声表面波谐振器传播状态的ANSYS仿真

为描述声表面波的传播状态,利用ANSYS软件对声表面波(SAW)谐振器进行了仿真。在对声表面波产生机理和SAW谐振器工作原理分析的基础上,建立了SAW谐振器仿真模型,讨论了网格划分不同对仿真结果精度的影响,得出了在每个SAW波长尺寸内划分30～40个网格可以得到较精确的仿真结果。对不同长度声孔径的声表面波谐振器进行了仿真分析,得出了声表面波只在固体表面1～2个波长深度范围内传播的仿真效果图,与理论分析有很好的一致性。最后对IDT/ZnO/金刚石/Si结构的声表面波器件进行了仿真,得出该结构声表面波器件SAW传播速度与ZnO的厚度成反比,其大小是IDT/ZnO结构器件SAW传播速度的2～3倍。     

光伏InSb探测器R_0A值的测试与分析

对所生产的光伏 In Sb器件 R0 A值进行了测试 ,结面积为2 .9mm的单元器件 R0 A值在 5.71× 1 0 4～ 5.75× 1 0 6Ω cm2之间 ,50× 1 0 0 μm2的线列器件典型 R0 A值为 3× 1 0 4 Ωcm2 ,对测试结果进行了分析。讨论了器件表面漏电对 R0 A值的影响。     

SAW压控振荡器

Micro Networks公司推出工作频率在 30 0～ 90 0 MHz的低噪声 M60 0系列压控 SAW振荡器。器件适用于高性能通讯系统中的锁相环路、时钟及数据恢复、OC- 1 2、OC- 48及 OC- 1 92 SONET/ SDH系统中的时钟修平电路。器件采用 2 8针脚表贴外壳封装。该器件具有输出截止特点 ,迫使输出处于稳定状态 ,从而使外部时钟能够控制输出频率。振荡器的工作电压是单向 + 5 V,差分输出为 1 0 k/ 1 0 0 k PECL逻辑兼容。SAW压控振荡器@袁小平…     

小型GPS RF SAW滤波器

作为 GPS接收端 RF级滤波元件而言 ,滤波器的插损应尽可能地小 ,以将信号恢复误差减到最小。Sawtek公司新推出的GPS RF SAW滤波器 ,在 82 4～ 86 9MHz和 16 4 0～ 192 6 MHz频率范围内的典型插损仅为 1.3d B,衰减为 4 0～ 5 0 d B。器件尺寸为 3.0× 3.0× 1.2 (m m3) ,比目前使用的陶瓷滤波器小 94 % ,易于 PCB装配。器件还具有简单的单端电源及负载结构 ,因此在工作时不需要阻抗匹配。小型GPS RF SAW滤波器@袁小平…     

高频SAW器件的高精度频率调整

UHF以上高频高精度声表面波(SAW)器件,是CATV和光通信等新型装置的关键器件.本文主要叙述500—1000MHz SAW器件的高精度频率调整.在制有SAW元件的石英基片上用磁控溅射法沉积一层超薄的SiO_2膜,通过控制膜的厚度和物理性质精确调整SAW器件的工作频率.把紫外光照射到这种超薄膜上,石英基片上的SAW相速发生变化,便能进行频率调整.在UHF频带内调整精度可达±10kHz,而器件的插入损耗的增加在1dB以下.     

国外简讯

1.2—2.4GHz SAW振荡器系列 美国安德森实验室公司利用SAW技术的优越性,制作出一系列SAW高频振荡器,其中心频率从1.2—2.4GHz,输出功率为+13dBm,幅度平整度为±2dB。 这些SAW振器的特点是:在0—+50℃温度下,频率稳定性为300ppm;在-45—+85℃的温度范围内,频率稳定性为200ppm。输出信号相对无噪声,谐波小于-30dB,假信号小于-60dB。在偏离中心频率1kHz处,SSB相位噪声小于-90dBc/Hz。 SAW振荡器从1.5V直流电源获得最大     

国外简讯

1.2—2.4GHz的SAW振荡器 美国布卢姆菲尔德州安德逊研究所研制的一系列以温度稳定性优良的石英为基片的SAW振荡器,可在1.2—2.4GHz的载频范围内工作。这些器件的输出功率为13dBm±2dB,频率偏移与温度的关系在-45—+85℃范围内为200ppm,谐波与二次谐波伪信号低于-60dBc,单边带相位噪声在偏离载频1kHz的频率处为—90dBc/Hz以下。这些器件中体积最大的为31.8×48.3×8.9mm。     

MBE生长的高质量AlGaAs/InGaAs双δ掺杂PHEMT结构的材料

用 MBE方法制备的 PHEMT微结构材料 ,其 2 DEG浓度随材料结构的不同在 2 .0— 4.0× 1 0 12 cm- 2 之间 ,室温霍耳迁移率在 50 0 0— 650 0 cm2 · V- 1· s- 1之间 .制备的 PHEMT器件 ,栅长为 0 .7μm的器件的直流特性 :Idss～ 2 80 m A/mm,Imax～ 52 0— 580 m A/mm,gm～ 32 0— 40 0 m S/mm,BVDS>1 5V( IDS=1 m A/mm) ,BVGS>1 0 V,微波特性 :P0 ～ 60 0— 90 0 m W/mm,G～ 6— 1 0 d B,ηadd～ 40— 60 % ;栅长为 0 .4μm的器件的直流特性 :Imax～ 80 0 m A/mm,gm>40 0 m S/mm.     

ZnO/IDT/金刚石结构SAW滤波器的设计和制作

传统材料制备的声表面波(SAW)滤波器的中心频率f大多位于较低的频段(f<500 MHz),但是无线通信频段逐渐向着高频化的方向发展,因此在SAW器件领域中引入高声速材料如金刚石以提高中心频率成为一种必然趋势。基于金刚石材料、采用ZnO/IDT/金刚石新型结构,设计了交错叉指结构和镜像阻抗连接结构的叉指换能器(IDT)参数。通过优化的工艺制备流程,获得了金刚石SAW滤波器样品。最后采用RF探针台对样品进行了性能测试和数据分析。测试结果表明制备的SAW滤波器样品的测试结果与理论值比较符合,交错叉指结构滤波器获得了很低的插损,镜像阻抗连接结构滤波器有效地提高了带外抑制度。样品IDT指宽2μm,SAW滤波器中心频率可达0.775 GHz。     

基于有限元分层级联技术SAW滤波器精确计算

针对任意复杂结构声表面波(SAW)器件精确快速分析及其内部多物理场耦合效应的精确表征问题,该文在充分考虑SAW器件实际存在的各种影响因素下,采用有限元分层级联算法推导出有限长结构SAW器件的有限元数学模型。基于全波仿真技术,考虑管座及键合线等封装模型电磁效应,对漏波型42°Y-X LiTaO₃温度补偿型声表面波(TC-SAW)器件进行计算,通过与实验结果对比,验证了计算模型的精确性,为高性能SAW器件的精确快速设计提供了支撑。     

声表面波器件用的压电陶瓷材料

如果一种材料被认为适合于作声表面波(SAW)器件,则材料的技术性能就必须满足一些基本的要求.这就是在+20到+60℃温度范围内低的声速温度系数(TC<70×10~(-6)/℃)、能保持阻抗高于50欧的低介电常数(ε<300)、能提供高清晰度电极结构的光滑表面.本文叙述了研究假四元系统Pb(Cu_(1/4)Nb_(3/4))O_3-Ph(Ni_(1/4)Nb_(3/4))O_3-PbTiO_3-PbZrO_3的三角晶相所得到的实验结果.Pb(Cu_(1/4)Nb_(3/4)_(0.067)(Li_(1/4))Nb_(3/4))_(0.023)Ti_(0.024)Zr_(0.67)O_3+0.5重量%MnO_2组成具有适合于SAW器件应用的最佳材料技术性能,其性能如下:耦合系数Kp=0.26介电常数ε=285机械品质因素Q=3600TC_ε=4.7×10~(-3)/℃TC_v=50×10~(-6)/℃老化速率V≤0.5×10~(-3)/+年ε≤2.2%/+年在这种组成的陶瓷基体上已经实现了电视中频(f_0=36兆赫)用的声表面波滤波器.与计算曲线相比较可知滤波器的通带、陷波的频率和斜率都很合适.只有陷波衰减和远端选择性在计算曲线和测量曲线之间有差别.     

表面氢化对SiC/金属接触的作用机理

提出 Si C表面氢化模型。以氢饱和 Si C表面悬挂键 ,减少界面态 ,从而制备理想的金属 /半导体接触 ,并将此模型用于 Si C器件表面处理 ,其优点在于避免了欧姆接触 80 0～ 1 2 0 0°C的高温合金 ,且肖特基接触整流特性较好。在 1 0 0°C以下制备了比接触电阻 ρc=5～ 8× 1 0 - 3Ω·cm2的 Si C欧姆接触和理想因子 n=1 .2 5～ 1 .3的肖特基结。与欧姆接触采用 95 0°C高温合金制备的 Si C肖特基二极管比较表明 ,表面氢化处理不仅能避免高温合金 ,降低工艺难度 ,而且能改善器件的电学特性。     

使用LiTaO_3单晶的SAW器件

用LiTaO_3单晶片制成了诸如SAW电视中频滤波器、电视广播发射机残余边带滤波器及用于视频磁带录像调谐器的SAW谐振器等多种SAW器件.这些器件现已投入批量生产和实际应用.它们的突出特点是温度稳定性好、传输损耗小、杂波响应小、重复性可靠性高并且适于批量生产.这一些远优于用其它材料作基片的器件,能很好地满足信息处理和通讯系统电子线路设计的要求.在这些成就中,在X切LiTaO_3晶体基片上发现的一种传输方向以及SAW级的LiTaO_3单晶生长技术的改进都起了极重要的作用.当SAW在X切的基片上沿旋转Y112°传播时,体波响应可抑制到-40分贝以下并且有很低的温度系数(～18ppm/℃)和适当的耦合系数(K~2约为0.75%).用铂铑坩埚和提拉技术沿X轴生成的SAW级的LiTaO_3单晶长达130毫米,直径达62—75毫米.     

真空蒸发、淀积、溅射、氧化与金属化工艺

Y98-61383-221 9904619金属化对 SAW 器件温度稳定性的影响=Influence ofmetalization on temperature stability of SAW devices[会,英]/Henry,E.& Ballandras,S.//1997 IEEE Ultra-sonics Symposium,Vol.1.—221～225(G)     

超大机电耦合系数声波谐振器的研究

该文研究了Pb(In1/2Nb1/2)O3 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 PbTiO3(PIN PMN PT)基片上声表面波（SAW）的传播特性。利用COMSOL软件建立SAW谐振器三维模型并进行模拟仿真。通过优化谐振器参数,设计了一种具有超大机电耦合系数（K2）的谐振器结构。结果表明,当欧拉角为（0°,-70°,0°）时,SH0模态的K2可优化到约85%,且通带内无寄生响应。     

基于层次级联模型的声表面波COM参数提取方法

该文研究了基于层次级联模型的耦合模(COM)参数提取方法。通过仿真42°Y-X LiTaO₃衬底的有限长声表面波(SAW)单端谐振器,提取COM参数及建立COM参数数据库,研制了一款1 200 MHz的三换能器混合结构的SAW滤波器。结果表明,实际制作器件响应和仿真幅频响应符合性好,验证了该文提取COM参数方法的可行性,可用于指导SAW滤波器设计。     

国外简讯

38.9MHz SAW滤波器 最近美国Thomson—ICS公司推出了用于高清晰度电视的FBH865型视频旁带解调SAW滤波器,其中心频率为38.9MHz;通带波纹为±0.25dB;群延迟变化为±20ns;邻信道抑制达50dB。滤波器备有24个管脚的双列直插式封装外壳(DIP)。器件适用于普通的电视广播系统。     

《压电与声光》1983年总目录

SAW振荡器在敏感元件方面的 声袈面波技术 应用-……………………………·5 79用斜指换能器设计宽带线性相位 声表面波器件在民用电子设备中 SAW滤波器—……··,…………·145 的应用…………………………… 6 12采用奇偶函数设计的声表面波电 对改进激光探针测试系统稳定性 视中频滤波器……………………2 21 的探索…………·,………………·6 24200兆赫宽带延迟线的研制—·二…··2 25 Insb/LINbos单片型声电放大器用三电极SAW延迟线和双平衡差 的研制状况—……………………·6 31 动放大器的FM振荡器及其设 …     

文摘选辑

(一)表声面波技术061 LiTaO_3单晶的SAW器件—(Hito-shi Hirano)《Ferroelectrics》421/4(1982)203—14用LiTaO_3单晶制作的SAW TV-IF滤波器,TV广播发射机用VSB滤波器,VTR调谐器用SAW谐振器等,都大量生产和投入实用.它们具有比用其它基片材料低的温度特性,传播损耗小、假响应小并有良好的重现性和可靠性.适用于信息处理和通信系统的要求.当SAW在X-切片上沿着Y-112°传播时,体波假响应信号可抑制到-40dB以下,温度系数～18ppm/℃.耦合系数(k~2)～0.75%.(声)     

国外简讯

1.2GHz的SAW器件 英国STC元件公司声称:该公司研制的SAW谐振器、振荡器和滤波器已经适用于70MHz—12.5GHz的频率范围。 STC元件公司的新型振荡器产品适用的工作频率为100MHz—1.2GHz。器件不需补偿,在-40—+85℃温度范围内稳定性可达±0.01％。 传统的包封可以满足特殊规格和环境要求。最新设计和制作的器件的技术指标为:电源12V;输出功率电平+5dBm;在1.0GHz载频偏置2.5kHz下SSB噪声为-100dBc/Hz;工作温度范围-55—+105℃;稳定性±0.03％。