In取代的BiCaVGeIG研究

本文给出Bi_z Ca_(3-z) Ge_x In_y Fe_(3.5+0.5z-0.5x-y) V_(1.5-0.5z-0.5x) O_(12)多晶石榴石材料饱和的磁化强度Ms、铁磁共振线宽AH、居里温度Tc,Ms的温度系数α和晶格常数随In取代量y和Ge取代量x及Bi含量z的变化,并给出经验规律公式。对玻尔磁子的理论值与实验外推值进行了比较和讨论。分析了线宽来源。讨论了In取代的降低温度系数作用和Ge取代的促进固相反应完成作用.     

微量阳离子取代对石榴石多晶铁氧体性能的影响

采用普通陶瓷工艺制备Y_(3-x)Ca_xM_xFe_(5-x)O_(12)(M为4价离子Sn~(4+)、Zr~(4+))和Y_3M_xFe_(5-x)O_(12)(M为3价离子In~(3+)、Mn~(3+))的复合钇铁石榴石多晶铁氧体材料。研究了不同微量阳离子取代对YIG多晶材料电磁性能的影响。结果表明,微量Sn~(4+)、In~(3+)、Zr~(4+)取代可降低石榴石铁氧体材料的铁磁共振线宽。通过优化取代,获得了高密度、低铁磁共振线宽、高居里温度的改性石榴石多晶铁氧体材料。     

氧化物法低温烧结Li系铁氧体的固相反应、致密化过程及微波性能

采用普通陶瓷工艺结合精细球磨制备了Li0.5-0.5xZnxMnaFe2.5-0.5x-aO4(0.1≤x≤0.6)和(LiFe)(1-x y)/2ZnxTiyFe2.5-x/2-3y/2MnaO4(0.1≤x≤0.25,0≤y≤0.4)铁氧体超细粉料(～200 nm).不同预烧温度粉料样品的XRD分析表明,生成尖晶石的固相反应从500～600℃开始,到700℃完成.预烧料的磁化强度-烧结温度曲线表明,大量生成磁性尖晶石相Li铁氧体的温度大约在550～700℃.在该LiZn铁氧体材料的烧结中出现了先膨胀后收缩的现象,致密化主要发生在固相反应基本完成之后.Li0.365Zn0.27 MnaFe2.365-aO4的密度和收缩率、铁磁共振线宽△H和自旋波线宽△Hk、饱和磁化强度Ms和矫顽力Hc等性能参数的烧结温度曲线表明,在880±10℃下获得了良好低温烧结特性和电磁性能,特别是△Hk值为普通样品的3～4倍.根据饱和磁化强度的温度曲线,确定出Ms=400(1±5%),358(1±5%)和255(1±5%)kA/m材料的居里温度分别为475、540和430℃.     

Gd、Y含量对烧结Nd-Fe-B磁体磁性能的影响

分别采用Gd、Y等量取代原磁体中的部分Nd,制备了烧结(GdxNd1-x)16Fe78B6(x=0.15,0.2,0.3,0.4,0.5)和(YxNd1-x)16Fe78B6(x=0.15,0.2,0.3,0.4,0.5)永磁材料,研究了添加元素Gd和Y的含量、烧结温度和回火温度对材料磁性能和显微结构的影响。实验结果表明,Gd、Y替代Nd含量最佳范围为0~0.15。烧结温度为1120℃、回火温度为800℃时(Gd0.15Nd0.85)16Fe78B6磁体的磁性能最佳。烧结温度为1120℃、回火温度为600℃时(Y0.15Nd0.85)16Fe78B6磁体的磁性能较好。显微组织研究表明,两种磁体样品分别产生新相钆铁钕氧化物相和钇铁钕氧化物相。     

小线宽微波多晶铁氧体材料研究

对小线宽微波多晶铁体料Y_(3-x)Ca_xIn_yGe_xF_(5-x-y)O_(12)进行了一系列配方和工艺实验。在600～1400G的磁矩范围内获得了小于2.5Oe的线宽,最小为1.4Oe(X频段)。研究了制作工艺和成分对材料微观结构、晶粒长大及线宽的影响,说明成分正分是获得低线宽的先决条件;气孔和第二相有阻碍晶粒长大的作用;在烧结过程中致密化促进了晶粒长大。在适当条件下可以发生晶粒的异常长大,已获得晶粒尺寸大于500μ的大晶粒样品。进行了高温金相观测和热腐蚀,1060℃出现晶界,1260观测到有趣的图象。     

Gd3+取代及十二面体空位对石榴石铁氧体高功率低损耗特性的影响

采用传统陶瓷工艺制备足量和缺量Gd³⁺取代的钇铁石榴石铁氧体,研究通过缺量Gd³⁺取代在十二面体位(24c)引入空位对材料显微结构、饱和磁化强度、铁磁共振线宽、自旋波线宽、居里温度、电阻率等性能的影响。研究表明,24c空位可促进了烧结阶段的致密化过程和晶粒生长。通过适量引入24c空位,铁磁共振线宽从154 Oe减小到64 Oe,自旋波线宽从9.7 Oe提高到24.4 Oe。空位的存在还增强了16a位与24d位Fe³⁺之间的超交换作用,提高了材料的居里温度。另外,空位对铁氧体材料电阻率影响不大,使其具备优异的介电性能。     

烧结温度对Li0.35Zn0.3Fe2.35O4铁氧体微结构和磁性能的影响

用氧化物法制备了Li0.35Zn0.3Fe2.35O4铁氧体材料,研究了烧结温度对材料微结构和磁性能的影响.结果表明,烧结温度越高,晶粒越大,矫顽力Hc越小.适宜的烧结温度可以提高密度db、饱和磁化强度Ms和降低铁磁共振线宽△H.在烧结温度为1160℃时,可以制备出高Ms、高Br/Bs,低Hc及低△H的LiZn铁氧体材料.     

磷灰石结构电解质La_(10-x)Si_6O_(27-1.5x)的合成及电性质

以La_2O_3和SiO_2为原料,采用凝胶注模工艺合成了具有磷灰石结构晶相的固体电解质材料La_(10-x)Si_6O_(27-1.5x)(x=0,0.5).通过X射线衍射光谱法(XRD)对所得化合物的结构进行表征.在300～800 ℃的温度范围内,利用电化学阻抗谱详细研究了La_(10-x)Si_6O_(27-1.5x)陶瓷的烧结温度和La元素的含量对La_(10-x)Si_6O_(27-1.5x)电导率的影响.结果表明:陶瓷样品的烧结温度对其电导率的影响较大,La_(10)Si_6O_(27)的电导率随着陶瓷样品烧结温度的上升而提高,1 650 ℃烧结的La_(10)Si_6O_(27)在800℃电导率为3.46×10~(-2) S/cm,约是1 550 ℃烧结样品的6倍.La_(9.5)Si_6O(26.25)的电导率随着陶瓷样品烧结温度上升呈先上升后下降的变化趋势,当烧结温度高于1 600℃时,晶粒和晶界内有大量未知相析出,这可能是导致其电导率反而下降的直接原因.     

V~(5+)和Bi~(3+)联合取代对LiZnTi铁氧体材料微观结构和磁性能的影响

采用固相反应法制备了以V-Bi置换Ti~(4+)的LiZnTi铁氧体,获得较低的铁磁共振线宽和矫顽力,同时还保证其具有较高的饱和磁化强度、剩磁比和烧结密度。利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜(SEM)等分析了在880℃和900℃烧结温度下,V-Bi二元取代对LiZnTi铁氧体的微观结构和电磁性能的影响。研究结果表明,其微观形貌与V-Bi取代量密切相关,适量的V-Bi取代可改善材料的微观结构,但过量的V-Bi会阻碍晶粒的生长。随着V-Bi取代量的增加,样品的饱和磁化强度B_s、剩磁比先增大后减小,铁磁共振线宽ΔH、矫顽力H_c先减小后逐渐增大。     

用溶胶-凝胶法制备的低温烧结Ti取代LiZn铁氧体

以柠檬酸为络合剂用溶胶-凝胶法制备了低温烧结Li0.5-0.5x+0.5yTiyZnxMnaFe2.5-0.5x-a-1.5yO4(0.15相似文献   

IBM第四代SiGe工艺推动测量仪器频率提升

IBM公司拥有庞大的半导体研发和生产能力,自1989年开发成功锗硅(Si Ge)材料和Si Ge双极互补金属半导体(BiCMOS)工艺,每两年左右进行一次升级,今年8月宣布第四代Si Ge工艺全面提升,采用130nm线宽代替原来第三代的180nm线宽,使Si Ge器件进入到100GHz的商业电子应用,这些热门产品包括:·24GHz的汽车倒车告警和77GHz的避撞告警系统;·60GHz的无线局域网和骨干网的芯片组;·移动通信的软件接收机和全球定位系统;·高速A/D转换和D/A转换器。传统上,10GHz以下的高频模拟功率器件可由Si材料实现,而且工艺与CMOS兼容,带来许多设计和制…     

Bi2O3掺杂和烧结温度对NiZn铁氧体截止频率的影响

以Ni0.25Co0.14Cu0.4Zn0.21Fe1.98O4为主配方,掺杂不同量的Bi2O3助熔剂,采用普通陶瓷工艺制备了NiZn铁氧体材料。分别采用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析观察样品的相成分和微观形貌。用阻抗分析仪测试样品的磁谱,研究了Bi2O3助熔剂掺杂量和低温烧结对材料截止频率的影响。当起始磁导率为5.5时获得的截止频率为1GHz;材料中添加4wt%Bi2O3后,其烧结温度可以降低为850℃。     

类钙钛矿结构La2Ni0.5M0.5O4+δ(M=Co,Cu)材料的合成与电性能

用XRD和传统直流四极探针电导测试法研究了烧结制度和不同掺杂元素对固相反应所合成的La_2Ni_(0.5)M_(0.5)O_(4 δ)(M=Co,Cu)材料结构和电性能的影响。实验结果发现:固相反应可以合成出类钙钛矿结构La_2Ni_(0.5)M_(0.5)O_(4 δ)(M=Co,Cu)材料。随着烧结温度的提高和保温时间的延长,该类材料的晶型更加趋于完整,晶粒尺寸也在不断长大;同时该类材料在1300 ℃、5 h情况下形成的样品,其电导率在空气中于100～800 ℃条件下也在增加,但保温时间对电导率的影响要大于烧结温度对其影响,因此确定该类材料固相反应法合成的烧结温度为1 400 ℃保温时间14 h。掺杂Co、Cu后的材料La_2NiO_(4 δ),其电导率均有增加,但掺杂Co后材料电导率要大于掺杂Cu的电导率。     

Sr(Ce0.5-xZr0.5-x)Dy2xO3-x质子导体材料的制备及电性能研究

采用固相法合成了具有质子导电性能的Sr(Ce0.5-xZr0.5-x)Dy2xO3-x(2 x=0.1、0.15、0.2、0.25),采用差热-热重分析(DTA-TG)研究粉体的预合成制度,通过X射线衍射光谱法(XRD)对合成产物的结构进行了分析,采用排水法测定了试样的烧结密度,利用四探针法测定了材料在湿氢气气氛400～1 000 ℃下的电导率,研究了温度及掺杂量对材料电性能的影响.研究表明,Dy掺杂锆铈酸锶具有钙钛矿型结构,400～1 000 ℃时材料的电导率随温度的升高逐渐升高,并且当掺杂量2 x≤0.2时,电导率随掺杂量的增加而增大,当掺杂量2 x＞0.2时,电导率反而下降.当2 x=0.2,测试温度为1 000 ℃时,材料的电导率达到最大,即1.6×10-2 S/cm.     

La取代对烧结NdFeB磁体微观结构和性能的影响

采用片铸工艺和粉末冶金工艺制备烧结(Nd,Pr)29.9-x Lax(Fe,TM)bal B0.98(x=0,1,2,4,6)磁体,研究了La取代量对磁体微观结构、磁性能和力学性能的影响。结果表明,La主要进入晶界富稀土(RE)相中,由于氧的富集程度不同,形成了两种不同形态和分布的含La富RE相;与不含La的烧结NdFeB磁体相比,La取代量为1~2wt%的磁体具有良好的综合性能,其晶粒尺寸均匀细小;当La的取代量增加到4wt%以上时,磁体显微组织很不均匀,其密度、磁性能及抗弯强度显著降低。     

丝网印刷六角铁氧体厚膜热压烧结工艺与性能研究进展

自偏置是毫米波环行器/隔离器小型化的重要途径之一,具有高内场和高剩磁的六角铁氧体是一种很好的自偏置材料,因而成为微波铁氧体材料的研究热点。综合报道了国内外自偏置BaM六角铁氧体厚膜的丝网印刷热压工艺研发进展及性能与工艺参数的关系。比较了不同烧结温度和保温时间下,热压厚膜与普通烧结厚膜的密度、晶粒尺寸、矩形度(M_r/M_s)、饱和磁化强度4Ms、矫顽力Hc和铁磁共振线宽H。分析了性能之间以及性能与显微结构的关系。基于高矩形度所需晶粒尺寸的公式,讨论了矩形度与烧结温度、保温时间、成型磁场的关系,探讨了提高剩磁的途径;着重比较了不同工艺条件下的BaM厚膜的铁磁共振线宽,通过H来源分析,讨论了密度、取向度、内应力、固相反应完成程度等因素的影响,提出了进一步减小丝网印刷热压BaM厚膜线宽的途径。最后指出,丝网印刷热压BaM厚膜虽然在降低线宽上取得了显著进展,获得210 Oe的最小H值,但离器件对自偏置材料低损耗的要求还有差距,仍需进一步努力。     

合金SmCo_5和Sm_(0.5)Pr_(0.5)Co_5烧结磁体磁性能对退火温度的依赖关系

在制备RCo_5(R是稀土金属)化合物恒磁体时,采用液相烧结法能保证获得高密度、高矫顽力和温度稳定性良好的材料。并且,由于这些材料粉末的矫顽力Hc对退火温度的特有关系,在高于最大矫顽力的烧结温度下能得到极限密度。因此,对某些合金可应用二次加工:(1)在保证获得必要密度的温度下烧结和(2)在较低的温度下退火,由此可达到需要的矫顽力。二次退火的温度对Sm_(1-x) Pr_xCo_5合金烧结磁     

溶胶-凝胶法制备钇铁石榴石(YIG)研究

以柠檬酸为络合剂、用溶胶-凝胶法制备了钇铁石榴石Y3Fe5O12(YIG)材料.XRD分析表明生成石榴石相的固相反应在700℃左右开始,至900℃基本上完成, 比普通陶瓷工艺提前100℃.预烧料比饱和磁化强度σsp以及相对磁化强度σsp/σss(σss为烧结样品比饱和磁化强度)数据与XRD结果相符.收缩率数据表明,材料致密化滞后于固相反应400℃以上.粉料粒度随热处理温度增高(700℃～950℃)而增大(13～60nm).给出了材料的烧结特性(密度、气孔率、收缩率)及SEM照片.讨论了铁磁共振线宽△H和自旋波线宽△烧结温度的变化.在最佳烧结温度1240℃下获得的△H为4.46kA/m(56Oe),△Hk为0.33 kA/m (4.1Oe).这个△Hk值为一般YIG材料△Hk的2倍.这里的烧结温度比普通陶瓷工艺的YIG材料低了200℃.     

Li-Ti系微波铁氧体磁性和铁磁共振研究

本文研究了Li-Ti-Mg和Li-Ti-Zn系尖晶石型微波铁氧体的晶格常数、室温饱和磁化强度以及居里点随成分的变化,观测了达两种系列材料的饱和磁矩与温度的关系及铁磁共振线宽与频率的关系。从铁氧体物理观点对实验结果进行了分析和讨论。报导了室温穆斯堡尔效应的初步测量结果。     

YCaVIG的共振线宽、晶粒尺寸及化学均匀性—关于微波磁损来源的探讨

用电镜在三个铁磁共振线宽差别很大的 Y_(1.2)Ca_(1.2)Sn_(0.3)V_(0.5)Ge_(0.5)Fe(0.7)O_(12)烧结样品上分别测取20个点的成分数据。讨论了共振线宽△H 与由20个成分数据离散度σ_x 所表征的样品化学不均匀程度及品粒尺寸、予烧温度等工艺条件的关系。认为由固相反应不完全所引起的化学和磁的不均匀性是多晶线宽的主要致宽因素之一。