应用细胞化学法与X—射线能谱仪对深低温停循环后脑神经细胞中Ca …

用草酸－焦锑酸钾细胞化学法显示深低温（１８℃）停循环（ＤＨＣＡ）在１２０ｍｉｎ后脑神经细胞内Ｃａ＾＋＋的分布及超微结的改变，同时利用Ｘ－射线能谱仪测量细胞内Ｃａ＾＋＋浓度以及停循环时应用１．６－二磷酸果糖（ＦＤＰ）保护液后细胞内Ｃａ＾＋＋浓度的变化，结果显示：（ＤＨＣＡ）１２０ｍｉｎ后脑神经细胞超微结构破坏严重，细胞内Ｃａ＾＋＋浓度明显增加，但在（ＤＨＣＡ）期间应用（ＦＤＰ）脑保护液后可以明业减轻     

应用细胞化学法与X-射线能谱仪对深低温停循环后脑神经细胞中Ca++浓度的定量研究

用草酸－焦锑酸钾细胞化学法显示深低温（１８℃）停循环（ＤＨＣＡ）１２０ｍｉｎ后脑神经细胞内Ｃａ＋＋的分布及超微结构改变，同时利用Ｘ－射线能谱仪测量细胞内Ｃａ＋＋浓度以及停循环时应用１．６－二磷酸果糖（ＦＤＰ）保护液后细胞内Ｃａ＋＋浓度的变化。结果显示：（ＤＨＣＡ）１２０ｍｉｎ后脑神经细胞超微结构破坏严重，细胞内Ｃａ＋＋浓度明显增加。但在（ＤＨＣＡ）期间应用（ＦＤＰ）脑保护液后可以明显减轻术后神经细胞内Ｃａ＋＋聚积与脑损伤，是（ＤＨＣＡ）下脑保护的可行方法。     

小鼠精子发生过程中的Ca￣（2＋）及Ca￣（2＋）－ATPase定位

利用电镜细胞化学方法，定位观察精子发生过程中的Ｃａ￣（２＋）及Ｃａ￣（２＋）－ＡＴＰａｓｅ变化，发现精原细胞的核内外均有弥散性的Ｃａ￣（２＋）分布，精母细胞，圆型精子细胞Ｃａ￣（２＋）主要分布在核膜，线粒体，胞质小囊，内质网，及细胞质膜上；变态期精子Ｃａ￣（２＋）则分布于精子顶体内膜与核膜之间。Ｃａ￣（２＋）－ＡＴＰａｓｅ在精子发生过程中则出现两次，一次是在精母细胞期，另一次是在变态期精子。     

CS2,SO2对亚稳态CO（a）的猝灭及化学发光

本文利用流动余辉技术测定了ＣＳ２、ＳＯ２对亚稳态分子ＣＯ（ａ）的电子态猝灭速率常数，实验中观察到ＣＳ２、ＳＯ２对ＣＯ（ａ）的猝灭产物ＣＳ（Ａ，ａ－Ｘ）、ＣＳ＾＋２（Ａ－Ｘ），ＳＯ（Ａ－Ｘ）的化学发光，讨论了猝灭和产物的形成机理测量得了产物的形成速率常数，获得了产物初生振动布居的信息，并用统计模型对态布居进行了分析。     

激光扫描共聚焦显微镜和Fluo—3／AM检测细胞内游离钙

利用细胞培养技术，Ｃａ２＋敏感荧光探针Ｆｌｕｏ－３／ＡＭ标记细胞，激光扫描共聚焦显微镜检测鸡胚胎巨噬细胞内游离钙浓度（〔Ｃａ２＋〕ｉ）的变化。结果显示细菌脂多糖（ＬＰＳ）可引起培养的鸡胚胎巨噬细胞内〔Ｃａ２＋〕ｉ升高，ＬＰＳ的作用可被维拉帕米部分抑制。本实验表明激光扫描共聚焦显微镜结合Ｆｌｕｏ－３／ＡＭ能准确迅速地检测单个或多个贴壁粘附细胞胞内〔Ｃａ２＋〕ｉ的动态变化，并同步观察细胞的形态及其荧光分布情况。     

La—Ca—Mn—O薄膜的巨磁效应

报道了Ｃａ掺杂量对Ｌａ－Ｃａ－Ｍｎ－Ｏ巨磁薄膜材料的巨磁效应影响，测量薄膜电阻（外磁场强度Ｈ＝０．５Ｔ）磁化强度，温度关系曲线，认为Ｌａ１－ｘＣａｘＭｎＯ３体系中Ｍｎ＾４＋的含量是由于掺杂量Ｃａ的调制Ｍｎ＾４＋的含量变化导致磁性结构转变，用双交换模型解释了该象现，对实验给出满意的解释。     

空间电荷限制电流法对a—Si：H隙态密度的测量

本文介绍了用于测量ａ－Ｓｉ：Ｈ隙态密度的空间电荷限制电流（ＳＣＬＣ）法，并报道了采用此方法对ＰＥＣＶＤ方法制备的ａ—Ｓｉ：Ｈ材料隙态密度的测量结果。对ｎ＋ａ—Ｓｉ：Ｈ／ａ—Ｓｉ１Ｈ／ｎ＋ａ—Ｓｉ：Ｈ结构的样品，测量得到费米能级上０．１６ｅＶ间的欧态密度分布为１０１５～１０１８（ｃｍ－３ｅＶ－１）。     

小鼠精子附睾成熟过程中Ca^2＋及Ca^2＋—ATPase的研究

利用焦锑酸钾方法和电镜酶组织化学定位方法，研究了小鼠精子在附睾成熟过程中的Ｃａ＾２＋及Ｃａ＾２＋－ＡＴＰａｓｅ变化。结果发现：附睾头中的精子内元Ｃａ＾２＋或极低，而Ｃａ＾２＋－ＡＴＰａｓｅ活性极强，可能是由于Ｃａ＾２＋－ＡＴＰａｓｅ的作用将Ｃａ＾２＋从精子内排出了精子外；在附睾体中，精子Ｃａ＾２＋－ＡＴＰａｓｅ活性降低，而Ｃａ＾２＋浓度迅速上升，并且发现Ｃａ＾２＋来自于附睾管细胞；到了附睾尾部，精     

BaO－P_2O_5和R_2O－BaO－P_2O_5系统磷酸盐激光玻璃RAP法除

研究了熔炼温度和气相反应剂（ＣＣｌ４，ＳＯＣｌ２和ＰＯＣｌ３）对ＢａＯ－Ｐ２Ｏ５（Ｎ２１）和Ｒ２Ｏ－ＢａＯ－Ｐ２Ｏ５（ＨＬＣ－５）系统磷酸盐激光玻璃ＲＡＰ法除水速率的影响．讨论了Ｎ２１和ＨＬＣ－５型玻璃中Ｎｄ３＋的荧光寿命与ＯＨ基含量的关系，井对除水前后玻璃的激光性能和物理性质进行了比较。     

离子注入半绝缘GaAs电激活效率与电激活均匀性的研究

研究了Ｓｉ＾＋和Ｓｉ＾＋／Ａｓ＾＋注入到Ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ Ｂｒｉｄｇｍａｎ（ＨＢ）和Ｌｉｑｕｉｄ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｅｄ Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ（ＬＥＣ）方法制备的半绝缘ＧａＡｓ衬底电激活效率与均匀性。结果发现：在相同条件下（注入与退火）,不同生长方法的半绝缘ＧａＡｓ衬底电激活不同,通常电激活ＨＢ〉ＬＥＣ,ＨＢ ＳＩ－－ＧａＡｓ（Ｃｒ）（１００）Ａ面〉（１００）Ｂ面,Ｓｉ＾＋／Ａｓ＾＋双离子     

Hg系高温超导体的电子显微镜研究

Ｈｇ系高温超导体的电子显微镜研究邵贝玲，王晓华，刘安生，宿延京，曹国辉，赵忠贤（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）（北京科技大学，中科院物理所国家超导中心）具有高临界转变温度的Ｈｇ系列高温超导体ＨｇＢａ＿２Ｃａ＿（ｎ－１）Ｃｕ＿ｎＯ＿（２ｎ＋２...     

掺Y~（3＋）、La~（3＋）的（Sr，Ca）TiO_3系多功能陶瓷

用稀土离子Ｙ（３＋）、Ｌａ（３＋）对（Ｓｒ，Ｃａ）ＴｉＯ３掺杂，以Ｂａ－Ｓｉ－Ａｌ玻璃为助熔剂，在１３５０～１４５０℃还原性气氛中烧成，获得工艺性能良好、烧结温度较低、晶粒电阻率低（１０（－２）Ω·ｃｍ）、非线性高（α达１０以上）的陶瓷材料。在制备过程中省略了以往用碱金属离子涂覆并进行热扩散的工序。用缺陷化学理论，根据测量的ＩＣＴＳ谱、Ｉ－Ｖ特性和Ｃ－Ｖ特性系统研究了Ｙ（３＋）、Ｌａ（３＋）掺杂对晶粒半导化、压敏特性和介电特性的影响。热处理过程中，Ｏ－的化学吸附是这类陶瓷产生晶界势垒的主要原因。     

高压超高压榴辉岩中绿辉石的超微构造研究

高压超高压榴辉岩中绿辉石的超微构造研究＊吴秀玲１，２孟大维１，２韩郁菁１韦必则１杨巍然１（１．中国地质大学，武汉４３００７４２．中国科学院金属研究所固体原子像开放研究实验室，沈阳１１００１５）绿辉石［（Ｎａ，Ｃａ）（Ｍｇ，Ｆｅ，Ａｌ）Ｓｉ２Ｏ６］为榴...     

菠菜和黄瓜捕光复合体Ⅱ的二维结晶

菠菜和黄瓜捕光复合体Ⅱ的二维结晶＊张兴１徐伟１，２邢力１娄世庆３赵福洪３匡廷云３黄有国２杨福愉２＊国家自然科学基金资助项目（１中科院北京电镜实验室２中科院生物物理研究所３中科院植物研究所）光系统Ⅱ捕光叶绿素ａ／ｂ复合体（ＬＨＣ－Ⅱ）是高等植物叶绿体类...     

小鼠精子获能及顶体反应过程中Ca^2＋及Ca^2＋—ATPase的研究

利用焦锑酸钾电镜定位Ｃａ＾２＋的技术，及铅捕获法定位细胞Ｃａ＾２＋－ＡＴＰａｓｅ的技术，研究小鼠了获能及顶体反应过程中Ｃａ＾２＋及Ｃａ＾２＋－ＡＴＰａｓｅ的变化，结果表明，获能前精子顶体囊外缘有Ｃａ＾２＋分布，顶体膨胀时，Ｃａ＾２＋消失，开始顶体反应时，顶体外膜，顶体囊泡及顶体后区有Ｃａ＾２＋分布，顶体反应后，仅顶体后区有Ｃａ＾２＋分布精子尾部线粒体及轴丝始终有Ｃａ＾２＋分布。     

激光二极管泵浦的固体激光新材料LaBGeO_5－Nd~（3＋）

激光二极管泵浦的固体激光新材料ＬａＢＧｅＯ＿５－Ｎｄ￣（３＋）１．ＬｎＢＧｅ２Ｏ４（Ｌｎ＝Ｌａ－Ｅｒ和Ｙ）在结构上分为两类。有较大Ｌｎ（Ｌａ－Ｐｒ）者具有ＣｅＢＳｉＯ５的非对称结构（Ｃ２３—Ｐ３１空间群），有较小Ｌｎ（Ｇｄ－Ｅｒ和Ｙ）者具有ＣａＢＳｉ...     

YBa2Cu3O7／PBa2Cu3O7多层膜微结构的高分辨电镜研究

ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７／ＰＢａ２Ｃｕ３Ｏ７多层膜微结构的高分辨电镜研究刘维张云孙吉军＊赵柏儒＊李林＊（中国科学院物理研究所，＊国家超导实验室，北京１０００８０）通过改变非超导层的厚度，可以有效地调节超导薄膜的各向异性，所以多层膜的制备和研究能够加深对层状...     

ZrO_2双晶衬底上生长的YBaCuO超导薄膜晶界结显微结构研究

ＺｒＯ２双晶衬底上生长的ＹＢａＣｕＯ超导薄膜晶界结显微结构研究俞大鹏戴远东王世光胡晓东王守证熊光成连贵君王永忠张泽＊（北京大学物理系，北京１００８７１＊中科院北京电子显微镜实验室，北京１０００８０）在不同取向的双晶衬底上生长ＹＢａＣｕＯ超导薄膜（超导...     

小鼠精子发生过程中的Ca^2＋及Ca^2＋ATPase定位

利用电镜细胞化学方法，定位观察精子发生过程中的Ｃａ＾２＋及Ｃａ＾２＋－ＡＴＰａｓｅ变化，发现精原细胞的核内外均有弥散性的Ｃａ＾２＋分布，精母细胞，圆型精子细胞Ｃａ＾２＋主要分布在核膜，线粒体，胞质小囊，内质网，及细胞质膜上；变态期精子Ｃａ＾２＋则分布于精子顶体内膜与核膜之间。Ｃａ＾２＋－ＡＴＰａｓｅ在精子发生过程中则出现两次，一次是在精母细胞期，另一次是在变态期精子。     

S_2Cl_2钝化的GaAs表面的同步辐射光电子能谱研究

前已发现，将ＧａＡｓ（１００）晶片浸入Ｓ２Ｃｌ２或Ｓ２Ｃｌ２＋ＣＣｌ４溶液是实现ＧａＡｓ表面钝化的一种有效途径．用同步辐射光电子能谱研究这种表面能直接测量Ｓ２ｐ芯能级谱，从而揭示，在浸泡后的表面存在多种形态的含硫化合物．ＡｓｘＳｙ是其中的主要成分，但轻度退火就能去除．随着退火过程中Ｓ原子从Ａｓ－Ｓ转移到Ｇａ－Ｓ，Ｇａ３ｄ谱中始终出现两个与Ｇａ－Ｓ相关的分量，表明稳定的钝化同表面Ｇａ－Ｓ键的存在联系在一起