一种应用于EEPROM的片上电荷泵电路设计

设计了一种应用于EEPROM的片内电荷泵电路系统。该电路基于Dickson电荷泵结构,通过使用稳定的参考电压驱动压控振荡电路,从而产生了占空比小于50%的精确时钟,提高了电荷泵升压速度;通过使用调压电路,限制并稳定了输出电压。HSPICE仿真结果显示:在5 V电源电压下,时钟频率高达2.085 MHz。电荷泵仅需要56.256μs就可以输出15.962 V的高压。电荷泵的电压上升时间快,性能优越。     

Studying the operation characteristics and structure of vertical channel copper-phthalocyanine organic semiconductor transistor

The creation of Au/CuPe/Al/CuPc/strueture is a perpendicular type electricity found in the channel of organic static induction transistor. In the following we analyze transistor operation characteristics and machine structural relation. The results express that the transistor drives the voltage low and has no-saturation currentvoltage characteristics. Its operation characteristics are dependant on gate bias voltage and the construction of the aluminum eleetrode. The vertical ehannel of organic static induction transistor （OSIT） , with structure of Au/CuPc/Al/CuPc/ Cu, has been determined. According to the test results, the relation of its operation characteristics aud device structure was analyzed. The results show that this transistor has a low driving voltage and unsaturation Ⅰ-Ⅴ characteristies. Its operation characteristics are dependant on gate bias voltage and the structure of the aluminum electrode.     

工艺参数对多涂层结构及性能的影响

由磁控溅射方法制得的多层TiC/TiB_2,在沉积过程中采用了不同程度的离子轰击,在以前的研究中,考虑到裂纹扩展阻力及磨损特性,特别在间歇切削条件下,5μm厚的整个涂层产生最佳性能的单层数目大约100～200,有迹象表明,界面区域阻碍裂纹,基体不加偏压溅射后,这些区域大约有2～3nm的扩展带,在沉积过程中,离子轰击导致相似的界面区域,改变了涂层组织,并且特别在多层涂层的情况下可以得到最好的涂层性能,对5μm厚涂层,要获得最佳性能及耐磨性大约需500单层,本文研究组织结构、性能与工艺参数间的关系。     

用光刻工艺制作高密度基因芯片的研究

利用集成电路中的光刻工艺，以玻璃为衬底，制作了高密度基因芯片，它能将数以万计的寡核苷酸固定于固相支持物，且具有高通量、并行性、微型化及自动化等特点．     

磁控溅射纳米PtSi薄膜表面和界面特征

采用磁控溅射方法在p—Si(111)衬底上淀积5nmPt膜，退火后形成PtSi薄膜，利用原子力显微镜和高分辨电子显微镜观察了PtSi薄膜的表面和界面特征。实验结果表明，工艺条件影响PtSi薄膜的微观组织结构和表面形貌，随着衬底温度增加，薄膜表面由柱晶状团簇变为扁平状团簇，薄膜显微结构由多层变为单层，衬底加热有利于形成界面清晰、结构完整、成分单一的PtSi薄膜。     

磁控溅射PtSi／p-Si纳米薄膜组织结构的研究

采用磁控溅射方法在p-Si(111)衬底上淀积5nmPt膜，分别在350℃-600℃退火。原子力显微镜(AFM)观察和x射线光电子谱(XPS)分析表明，随退火温度的增加，平坦的薄膜表面变得粗糙，其相分布由Pt-Pt2Si-Ptsi变为Pt Pt2Si PtSi-Ptsi。     

运用AMR-WB算法提高语音合成效果的研究

运用AMR-WB中23.85kbit/s模式的改进算法,完成语音样本LPC参数的提取,使语音合成质量提高.合成结果表明,此算法提取参数所合成的语音在时域和频域的波形上都很好地还原了语音样本的特性,取得了较好的合成效果.     

纳米杂化PI薄膜击穿孔区形貌及元素分布

无机纳米杂化聚酰亚胺(PI)薄膜具有优良的耐电晕特性,通过观察击穿孔区形貌研究薄膜击穿机理及纳米颗粒的作用,利用SEM观察阶梯式升压强电场击穿无机纳米杂化PI薄膜孔区形貌,能谱仪测试孔区附近元素分布.研究表明:杂化薄膜严重破坏区域仅局限在孔洞附近10～50 μm范围内,随半径增加,其表面由颗粒大小不均匀、表面粗糙不平,逐渐过渡到颗粒均匀的微观结构状态;Cu含量逐渐减少,Au含量逐渐增加,正常区域电极表面没有损伤;氧化铝纳米颗粒在杂化薄膜中起到阻止电极破坏的作用,薄膜击穿机理属热击穿类型.     

溶胶-凝胶法制备Al_2O_3感湿薄膜

采用溶胶－凝胶法制备Ａｌ＿２Ｏ＿３感湿薄膜，并通过大量实验，研究了溶胶的配制、涂覆层数及热处理工艺，对其感湿特性也进行了测试．     

超导参量及其拟合程序

测量了非晶Ｚｒ＿（６５）Ｃｏ＿（３５）在低温超导临界状态的磁致电阻变化规律，观察并分析了超导涨落特性，编制了拟合程序．通过对无序系统电子定域化和超导涨落理论的拟合，确定了不同温度下的弛予时间和超导涨落参量．