件的大信号模型,本文提出了一种紧凑的模型拓扑,此模型拓扑综合了GaN HEMT器件的直流电压-电流（I-V）特性、非线性电容、寄生参数、栅延迟漏延迟与电流崩塌、自热效应以及噪声等特性.经验证此模型拓扑在仿真中具有很好的收敛性,适用于GaN HEMT器件的大信号模型的建立,满足GaN基微波电路设计对器件模型的需求.     

纳米光电子器件初露端倪

主要概述纳米电子／光电子器件的分类，并提出发展纳米电子／光电子器件的几点建议。     

电子商务网站测试方案

电子商务（ElectronicCommerce）通指在全球各地广泛的商业贸易活动中,借助开放的互联网平台,基于浏览器／月艮务器,买卖双方远程进行各种商贸活动,如网购、商户间网上交易、在线电子支付,以及各种商务活动、交易活动、金融活动或相关的综合服务等。电子商务网站功能包括企业产品／月艮务项目展示、商品／月良务订购、网上支付、网络服务、发布商业信息、客户信息管理、实时互动等。根据其功能不同可分为信息服务型、广告型、交易型、管理型和综合型几大类。思博伦通信的《电子商务网站测试方案》一文对思博伦电子商务网站测试方案进行了详细阐述和分析。思博伦方案的适用对象主要为交易型和管理型电子商务网站,例如与百姓日常生活密切相关的电子商城、网络订票和网上银行等系统都是电子商务网站的典型案例;思博伦方案主要针对网站性能、安全和稳定性进行测试,确保网站运行顺畅。     

UTRAD-网络管理接口的新描述方法

信息模型建模是软件系统设计的一个重要方面,管理信息建模方法有三种：1）在每一个管理框架中定义管理信息模型,如OSI系统管理功能的通用支持对象;SNMP的Internet的MIB-Ⅱ;TMN框架中的通用网络信息模型和用于SDH和ATM等特定技术的管理信息模型;2）TMN框架中的方法论,此方法论在旧版的M3020定义,用于帮助管理信息模型的设计者设计信息模型;3）各种管理框架的信g模型的集成,夕USNMP／SMI未口OSI／GDMO、SNMP／SMI和CORBA／IDL及OSI／GDMO禾口CORBA／IDL。这些方法都存在一些问题,每一个管理框架中定义…     

原位电化学法制备纳米尺寸金属光特基势垒研究

介绍了原位电子学方法在半导体表面制备纳米尺寸肖特基势垒的工艺，讨论了其制备原理和实验条件，描述了纳米尺度金属／半导体界面特性，并对这种方法制务的肖特基势垒与传统方法制备的肖特基势垒进行了比较，这种制备肖特基势垒的方法克服了传统制备方法的特点，所形成的金属－半导体界面光滑无缺陷；生成的纳米尺度金属肖特基势垒可用于制备单电子晶体管、单电子存储器等纳米器件。