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1.
提出了一种锁相环快速锁定的方案,在传统锁相环基础上,额外设置辅助充电模块,此模块可实现在输入参考时钟与反馈时钟频率差距较大时,提供大电流对滤波器中的电容充电,在临近锁定状态时退出快速锁定模式切断充电通路,因此极大地缩短了的锁定时间,并基于电路仿真验证了方案的可行性与稳定性。  相似文献   
2.
利用有限元分析软件ANSYS对长方形和圆形两种霍尔器件的工作状态进行模拟,分析霍尔片(霍尔器件工件区域)结构尺寸与霍尔器件灵敏度的关系,研究形状对器件灵敏度的影响.结果表明:圆形霍尔片灵敏度比长方形霍尔片的高,当圆形霍尔片的半径与厚度比值为15时,灵敏度最高.  相似文献   
3.
为改进传统的教学方式,用信息化时代的新技术、新手段来提高教学水平和教学质量,介绍微电子工艺计算机辅助教学(CAI)系统设计及开发过程.系统主框架采用Borland公司的Delph i软件开发,同时也使用了F lash、Photoshop、F ireworks等辅助工具.  相似文献   
4.
宋明歆  殷景华  贺训军  朱敏  曹一江   《电子器件》2007,30(5):1547-1551
介绍了一种基于扭转的新型低压电容式RFMEMS开关的设计.此开关在保留传统挠曲变形的基础上,引入了扭转变形,并利用Intelli Suite等软件进行仿真分析.理论分析和仿真结果表明:与传统弯曲变形不同,在扭转变形中,变形对臂的厚度远比宽度敏感;在保留传统挠曲变形的基础上,增加了扭转变形,将有效降低驱动电压.理论分析还表明增长扭转臂、从动臂可使驱动电压明显下降.通过优化结构设计,在扭转臂、从动臂长为180μm、120μm,臂宽为5μm,厚为1μm,驱动电极面积为120μm×120μm时,仿真得到驱动电压为1.5V.  相似文献   
5.
提出并设计一种采用绝缘液体充填封装的RF MEMS开关,分析其工作原理,并以高压油、蓖麻油、甘油为绝缘液体充填封装,仿真分析绝缘液体对RF MEMS开关的驱动电压、冲击速度、响应时间、开关电容等方面的影响。结果表明:绝缘液体充填封装有效地将驱动电压降为原来的1/εr,降低上极板对下极板的冲击速度。对3种液态封装材料性能分析,蓖麻油效果最好:阈值电压下降了一半,约为10 V;当驱动电压为20 V时,响应时间为40.6μs,优于高压油(91.3μs)、甘油(89.9μs),冲击速度约为1.26 m/s。  相似文献   
6.
设计了一款低功耗带隙基准,通过引入在温度超过某一温度之后的渐变阻抗,改善了带隙基准的温漂值,同时对传统的带有运放的带隙做出了改进,设计了一款低功耗的结构。仿真结果表明,在电源5 V供电情况下,总体功耗为1.2μW,在温度范围-40℃~150℃,温漂为6.40 ppm/℃。  相似文献   
7.
为了降低RF MEMS开关的驱动电压,根据扭转力学和应变力学理论,提出了基于扭转RF MEMS的开关模型,建立了相关数学公式,给出了加工工艺流程,并仿真得到了不同条件下RF MEMS开关的电机械性能.工艺仿真结果表明:完全可以利用已有生产流程制造基于扭转的RFMEMS开关.性能仿真结果表明:在同等条件下,采用扭转机制,RF MEMS开关的制动电压将降低30%.  相似文献   
8.
研究微机电系统中的功率消耗优化问题。微机电系统中利用折叠梁开关中的电容充放电控制一些大型的电路,当开关需要驱动较为复杂的电路时,为达到驱动效果,开关需要较大弹性系数的电容。传统的微机电系统工作原理中,电容的弹性系数和驱动电压成正比。过大的电容弹性系数将导致驱动电压过大,消耗的有效功率过高。为此,提出一种弹性敏感动态参数优化方法。通过建立折叠梁开关电容弹性系数的动态估计模型,确定功率的变化敏感性,通过充分研究电容弹性系数的动态估计模型,确定系统功耗与弹性系数的关联程度,保证参数时域内达到最优。实验表明,改进方法有效降低了微机电系统的功率消耗,取得了较好的效果。  相似文献   
9.
SnO2气敏元件敏感性能的研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
为了探讨具有优良性能的SnO2气敏元件的研制方法,依据半导体晶界气敏理论.以SnO2为基体材料,采用烧结型工艺和溶胶一凝胶方法制备出了气敏器件,并对该元件的气敏特性进行了测试,结果表明,采用溶胶一凝胶方法制备的气敏元件具有较高的灵敏度和低电阻等特点,对氢气响应时间可以达到5s.  相似文献   
10.
提出了一款具有斜入射稳定特性的超宽带极化不敏感人工电磁吸收结构,与传统结构相比,随着入射角的增大,吸收性能恶化程度大大降低。为了获得宽带和极化不敏感的吸收特性,通过采用两层混合电磁谐振模式的周期结构有耗层与一层反射底板组成的三层吸收结构,设计了电磁波斜入射时最佳的阻抗匹配行为,并利用等效电路模型分析了结构的工作机理。结果表明,该吸收体在60°入射角下仍具有稳定的吸波性能,吸收带宽达到了143.2%,而且在不同极化入射下得到了几乎一致的频率响应。  相似文献   
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