Cu掺杂的ZnO纳米号角的制备、表征和生长机制

本文采用简单的物理气相沉积法制备了形貌新颖、产量较高的Cu掺杂ZnO单晶纳米号角.运用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨电子显微镜(HRTEM)和X射线能谱仪(EDS)对纳米号角进行了结构和成分表征,建立了结构模型.号角的六个对称的倒梯形侧壁围成了倒六棱雏的空腔,生长方向是[0001],棱锥面是(01-10)晶面.提出了纳米号角可能的生长机制,指出Cu可能是纳米号角生长的催化剂.     

基于氧化镓纳米线阵列的气体探测器研究

氧化镓材料的电导在高温(400℃以上)下随环境气氛显著变化的电学性质可用于汽车尾气成分的检测。相比于薄膜材料,氧化镓纳米线阵列具有更大的比表面,增加了与待测气体接触面积,有可能大幅提高探测器的灵敏度。本文直接利用生长在衬底上的图形化氧化镓纳米线阵列制成气体探测元件,初步分析了纳米线未掺杂和掺杂条件下其对还原性气体的浓度变化的响应,探讨了反应过程的机理,为后续研究打下了基础。     

纳米钙化物棒的电子显微学研究

纳米钙化物棒的电子显微学研究徐晓林俞大鹏冯孙齐段晓峰＊张泽＊（北京大学物理系，北京１００８７１＊中科院北京电子显微镜实验室，北京１０００８０）随着科学技术向低维和介观尺度发展，对微观尺度的物理现象，如纳米尺度的结构，光谱与能谱特征等提出了越来越高的要...     

掺杂机制的电子能量损失谱（EELS）研究

近年来宽禁带半导体的研究发展十分迅速。P型掺杂及稀磁掺杂问题都是目前研究的热点。例如：氧化锌（ZnO）的P型掺杂，氧化锌、氮化镓的过渡金属元素掺杂等等。虽然实验上取得了一定的进展，但其掺杂机制并不十分清楚。尽管理论上已经有很多相应的掺杂模型，但如何从实验上确定实际样品中杂质原子所处的原子位置并不容易，因而理论模型也就难以得到验证。在本工作中，我们给出一种电子能量损失谱理论计算和实验相结合来确定杂质原子所处的原子位置的方法。这种方法并不仅仅局限于对掺杂机理的研究，还可以推广到其它缺陷的研究，如：空位、界面、位错等。     

基于Ti掺杂硅量子点的MOSFET结构的电子显微学表征

通过自组装生长并结合两步退火处理,在SiO2表面得到了Ti掺杂的Si纳米晶粒量子点.采用高分辨显微分析方法,X射线能谱线扫描和Z衬度扫描透射显微方法对一系列横截面样品进行详细研究,得到了量子点内部的成分分布,相关的试验数据吻合一致,验证了Si量子点MOSFET的结构模型.     

氨化Ga2O3和金属Ga粒混合镓源制备高质量GaN纳米线

在管式炉中用化学气相沉积(CVD)法在高温下用金做催化剂,首次通过氨化Ga2O3和金属Ga粒组成的混合镓源制备出高质量的GaN纳米线.运用SEM,TEM,XRD以及Ramah,PL等表征手段分析了氮化镓纳米线的形貌、结构以及发光性质.最后着重探讨了通过改变镓源的构成、氨化温度以及镓源和生长衬底间的距离等生长条件,研究了...     

ZnO纳米棒中结的透射电镜研究

本文采用化学气相沉积法制得大量ZnO纳米棒,利用会聚束电子衍射(CBED)研究了纳米棒的生长方向,验证了纳米棒在生长过程中产生碰撞.通过TEM研究发现,纳米棒沿c轴生长,碰撞形成的晶界并不是一个随机取向的大角晶界,为了降低能量,晶界具有孪晶关系.晶界的存在导致晶体产生缺陷生长,使纳米棒的结的附近区域长粗.     

半导体纳米线的掺杂与显微结构研究

掺杂是非常重要的半导体技术,通过掺杂可以根本改变半导体的性质,实现功能器件,是现代微电子技术的基础。半导体纳米线研究引起了越来越多科学家的兴趣,因为纳米线不仅是低维物理关注的热点,也是构建纳米器件及更复杂系统的基元。我们通过在ZnO纳米线中进行Mn掺杂,获得了铁磁ZnMnO纳米线。另外,通过氨气氛中热处理,可以使Ga2O3纳米线转变成为GaN纳米线。在上述工作图1喇曼分析表面,通过氨气氛退火,可以使Ga2O3纳米线转变成为GaN纳米线。的启发下,利用类二步掺杂、转变方法,获得了高Mn含量的GaMnN纳米线,其居里温度高于室温。利用XR…     

氧化镓纳米带的制备研究

纳米带是继纳米线、纳米管之后 ,最新报道的又一种准一维纳米结构。文中介绍了 Ga2 O3纳米带制备的新方法。这种方法与首次报道的纳米带的生长方法有很大不同。用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对产物形貌进行了分析 ,纳米带宽约 5 0 0 nm,厚度约 1 0 nm,宽度 /厚度比大于 2 0。选区电子衍射 (SAED)分析表明 ,产物是纯净的 Ga2 O3单晶。实验还发现了一些特殊形态的纳米结构 ,如纳米片等 ,证明了纳米带是一种常见并稳定存在的形态。最后 ,根据实验现象对纳米带的生长机制进行了初步的分析与讨论。