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通过温度压力改变,使整个LEC-GaAs单晶生长过程As损失最小。获得了化学配比较好的SI-GaAs单晶。单昌表面离和,特别是单晶尾部结构缺陷也少。分析了LE-CSI-GaAs单晶生长过程As的挥发和生长环境压力对生长的单昌位错密度的影响。 相似文献
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报道了对LEC法生长的SI-GaAs单晶热稳定性检测结果,在800℃以上温度条件下退火,发现GaAs单晶的热稳定不但与处理的条件有关,还与单晶中杂质C的含量有关。 相似文献
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利用汽压控制直拉法,成功地生长了InP和GaAs单晶,其位错密度十分低,比液封直拉法生长的单晶要小一个数量级。VPEGaAs衬底的乘余应力是LEC衬底的1/4。当分子束外延生长时,产生的滑移位错在VCZ衬底上得到明显改善。在S掺杂的VPRInP晶体上没有滑移位错。在这种衬底上生长的VPEInGaAs外延层显示出几乎没有传播位错,而且漏电流极小。 相似文献
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比较了掺In和非掺杂LEC-GaAs晶体中的EL2缺陷,分析了掺In量的不同与热处理过程的不同对LEC-GaAs晶体中EL2缺陷的影响。 相似文献
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试图从器件应用角度来评价空间生长半绝缘GaAs单晶性能。为此我们选择了设计制备相对成熟、对材料性能要求的侧重面又不尽相同的器件和IC,并选择了六个与材料关系密切的参数作为评价的标称参数。实验结果表明,空间生长的半绝缘GaAs单晶的全面电性能均优于常规IEC半绝缘GaAs单晶。 相似文献
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提高GaAs晶体质量的一种重要手段 总被引:1,自引:1,他引:0
在CZ法晶体生长工艺中引入磁场是一门新技术,它使得生长高质量大直径单晶成为可能。本文介绍了纵向磁场和横向磁场对GaAs晶体质量的影响,重点介绍了对熔体中的温度波动、晶体中的生长条纹、EL2和电阻率分布等的影响。 相似文献
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利用MR358单晶炉进行LEC GaAs单晶试制,采用原位合成工艺,不规则形状控制系统自动控制单晶的生长,对晶锭进行退火处理前后所做的电学及晶体完整性测试结果表明,退火明显改善了晶体的电学均匀性,消除了晶体内残余的热应力。 相似文献
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利用MR358单晶炉进行LECGaAs单晶试制,采用原位合成工艺、不规则形状控制系统自动控制单晶的生长。对晶锭进行退火处理前后所做的电学及晶体完整性测试结果表明,退火明显改善了晶体的电学均匀性,消除了晶体内残余的热应力。 相似文献
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双平面掺杂AlGaAs/InGaAs功率PHEMT陈效建,刘军,李拂晓,郑雪帆,华培忠(南京电子器件研究所,210016)Double-planar-dopedAlGaAs/InGaAsPowerPHEMT¥ChenXiaojian;LiuJun;L... 相似文献
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研究了Si^+和Si^+/As^+注入到Horizontal Bridgman(HB)和Liquid Encapsulated Czochralski(LEC)方法制备的半绝缘GaAs衬底电激活效率与均匀性。结果发现:在相同条件下(注入与退火),不同生长方法的半绝缘GaAs衬底电激活不同,通常电激活HB〉LEC,HB SI--GaAs(Cr)(100)A面〉(100)B面,Si^+/As^+双离子 相似文献
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在CZ法晶体生长工艺中引入磁场是一门新技术,它使得生长高质量大直径单晶成为可能。本文介绍了纵向磁场和横向磁场对GaAs晶体质量的影响,重点介绍了对熔体中的温度波动、晶体中的生长条纹、EL2和电阻率分布等的影响。这门技术目前在国际上得到了广泛的应用。 相似文献
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本文以热处理方法研究了LECSI-GaAs中EL2径向分分布变化规律,着重研究了不同的热处理后冷却方式对EL2分布均匀性改善程度的影响,讨论了LECGaHs中EL2分布不均匀性的起源及热处理改善EL2分布均匀性的机理. 相似文献
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本文讨论了GaAs电路和SiECL电路的输入输出接口问题,对GaAs电路中BFL、DCFL、SDFL等电路形式的典型输入输出接口电路进行了分析研究,用电路模拟程序计算并给出了BFL输入输出接口电路的转移特性曲线。 相似文献
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在建立的理论模型基础之上,定量地分析了EL2能级对GaAs MESFET夹断电压的影响,指出位于本征费米能级以下的EL2能级是影响GaAs MESFET夹断电压大小的主要因素,EL2能级对GaAs MESFET夹断电压的影响程度与EL2能给的缺陷密度呈线性关系。 相似文献