金刚石薄膜的红外增透性

以 CH_3COCH_3/H_2为工作气体,用 HFCVD 方法,制备出适用于红外光学的金刚石薄膜。用 SEM 观察到了所制备膜的表面晶形。讨论了金刚石薄膜的红外增透性。     

一种新型的高噪声抑制比及高温度稳定性的基准电压产生器

基准电压源 (或基准电流源 )在CMOS模拟电路中被非常广泛地采用 ,因其在一定的温度范围内随温度的变化很小。本文介绍一种新型的CMOS基准电压产生器 ,采用CSMC6 0工艺和5 0V的工作电压 ,在 - 10℃到 +85℃的温度范围内 ,它能够产生约为 95 8± 3 5mV的基准电压 ,而且此基准电压在低频时的电源噪声抑制比PSRR达 15 5dB ,可以为各种中低功耗的CMOS集成电路提供稳定的工作电压     

减小CMOS电路同步开关噪声的设计方法探讨

随着集成电路的快速发展，同步开关噪声对系统电学性能的影响越来越大。本文介绍了一种减少同步开关噪声的设计方法，即基于对同步开关噪声简化模型的分析，采取先去除直通电流再降低输出级的电压变化率方法减小同步开关噪声，并通过时序控制逻辑电路和可控电压变化率电路来实现。     

DLC膜改善扬声器性能的研究

本文介绍了在普通扬声器上涂覆ＤＬＣ膜的工艺，并测试了其性能，结果表明ＤＬＣ膜对扬声器的性能有明显改善。     

非金刚石相碳成分对金刚石薄膜晶形的影响

应用Raman光谱和SEM方法研究了在用热丝CVD方法生长金刚石薄膜中,生长膜中非金刚石相碳成分对金刚石晶粒晶形的影响。还讨论了生长条件如碳源浓度、衬底温度等对生长膜中非金刚石相碳成分的影响     

a—Si：H／c—Si异质结的高频C—V特性

测量了GD a-Si:H/n-c-Si异质结的高频C-V特性,由平带电压的偏移,计算了有效表面电荷和表面态密度,应用突变异质结能带模型对结果作了分析.     

金刚石薄膜的红外吸收谱研究

研究了热丝CVD金刚石薄膜的红外反射吸收谱,讨论了金刚石薄膜中H、N等杂质和晶粒晶型、晶粒尺度对膜红外透过率的影响。     

氢化非晶硅在器件表面钝化工艺上的应用

氢化非晶硅具有半绝缘、富含氢和电中性等特点。本文概述了非晶硅的表面钝化工艺及其钝化效果,对其钝化机理也进行了讨论.     

旁栅电压下MESFET沟道电流的低频振荡

通过测试不同旁栅电压条件下的MESFET沟道电流的低频振荡现象,发现旁栅偏压无论朝正向还是负向变化都存在一个阈值可消除此低频振荡.并从理论上探讨了出现这种现象的原因,初步认为这与沟道衬底(C-S)结的特性和高场下衬底深能级EL2的碰撞电离有关.