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介绍Sn In Cu三种金属合金的氧化物薄膜的合成,对各种元素的含量做了分析,证明薄膜的透过率可以和ITO薄膜持平,对紫外线有较高透过率.指出了退火过程对透过率的影响.通过对元素能谱的测量,发现薄膜中元素含量与金属的比含量有关.对比了薄膜和衬底的元素含量,清楚了测量中出现的疑点.同时也给出了各种元素在膜中的分布情况、电导率与温度的关系.对材料的光学带隙与吸收系数的关系做了描述,对扩展态迁移率与迁移率边和费米能级之间的关系进行了讨论. 相似文献
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超声雾化喷涂工艺及优质二氧化锡透明导电薄膜的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
报道了采用超声雾化喷涂工艺沉积优质掺杂二氧化锡透明导电半导体薄膜的实验成果 ,选用氟作为掺杂元素 ,通过改变掺杂量和工艺参数 ,可控制薄膜的方块电阻在 1 0 Ω/□以上的范围内变化 (40 0 nm膜厚 ) ,掺氟离子二氧化锡为 n型导电半导体 ,高浓度掺杂的二氧化锡薄膜光学透过率为 87%~ 90 % (采用 550 nm单色光源测透过率 )。用 X射线衍射及扫描电子显微镜分析 ,可获得该薄膜材料的微结构、表面形貌以及薄膜组成、掺杂百分含量。该成果为大规模生产优质二氧化锡透明导电薄膜 ,提供了有效、简单的方法和装置。 相似文献
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为适应高效Si基薄膜太阳电池对宽光谱透明导电 薄膜的需求,采用磁控溅射技术 生长了不同衬 底温度氢化作用下Ga和Mg共掺杂ZnO(HMGZO)透明导电氧化物(TCO)薄膜。研究了不同衬底温 度(200~280 ℃)对HMGZO薄膜 结晶特性及光电特性的影响。实验结果表明,制备的HMGZO薄膜均为具有六角纤锌矿结构的 多晶薄膜,呈 现(002)晶面择优生长。随着衬底温度的升高,薄膜中Mg含量逐渐增加,并且薄膜表面新型 锥状结构趋于 致密和均匀化。在各元素含量和结晶质量的共同影响下,其电阻率随着温度的升高从6.70×10-4 Ω·cm增加至7.63×10-4 Ω·cm。所有薄膜在可 见光区域(380~800 nm)的透过率均在80%以上,由于载流子共振吸收的作用,近红外区域的 透过率有所下降。MgO扩展带隙的作用和 Burstein-Moss(BM)效应的影响共同促进了薄膜光学带隙Eg展 宽,使得Eg达到了3.75 eV。当衬底温度为280 ℃ 时,薄膜方块电阻为4.91 Ω/sq,电阻率为7.63×10-4 Ω·cm,光电性能指数ΦTC值达0.022 Ω-1。 相似文献
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磁控溅射法在有机衬底上制备SnO2掺Sb透明导电膜 总被引:7,自引:0,他引:7
采用射频磁控溅射法在有机柔性衬底上制备出了SnO2:Sb透明导电膜,讨论了薄膜的结构和光电性质对制备条件的依赖关系.制备的样品为多晶薄膜,并且保持了氧化锡的金红石结构.对衬底适当地加热,当衬底温度为200℃时,在PI(聚酰亚胺)胶片上制备出了性能良好的薄膜,薄膜相应自由载流子霍耳迁移率的最大值为1 3.9cm2/V@s,载流子浓度为15.5×1019cm-3,薄膜电阻率的最小值为3.7×103Ω@cm.在可见光范围内,样品的相对透过率为85%左右. 相似文献
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梯度掺杂生长绒面结构ZnO:B-TCO薄膜及其特性研究 总被引:2,自引:2,他引:0
采用新的金属有机化学气相淀积(MOCVD)-ZnO镀膜工艺技术-梯度掺杂技术生长绒面结构。研究ZnO:B-TCO薄膜。结果表明,梯度掺杂技术可有效增加薄膜晶粒尺寸和提高光散射作用。并且,梯度掺杂技术有效地提高了薄膜在近红外区域的光学透过率,有利于应用于宽谱域薄膜太阳电池。生长获得的MOCVD-ZnO薄膜,其薄膜电子迁移率为24 cm2/V,电阻率为2.17×10-3Ω.cm,载流子浓度为1.20×1020cm-3,且在小于1 000 nm波长范围内的平均透过率大于85%。 相似文献
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透明导电薄膜ZnO∶Zr的制备及特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的ZnO∶Zr(ZZO)透明导电薄膜.讨论了溅射功率对ZZO薄膜结构、形貌及光电性能的影响.研究结果表明,溅射功率对ZZO薄膜的结构和电学性能有很大影响.实验制备的ZZO薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有垂直于衬底方向的c轴择优取向.在溅射功率为115 W时,ZZO薄膜的电阻率具有最小值1.9×10-3 Ω*cm,其霍尔迁移率和载流子浓度分别为18.7 cm2*V-1*s-1和2.07×1020 cm-3.所制备ZZO薄膜样品具有良好的附着性能,其可见光区平均透过率均超过92%. 相似文献
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溅射氩分压对ITO透明导电薄膜光电特性的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
用磁控溅射法在水冷 PPA聚脂胶片上制备了性能优良的 ITO透明导电膜。本文重点讨论了溅射氩分压对薄膜的结构和光电特性的影响 ,合适的氩分压为 0 .5 Pa,在此条件下 ,制备的薄膜最小电阻率为 4.6× 1 0 -4Ω· cm,相应的自由载流子霍耳迁移率有最大值为 75 cm2 /( V· s) ,在可见光范围内相对透过率为 80 %左右 ,在红外区 ,薄膜的等离子共振吸收波长随着氩分压的减小而变短。X射线衍射表明薄膜为多晶纤锌矿结构 ,垂直于衬底的 C轴具有 [2 2 2 ]方向的择优取向 ,随氩分压的增大 ,[40 0 ]峰开始增强 ,[2 2 2 ]峰被削弱 ,薄膜呈现出混晶结构。 XPS谱分析表明随溅射分压的减小 ,薄膜中的氧空位浓度增大 ,自由载流子浓度有所增大 相似文献
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氧氩流量比对RF溅射ZnO:Mg薄膜结构及光学性能的影响 总被引:3,自引:3,他引:0
利用射频(RF)磁控溅射技术,采用单质Zn靶和 MgO陶瓷靶共溅射,在O2和Ar气的混合气氛下制备了Mg掺杂ZnO(ZnO:Mg)薄膜,并通过改变O2和Ar的流量比O 2/Ar,研究了 对ZnO:Mg薄膜的物相结构、表面形貌及光学性能的影响。结果表明,室 温下O2/Ar在1∶1~3∶1 范围内制备的薄膜均为单相的ZnO(002)薄膜,薄膜具有三维(3D)的结核生长模式;沉积的 ZnO:Mg薄膜在 N2氛下200℃退火处理后,O2/Ar为3∶1制备的薄膜在380~1200nm光谱范围内具有较高的透过率,可见光区平 均透过率约为85%、最大透过率达90%;薄膜的光学带隙 Eg为3.51eV,Mg掺杂对ZnO薄膜的光学带隙具有 较为明显的调制作用;采用极值包络线法计算表明,薄膜在589.3nm 处的折射率为1.963,膜厚约285nm。 相似文献
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简要介绍了纳米材料的电学性能以及单电子器件的基本原理和应用;纳米材料的光学性能和光电性能,高的光吸收系数和光致荧光现象可使其应用于敏感元件,由于其光电特性具有超快响应速度,可望在超快光电子器件中得到应用。 相似文献
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信息时代产生的海量数据驱动着计算机存储架构的革新,高性能的非易失性存储器和存算一体的神经形态计算成为存储体系的发展方向。首先,介绍了相变材料Ge2Sb2Te5的阻变性质的机理与应用,详细阐述了相变存储器的发展以及神经形态计算的实现。然后,讨论了基于Ge2Sb2Te5铁电性质的存储器、基于Ge2Sb2Te5介电性质的光子存储单元和基于Ge2Sb2Te5应变作用的高迁移率晶体管。最后,讨论了Ge2Sb2Te5和n型硅等材料的异质结结构在器件中的应用。基于Ge2Sb2Te5材料多种特性的新型存储器件必将在未来存算一体的数据处理中扮演重要的角色。 相似文献
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随着对复杂网络的深入研究,现实生活中越来越多的网络被证明具有复杂网络的特性,如小世界特性,无标度特性和高聚类系数等.本文介绍了九种现实网络所具有的复杂网络特性,并介绍了权重网络和空间网络的基本概念,它们更多的考虑了现实网络的特性,并能更好的模拟实际网络. 相似文献
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该文采用溶胶-凝胶法在LaNiO_3/Pt/Ti/SiO_2/Si基片上制备了掺杂La元素的Pb_(1-0.05)La_(0.05)ZrTiO_3(PLZT)、掺杂Sr元素的Pb_(1-0.05)Sr_(0.05)ZrTiO_3(PSZT)、掺杂La和Sr元素的Pb_(1-0.1)La_(0.05)Sr_(0.05)ZrTiO_3(PLSZT)及未掺杂的锆钛酸铅(PZT)薄膜样品。对不同掺杂情况的样品分别进行了压电系数、电滞回线、介电特性的测试。结果表明,双掺杂样品PLSZT薄膜具有比其他样品更好的铁电性能,其剩余极化强度(P_r)为13.2μC/cm~2,饱和极化强度(P_s)为28.4μC/cm~2,矫顽场(E_c)为54.8 kV/cm;双掺杂样品PLSZT薄膜的压电系数(d_(33))比其他3种样品高,达到153 pC/N。掺杂后的样品与未掺杂的样品相比,其介电常数有略微提高;单掺杂La的样品的介电特性在高频环境下更稳定。 相似文献
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Morphological transformation was achieved from ZnO hexagonal needle-like rods to hexagonal flower-like rods by varying the reaction growth time using the hydrothermal method. Optical bandgap energies were calculated from the absorption spectra using UV‐vis spectroscopy. Gas sensing properties of flower-like hexagonal ZnO structures at 50 ppm for ethanol (C2H5OH) and nitrogen dioxide (NO2) at different temperatures were analyzed. The sensor showed a higher response toward C2H5OH than NO2 gas at 350 °C. 相似文献
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采用固相反应法制备了Y_2O_3和Cr_2O_3共掺杂BiFeO3陶瓷,研究了Bi_(0.9)Y_(0.1)Fe_(1–x)Cr_xO_3(BYFC_x,x=0,0.002,0.004,0.006,0.008)陶瓷的多铁性能。XRD分析表明,经850℃烧结的BYFC_x陶瓷形成了三方钙钛矿结构固溶体。随着Cr掺杂量增加,BYFC_x陶瓷在室温下的铁磁性能和铁电性能提高明显。当x为0.004时,所制陶瓷的铁磁性能最好,剩余磁化强度Mr为0.23A·m~2/kg,饱和磁化强度Ms为3.15A·m~2/kg,矫顽力Hc为2.3kA/m。Mr、Ms和Hc随着Cr掺杂量的增加先增大后减小。 相似文献