栅极长度变化对有机静电感应晶体管工作特性影响解析

根据实际制作的有机静电感应晶体管(OSIT)建立物理模型,选取相应的结构参数,应用有限元法,对OSIT导电沟道内的电势进行离散化数值分析.依据导电沟道内的电势分布,分析了栅极长度变化对OSIT工作特性的影响.     

垂直结构酞菁铜薄膜晶体管的工作特性测试

传统有机材料的场效应晶体管(FETs)具有工作速度低、驱动电压高的缺陷,针对这个问题,垂直结构的酞菁铜(Cu Pc)有机薄膜晶体管(VOTFTs)被制备,整个制备过程采用真空蒸镀和直流磁控溅射镀膜工艺.器件的层叠结构为Au/Cu Pc/Al(半导电)/Cu Pc/Au.其中半导电Al栅极薄膜的制备是十分重要的.VOTFT通过栅-源极偏压改变肖特基势垒高度来调制沟道电流.在室温下对其进行基本的电气测量.实验结果表明器件的静态输出特性具有不饱和性.漏-源极偏压VDS保持在2 V时,在栅-源极上施加频率为100 Hz的方波交流信号,得到器件的开关特性参数为ton=2.68 ms,toff=1.32 ms.在栅-源极上施加正弦波交流信号时,器件的截止频率和放大带宽分别为400 Hz,400 Hz.可知VOTFT具有工作频率高,响应速度快,电流密度大的优点.     

沟道宽度对有机静电感应三极管工作特性的影响

对于实际有机静电感应晶体管(Organic Static Induction Transistor,简称OSIT)器件,采用Marc有限元法建立物理模型,选取合适的结构参数,对OSIT导电沟道内的电势进行离散化数值分析.依据导电沟道内的电势分布,分析沟道宽度变化对OSIT工作特性的影响.在恒定栅压和漏压下,宽度的增大会使栅极对鞍部点控制能力减弱,沟道内势垒降低,从而导致工作电流的增大.该结论可为如何获取良好的OSIT输出特性提供依据.     

空穴注入层对OLED性能的影响

通过实验研究了不同种类的空穴注入层材料对有机电致发光器件（OLED）性能的影响，将酞菁铜（CuPc）、2T-NaTa和TcTa分别作为空穴注入层材料制备了3种器件，然后测试器件的电流-电压特性、高度-电压特性及发光效率-电压特性，并进行了对比．结果发现用CuPc、2T-NaTa和TcTa作为空穴传输层的3种器件的流明效率最大值分别为2．94cd／A，2．4cd／A和18cd／A；2T—NaTa作为空穴注入层的器件的启亮电压最低．由此得出结论：在实验研究的3种材料中，2T—NaTa最适合作为空穴传输层．     

MFSM结构铁电薄膜系统I-V特性研究

为制备符合铁电场效应晶体管(FFET)及铁电存储二极管(FMD)要求的高质量铁电薄膜,采用激光脉冲沉积方法(PLD)制备了Au/PZT/p-Si/Au和Au/PZT/BIT/p-Si/Au多层结构的两种铁电薄膜系统.分析表明,在不同的电压范围,起主导作用的导电机制不同:电压低于1V时,漏电流遵循欧姆定律,电压在2.2～3.0V时,空间电荷限制电流(SCLC)占主导地位.I-V特性曲线的结果表明Au/PZT/BIT/p-Si/Au结构比Au/PZT/p-Si/Au结构的漏电流密度低两个数量级,I-V特性曲线回滞窗口增大0.3V,这说明PZT铁电薄膜与Si衬底之间加入BIT铁电层有助于降低漏电流密度,增大I-V回线的回滞窗口.     

ITO／CuPc／Alq3／Al有机发光二极管的制备与特性测试

利用真空直流溅射和真空蒸镀的方法，制备了结构为ITO／CuPc／Alq3／Al结构的绿光双层有机发光二极管（OLED），对器件的电学特性和电致发光特性进行了测试．结果表明，器件呈现良好的光电性能，发光强度达到6．0×10^5cps，发光光谱在波长510nm时光谱相对强度为2641I／a．u．     

垂直结构ZnO薄膜晶体管制备与工作特性

针对目前发表的氧化物薄膜晶体管的研究成果中,存在着驱动电压高,工作电流小的问题,制备了垂直结构的氧化锌薄膜晶体管.器件制备是以石英玻璃为衬底,采用磁控溅射工艺,以氧化锌薄膜为有源层.测试结果表明,制备的晶体管驱动电压低、工作电流大、载流子迁移率高.在偏压条件VGS为0.2 V,VDS为3 V时,漏源极电流IDS达到9.15 mA,开启电压Vth仅在1.35 V左右,可以作为有机发光二极管的驱动单元,具备了实用化特性.     

单极型有机静电感应三极管沟道纵向电势分析

研究了单极型有机半导体酞菁铜静电感应三极管（OSIT）导电沟道内纵向电势分布．依据电磁场理论,应用有限元法对其导电沟道内的电势分布进行了数值计算与解析．解析结果证明,导电沟道内鞍部点附近纵向的一维电势分布满足二次方关系．     

铁酸铋薄膜在小于矫顽电压下的阻变机制

为了研究利用脉冲激光沉积法制备于SrTiO_3衬底上的Au/BiFeO_3/SrRuO_3结构的阻变效应,实验通过测量样品的I-V特性曲线来表征样品的阻态变化.由于BiFeO_3与Au、SrRuO_3功函数的不同在Au/BiFeO_3、BiFeO_3/SrRuO_3两个接触界面形成稳定的肖特基接触,通过改变外部电压控制陷阱能级填充的程度可以改变肖特基势垒高度,从而在施加电压小于矫顽电压时可以形成稳定的高低阻变化,表现出最大可达103高低阻电流比的I-V特性曲线.对I-V特性曲线进行不同导电机制的拟合表明:小于矫顽电压下空间电荷限制电流起到了主导作用,陷阱的填充与脱陷是主要的阻变机制.     

Pentacene掺杂C60层迁移率对 有机太阳电池性能的影响

采用高真空蒸发的方法,在Indium—tin—oxide（ITO）玻璃上制造了Pentacene掺杂的Copper（Ⅱ）phthalocyanine（CuPc）／fullerene（C60）有机太阳电池。迁移率测量结果表明,掺杂Pentacene在C60层有效改变了太阳电池受主层的栽流子迁移率。在AM1-5太阳光照下测量器件的电流一电压特性,结果显示,太阳电池的能量转换效率与载流子迁移率密切相关。     

Studying the operation characteristics and structure of vertical channel copper-phthalocyanine organic semiconductor transistor

The creation of Au/CuPe/Al/CuPc/strueture is a perpendicular type electricity found in the channel of organic static induction transistor. In the following we analyze transistor operation characteristics and machine structural relation. The results express that the transistor drives the voltage low and has no-saturation currentvoltage characteristics. Its operation characteristics are dependant on gate bias voltage and the construction of the aluminum eleetrode. The vertical ehannel of organic static induction transistor （OSIT） , with structure of Au/CuPc/Al/CuPc/ Cu, has been determined. According to the test results, the relation of its operation characteristics aud device structure was analyzed. The results show that this transistor has a low driving voltage and unsaturation Ⅰ-Ⅴ characteristies. Its operation characteristics are dependant on gate bias voltage and the structure of the aluminum electrode.     

酞菁铜薄膜光电晶体管的制备与特性

无机光敏器件难于做成大面积光电传感器,且其生产成本高、工艺复杂,而有机光敏器件多采用二极管或平面场效应三极管结构,导致光电流增益小或驱动电压较大.针对这些问题,提出一种新的器件结构.采用真空蒸镀和溅射的方法,制备了结构为氧化铟锡(ITO)/酞菁铜(Cu Pc)/铝(Al)/酞菁铜(Cu Pc)/铜(Cu)的有机光电晶体管.对器件的光电特性进行了测试分析,结果显示晶体管的I-V特性表现出显著的不饱和特性和光敏特性.当发射极集电极偏压为3 V时,器件无光照时电流放大系数为16.5,当625 nm光照射时的电流放大系数为266.2.     

Preparation and operation characteristics of organic semiconductor transistor using thin film Al gate and copper phthalocyanine

Semiconductor characteristics were detected inphthalocyanine dye in 1948. The research of organicsemiconductors was then standardized, especially theresearch of the electron state of organic crystals. Theresearch of organic electric material has continued for50 years, and remarkable achievements have beenmade in organic metal, organic superconduction and or-ganic electroluminescence.In the research of the organic semiconductor tran-sistor, the structure of the organic thin film transistoranaly…     

有机静电感应三极管交流小信号检测电路设计

针对有机静电感应三极管动态特性的检测,设计微电流检测电路.电路的电流检测范围10-9～10-6A,频率范围20kHz.根据已制备的酞菁铜有机薄膜静电感应三极管的电气参数,建立小信号等效电路来分析有机薄膜静电感应三极管的特性,并对等效电路的动态特性进行了仿真.通过仿真结果与实测结果一致性,证实了检测电路和等效电路的可行性,并根据仿真结果提出了改进器件动态性能的方法:减小极间电容,提高电导率.     

喹啉铝/酞菁铜发光三极管的研制

研制了具有静电感应三极管结构的有机电致发光三极管,用有机半导体酞菁铜和有机发光材料喹啉铝蒸发膜为作用层,其结构为金/酞菁铜/铝/酞菁铜/喹啉铝/ITO透明电极/玻璃基板.测试了其基本电、光学特性.由测试结果可知,较低的栅极偏压可控制由源极注入到喹啉铝发光层的载流子.通过合理设计、控制制作梳状铝栅极结构,获得了高速、大电流驱动等良好工作特性.     

Low temperature properties of organic-inorganic Ag/ p -CuPc/ n -GaAs/Ag photoelectric sensor

A thin organic film of p-type semiconducting copper phthalocynanine (CuPc) was deposited by vacuum evaporation on an n-type GaAs single-crystal semiconductor substrate. The fabricated Ag/p-CuPc/n-GaAs/Ag sensor was carried through an ageing process to stabilize the parameters. Voltage-current characteristics and photoelectrical response of the sensor were investigated at a wide temperature range of 82 to 350 K. Photoelectric characteristics were measured under nonmodulated filament-lamp illumination. It was observed that such sensor parameters as rectification ratio, threshold voltage, junction, shunt and series resistances, open-circuit voltage and short circuit current are temperature-dependent. It was found that wide-range voltage-current characteristics of the sensor may be described similarly to that of a Schottky barrier diode. Using the experimental data on voltage-current characteristics and absorbance of the CuPc films, the energy-band diagram of the p-CuPc/n-GaAs heterojunction was developed. It was shown that data obtained from simulation of an equivalent circuit of photoelectric sensor agreed with experimental results. Supported by the National Engineering and Scientific Commission of Pakistan     

MoO3源漏电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的影响

以并五苯(pentacene)作为有机薄膜晶体管(OTFTs)的载流子传输层,采用比常用金电极(Au)廉价的Ag作为源漏电极,在pentacene与Ag之间添加MoO3超薄层作为缓冲层,制备了具有较高场效应迁移率(μ)的晶体管器件。结果表明,器件在栅极电压VG为40 V时,传输电流IDS超过了50 μA,空穴迁移率达到0.26 cm2/Vs。同时,从器件的输出特性与物理机制分析了MoO3缓冲层在器件中的作用。