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忆阻器是最有潜力的新型非易失性存储器之一,用于忆阻器的电极和介质层的材料被工业界和学术界广泛研究。稀土元素在忆阻器中可以作为介质层材料和掺杂元素,具有广阔的应用前景。首先简述了忆阻器的基本结构、工作原理和电阻转变机制,接着以镧(La)、铈(Ce)、钆(Gd)三种在忆阻器中应用最广泛的稀土元素为例,对稀土元素在忆阻器领域中的应用优势进行了简单阐述,重点介绍了国内外研究中对于稀土元素的氧化物、稀土掺杂忆阻器、其他元素掺杂稀土元素忆阻器、钙钛矿锰氧化物等方面的应用,总结了稀土元素在忆阻器中的应用研究进展。最后对稀土元素忆阻器目前面临的问题和对应的解决方法进行了讨论,并总结展望稀土忆阻器未来的发展方向和应用前景。 相似文献
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扼要介绍了掺稀土元素半导体材料的发展历程,用稀土元素作掺杂剂的意义与问题,掺稀土元素的硅和掺稀土元素的Ⅲ-Ⅴ族化合物的研究现状及发展前景。 相似文献
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田晋 《激光与光电子学进展》1979,16(12):51
美国海军研究所已用受激准分子激光光化学方法从其他稀土元素中分离出铈和铕。由于稀土元素是核反应堆排放的放射性废物的主要成分,因此该项技术可能帮助减小必须加以存放这种废料的体积。另一可能应用是提纯某些难于分离的稀土元素的稳定同位素。海军研究所激光感应化学计划的研究人员T. Donohue警告说,其他稀土元素的分离将需要以可调谐染料激光器为基础的不同的化学过程。 相似文献
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采用磁控溅射工艺制备了CoFeNbZrRE非晶态薄膜,重点研究了掺杂稀土元素(RE)的种类和掺杂量对薄膜微结构、软磁性能、微波磁导率及其频谱特性的影响。结果表明,少量稀土元素的掺杂对该类薄膜的微结构和软磁性能影响较小,但可增强薄膜磁谱的弛豫性,从而影响其微波磁导率。增加稀土元素的掺杂量能显著提高薄膜的弛豫性和微波磁损耗,且重稀土元素比轻稀土元素表现出更强的弛豫性。适当选取稀土元素的种类和含量,CoFeNbZrRE类非晶态薄膜在吉赫兹微波段复磁导率实部和虚部均可高于100,有望在超薄层吸波材料中获得应用。 相似文献
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铒镱共掺光纤光栅的谐振增强型非线性光学效应 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了掺杂稀土元素的光纤非线性增强的机理.给出了几种常用的掺杂稀土元素光纤和波导的非线性数据。掺杂稀土元素的光纤的非线性较之普通石英光纤的非线性有较大地增强,然而掺杂稀土元素的光纤的非线性响应速度较慢,并且和抽运光以及掺杂浓度相关。实验研究了铒镱共掺的光纤光栅的谐振增强型光学非线性,采用980nm抽运光入射到光栅,用光谱仪观察光栅的透射谱。当抽运光入纤功率为100mW时,可实现0.2nm的光栅布拉格波长移动。实验证明掺杂稀土元素离子的光纤光栅具有很高的非线性,大约为普通光纤光栅的10^6倍.这种光栅在全光开关等领域具有一定的应用价值。 相似文献
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AC复阻抗方法已广泛地用于表征电子材料。本项研究测量了稀土元素La,Nd和Y掺杂的SrTiO_3陶瓷的AC复阻抗谱,从而使用AC复阻方法得到了有关晶粒和晶界的一些信息。 相似文献
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用改进的Bridgman方法首次生长了Cd_(1-x)Sm_xTe(x=0.0005,0.005,0.01,0.05)晶体。用光荧光方法测量了样品在液氮下的光致发光谱,并用提拉法在温度1.5K下、磁场强度直到7T范围测量了磁化强度。实验表明随着标称组份的增加,发光峰向短波方向移动,与晶格常数变小趋势相对应·讨论与分析稀土元素离子与过渡族元素离子的磁性差别。 相似文献
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运用Materials Studio软件中的CASTEP子模块,借助第一性原理平面波超软赝势法,计算分析了稀土元素(Sm,Tm)掺杂ZnO前后的能带结构、态密度以及光学性质变化情况。计算结果表明,掺杂后体系的能带部分更加稠密,出现新的杂质能级,费米能级从价带顶处上移进入导带部分,出现载流子简并现象,形成简并半导体。掺杂体系显示出更强的金属性,呈现n型导电。同时定性分析了体系前后的光学吸收系数与介电函数的变化情况。 相似文献
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本文探讨了硅掺入稀土元素Er后能发出波长为1540nm的光的机理,对影响其发光特性的温度猝灭现象作了初步分析,最后指出了将其实用化还必须解决的一些问题。 相似文献
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引言由于目前大多数地面通信系统都工作在A一l·3urn波长上,故对该波长信号的光纤放大器有很大兴趣。在近来信息量日益增长的情况下,这种线路工作必须使用光学放大器。目前正在发展在该频段工作的数种放大器:掺有稀土元素的光纤放大器、半导体光学放大器和受激拉曼散射光纤放大器。在稀土元素放大器中,最有前途的是掺Pr’”离子的氟化物光纤放大器[”’j。在弱信号下它达到较高的增益效率~0.2dB/mW[’,’1。但氟化物光纤的机械强度和可靠性都较低,此外它不能用熔合法与通信线路使用的标准光纤连接,这就明显地限制了它的应用范… 相似文献
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Tm/Ho双掺杂光纤传感器的温度与应变特性 总被引:3,自引:1,他引:2
用实验 方法研究了掺稀土元素Tm/Ho光纤测温传感器的温度特性和应变效应。实验结果表明:在200℃和700℃之间 。Tm/Ho光 纤传感器的温度敏感性较高,应变敏感性与其它掺杂光纤 传感器的应变敏感性相近。 相似文献