三色碳纳米管场发射灯的研制

报道了以粉末状碳纳米管为原料用丝网印刷法制备图形化的碳纳米管阴极的技术。采用热处理和氢等离子体表面处理方法提高了丝网印刷法制备的碳纳米管阴极的场发射性能，处理后阴极的阈值场强从4V／μm降到～1V／μm，场发射电流密度在4．5V／μm时达到了2．53mA／μm^2，发射点密度从～10^3／cm^3增加到～10^5／cm^2。在此基础上，成功地设计和封装了三极管结构的三色高亮度碳纳米管场发射灯器件。     

电流法改善碳纳米管阴极场发射特性

针对丝网印刷碳纳米管阴极,提出电流法进行表面后处理,有效改善碳纳米管阴极场发射特性.利用扫描电子显微镜表征电流法处理前后CNTs阴极表面形貌变化,并对处理前后CNTs阴极进行场发射特性测试.结果表明,电流法处理后CNTs阴极表面残留有机物被破坏,开启电场从2.4 V/μm降低到1.6 V/μm,同样面积的薄膜(印制面积为1 cm×1 cm)在2.6 V/μm场强下的发射电流由30 μA提高到了800 μA,说明电流处理对于提高薄膜的场发射特性有明显作用.该方法在碳纳米管场发射显示器的制作中具有很好的实际应用价值.     

电解液法改善碳纳米管阴极场发射特性

针对丝网印刷碳纳米管(CNT)阴极,提出用电解液法进行表面后处理,有效改善碳纳米管阴极场发射特性.利用扫描电子显微镜表征电解液法处理前后CNT阴极表面形貌变化,并对处理前后CNT阴极进行场发射特性测试.结果表明,电解液法处理后有更多的CNT伸出有机浆料表面,开启电场从2.4 V/μm降低到1.4 V/μm,同样面积的薄膜(印制面积为1 cm×1 cm)在3.0 V/μm场强下的发射电流由100μA提高到了1 800μA,说明电解液处理对于提高薄膜的场发射特性有明显作用.该方法在碳纳米管场发射显示器的制作中具有很好的实际应用价值.     

碳纳米管场发射阴极电泳法制备及场发射特性研究

采用电泳沉积法在玻璃基板上成功制备出碳纳米管场发射阴极,采用扫描电子显微镜观察薄膜表面形貌,并对制备的碳纳米管阴极进行场发射测试.实验结果表明电泳2 min沉积的碳纳米管薄膜均匀连续且具有较好的场发射特性,其开启电场为3.1 V/μm,当外加电场强度为11.5 V/μm时场发射电流密度达到11.33 mA/cm2,经过10 V/μm的电场激活处理后样品具有较好的场发射稳定性.     

一种有效提高CNTs/CNFs阴极场发射性能的热处理方法

报道了一种新的提高碳纳米管／碳纳米纤维（CNTs／CNFs）丝网印刷阴极场发射性能的后处理方法。利用化学气相沉积（CVD）方法制备的CNTs／CNFs作为阴极材料，采用丝网印刷工艺在玻璃基板上制备场发射阴极，在H2和C2H2混合气氛下500℃处理20min，能有效提高其场发射性能，改善场发射显示器的发光均匀性。热处理后的阴极开启电压从2．4V降低到1．8V，在电场为3．9V／μm时，电流密度从0．02mA／cm^2提高到0．50mA／cm^2，发光点密度提高了近4个数量级。场发射特性的提高主要是由于热处理使阴极表面出现了大量突出并互相间有一定间距的CNTs／CNFs，这种形貌非常有利于电子场发射。     

三色碳纳米管场发射灯的研制

报道了以粉末状碳纳米管为原料用丝网印刷法制备图形化的碳纳米管阴极的技术.采用热处理和氢等离子体表面处理方法提高了丝网印刷法制备的碳纳米管阴极的场发射性能,处理后阴极的阈值场强从4V/μm降到～1V/μm,场发射电流密度在4.5V/μm时达到了2.53mA/cm2,发射点密度从～103/cm2增加到～105/cm2.在此基础上,成功地设计和封装了三极管结构的三色高亮度碳纳米管场发射灯器件.     

三色碳纳米管场发射灯的研制

报道了以粉末状碳纳米管为原料用丝网印刷法制备图形化的碳纳米管阴极的技术.采用热处理和氢等离子体表面处理方法提高了丝网印刷法制备的碳纳米管阴极的场发射性能,处理后阴极的阈值场强从4V/μm降到～1V/μm,场发射电流密度在4.5V/μm时达到了2.53mA/cm2,发射点密度从～103/cm2增加到～105/cm2.在此基础上,成功地设计和封装了三极管结构的三色高亮度碳纳米管场发射灯器件.     

碳纳米管场发射阴极的厚膜工艺研究

研究了制备碳纳米管(CNT)场发射阴极的厚膜工艺,通过浆料配方和烧结工艺等方面的探索,在Si基底上制作了均匀、平整、场发射特性良好的CNT厚膜。CNT厚膜工艺研究表明,CNT浆料中银浆的最佳比例约为4.2％,最佳烧结温度为480℃(空气中),才能保证厚膜有较强的附着力,CNT又不至于全部氧化。银浆比例过大,则使高电压时场发射电流明显下降,通过对CNT厚膜的场发射特性测量得知,其开启电压为2．4V／μm,在5V／μm的电场下,场发射电流密度为27．8μA／cm^2,但发光显示情况不佳,通过使用含有机粘结剂的浆料,使显示发光情况得到了很大改善。     

大面积碳纳米管冷阴极的制备与研究

针对碳纳米管(CNT)阴极场发射均匀性这一关关键难题，根据CNT场发射理论制备了一种新型碳纳米管阴极印刷浆料，实验表明：质量分数约为20％的纯化CNT与4．2％的导电氧化物粘接材料混合形成的印刷浆料，其阴极具有较佳的发射均匀特性，用丝网印刷技术制作成的大面积(对角线长度大于12．5cm)阴极，再经过快速烧结技术及两步后处理工艺，既能除掉粘接材料又能使CNT很好地与衬底固定，并使碳纳米管部分直立和充分暴露，进一步改善了发射均匀性，该均匀发射的阴极开启场为2．0V／μm在电场强度阴极可望应用于场致发射显示器，液晶显示的背光源、电光源等器件。     

三极FED分段复合衬底电极的特性和制作

结合丝网印刷技术、烘烤工艺和烧结工艺,采用印刷ZnO层和银浆层相结合的方案,进行了分段复合衬底电极的制作。该分段复合衬底电极能够降低无效的阴极电压降,增强三极场发射显示器的发光亮度并改善其发光均匀性,且制作成本低廉。分段复合衬底电极避免了过长过细衬底电极现象,促使碳纳米管提供更多电子,同时有效改善了碳纳米管的场发射均匀性。利用碳纳米管作为阴极材料,进行了三极场发射显示器的研制,并进行点阵图像显示,从而证实了这种分段复合衬底电极制作工艺的可行性。与普通银电极场发射显示器相比,分段复合衬底电极场发射显示器能够将开启场强从1.92 V/μm降低到1.81 V/μm,其最大场发射电流由1 332.5μA提高到2 137.8μA,具有典型的场致发射特性以及优良的图像发光均匀性。     

基于基金会现场总线协议的接口芯片设计

介绍了一个基于基金会现场总线协议的专用接口芯片设计。该芯片（HKFF）依据IEC61158标准的物理层及数据链路层规范设计，实现接收和发送31．25kbit／s的数据处理，帧同步，自动地址匹配，帧检测序列产生／校验。曼彻斯特编解码等功能。为便于软件的操作，该芯片含有若干特殊寄存器。HKFF芯片设计完成后，采用TSMC0．25微米工艺一次流片成功。     

槽栅IGBT 硅化物自对准技术研究

本文设计了一种全自对准的槽栅IGBT（绝缘栅双极晶体管）结构，其工艺简单，全套工艺只有两张光刻版，是现有IGBT工艺中最少的，而且现金闪光刻之间没有套刻关系，避免了套刻误差，提高了工艺成品率。同时，降低了制版费用和制造成本。设计了一种独特的IGBT多重沟道短路结构，有效的防止闩锁。用氧化层硬掩膜和先进的硅化物工艺实现金属接触全自对准，可使元包尺寸减小到2μm甚至更小，增加了IGBT芯片单位面积的元包密度和沟道宽度，提高了电流，使器件导通电阻低于0.23mΩ/cm^2。用砷（As）掺杂代替磷（P），可有效提高源区表面浓度，实现浅结工艺。     

基于嵌入式Linux的IP电话系统

为解决噪声环境下的语音通讯问题,采用ARM、DSP和μClinux构成的嵌入式IP电话系统完成语音数据的采集、降噪和传输。分析了μClinux嵌入式操作系统下语音设备驱动程序的开发方法,重点介绍了组播技术及组播技术在IP电话会议功能中的软件实现。实验表明,采用10M以太网满足了本系统128kbit／s语音实时通信要求。     

射频功率HBT热稳定性的一种新表征方法

从热电反馈网络角度出发,在考虑到晶体管发射极电流随温度的变化、发射结价带不连续性（△Ev）、重掺杂禁带变窄（△Eg）及基极和发射极加入镇流电阻（RB和RE）等情况下,首次较全面地给出了功率晶体管热稳定因子S表达式。用该表达式可以很方便、明了地对功率双极晶体管进行热稳定性分析。分析了镇流电阻对射频功率晶体管安全工作区以及S的影响。结果表明,功率异质结双极晶体管（HBT）热稳定性优于同质结双极晶体管（BJT）,适当选取RB和RE可使S=0,使由器件本身产生的耗散功率而引起的自加热效应被完全补偿,器件特性得以保持,不因自热而产生漂移,这是同质结器件所无法实现的。     

最佳碳纳米管场发射阴极阵列密度的研究①

碳纳米管(CNT)作为理想的场发射阴极材料。它在场发射阴极阵列中的密度与阴极的场发射性能有着非常密切的关系。本文通过模拟计算找出了最佳碳纳米管场发射阴极阵列密度，并通过实验进行了验证。实验证实浓度为2．5％的碳纳米管浆料制得的阴极有最佳的阵列密度。     

Photosensitive Carbon Nanotube Paste Based on Acrylated Single‐Walled Carbon Nanotubes

A novel photosensitive carbon nanotube (CNT) paste based on an acrylated single‐walled carbon nanotube (ac‐SWNT), a cross‐linking agent, and a photoinitiator has been prepared. Unlike the conventional photosensitive CNT pastes reported to date, our photosensitive paste system does not use a polymeric binder for the photopolymerization following UV exposure because the ac‐SWNT itself has cross‐linkable groups. Therefore, the subsequent firing process can be performed at relatively low temperatures and the residue of the organic vehicle in the SWNT pattern is minimized after firing. The ac‐SWNT was synthesized from the reaction between carboxylated SWNT (ca‐SWNT) and methacryloyl chloride in the presence of base, and its structure was characterized by Fourier transform infrared, Raman, and X‐ray photoelectron spectroscopy. After UV exposure and development with N,N‐dimethyl formamide a pattern with a resolution of 8 µm was obtained from the photosensitive CNT paste, which was then fired at 300 °C to give a clear SWNT pattern. When the photosensitive CNT paste was used for the fabrication of a cathode emitter for field emission displays, the CNT pattern emitted electrons under an applied electrical field with emission characteristics comparable with those obtained with screen‐printing from conventional CNT pastes. Therefore, such a photosensitive paste for fabricating SWNT patterns can be used in the production of field‐emission displays and in future device integration requiring carbon nanotubes, because it provides large‐area patterning of SWNT with high stability and uniformity.     

基于图像的导弹姿态角的仿真实验研究

为了适应现代靶场的测量空间目标姿态角的需要,介绍了一种在实验室进行了空中目标姿态角的测量的仿真实验,从实验需要出发,开发了一种精度较高的定标方案,并给出了交会测量、目标姿态角测量的数学模型,对该姿态测量的仿真系统的测量精度进行了计算与分析,给出了实验图像预处理过程,最终实验验证了该数学模型与该测量方案是可以用来进行空间目标姿态角的测量,姿态角的测量精度首先受目标特征点的坐标测量精度的影响,其次和测量精度关系比较密切的是2个测量面的交会角,该角越接近垂直测量精度越高。     

一种新的高频泛音晶体振荡器温度补偿方法

提出了一种新的高频泛音晶体振荡器温度补偿的方法,它能克服了目前泛音晶振温补中均采用加电感和倍频的方法带来的稳定度下降和相噪恶化的缺点。该系统利用低频陶瓷振荡器的输出频率通过混频对高次泛音石英晶振进行温度补偿。系统采用微机控制开关电容阵,有利于集成。初步补偿结果表明,利用本文提出的补偿方法进行补偿的100MHz五次泛音石英晶体振荡器在0～70℃温度范围内频率-温度稳定性≤±2×10-6。     

用散射矩阵法求二维光子晶体缺陷内的场分布

本文介绍了一种新颖而高效的计算位于二维光子晶体缺陷中电磁场模式的方法.这一方法是通过将光子晶体中每个柱体的散射场叠加起来而得到所求场的.用该方法计算了两例具体的光子晶体结构,得到了满意的结果.     

深亚微米下芯片电源网络的设计和验证

随着芯片集成度的逐渐提高,芯片单位面积所消耗的功耗也越来越大,因此,可靠的电源网络设计和验证已成为芯片设计成败的关键因素之一。在以往。集成电路（IC）设计工程师往往根据经验来设计电源网络,但工艺到0．18um,这往往会引起芯片功能失效。根据这个问题。本文首先介绍电压降（IR-Drop）和电子迁移率（Electro-migration）现象和对芯片性能的影响;其次,提出一种有效的电源网络设计和验证方法,并在芯片的物理设计初期对电源网络作可靠性估计;最后,经过椭圆曲线加密芯片（ECC＆RSA）的流片,表明采用该方法设计的芯片,工作情况良好。