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相似文献
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1.
朱亮  吴玉广 《电子科技》2008,21(2):10-15
设计出一种单片集成可用于锂电池充电的LDO(Low Dropout)线性稳压器.对线性稳压器的工作原理及关键特性进行了分析,此电路基于Cadence Chat0.35umCMOS工艺,并用Cadence对整体电路进行了仿真,仿真结果说明该电路具有高精度、宽电源电压工作范围、低温度系数的优点.  相似文献   

2.
为了简化蔡氏二极管的设计,提出了一种分段线性正电阻的设计方法。将设计的分段线性正电阻转换成分段线性负电阻,该分段线性负电阻用于设计新的蔡氏电路,通过EWB仿真和硬件电路测试表明新的蔡氏电路能有效地产生混沌行为。无论是从产生的混沌行为还是从电路的结构来看,均具有现有蔡氏电路所不具备的一些优点,结果表明电路设计是有效的。  相似文献   

3.
设计了一种双电容结构时钟自举电路,分析了电路工作原理,用Cadence Spectre仿真器和0.35μm CMOS PDK进行电路前仿真和后仿真.仿真结果表明,设计的双电容结构时钟自举电路能使采样电路线性度达到110dB以上,该电路已用于16位A/D转换器的设计并流片.经测试,采用该结构的16位A/D转换器的SFDR为96.25dB(FS),信噪比为76.45dB(FS).  相似文献   

4.
一种基于ADS和Matlab的锁相环电路设计方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了基于ADS的锁相环电路的设计,针对该软件对仿真输出数据处理能力不足的问题,提出了一种利用Matlab对ADS仿真输出数据进行进一步处理的方法,通过对基于锁相环的线性调频信号产生电路的设计和仿真,证明了该方法的可行性和实用性。  相似文献   

5.
一种低压高线性CMOS模拟乘法器设计   总被引:2,自引:1,他引:1  
陆晓俊  李富华 《现代电子技术》2011,34(2):139-141,144
提出了一种新颖的CMOS四象限模拟乘法器电路.该乘法器基于交叉耦合平方电路结构,并采用减法电路来实现。它采用0.18μmCMOS工艺,使用HSPICE软件仿真。仿真结果显示,该乘法器电路在1.8V的电源电压下工作时,静态功耗可低至80μW,其线性输入范围达到±0.3V,-3dB带宽可达到1GHz,而且与先前低电压乘法器电路相比,在同样的功耗和电源电压下,具有更好的线性度。  相似文献   

6.
李晓  陈铸华  周有庆 《现代电子技术》2007,30(7):145-148,155
阐述了微机型继电保护测试仪中功率放大电路的设计工作原理,给出了制作功放PCB板的设计要求。对电压和电流两种放大电路进行了仿真分析。深入探讨了MOSFET管和线性功率放大器的限流保护和温度保护电路。对所设计的应用电路板测试表明,采用该设计的功率放大电路具有精度高、线性度好、性能稳定等优点。  相似文献   

7.
设计了一种采用通道复用技术的低功耗心电信号采集电路。该电路由多通路数据选择电路、前置放大器、缓冲器和Gm-C低通滤波器组成。多通路数据选择电路中的开关采用栅压自举型开关结构,提高了线性度。该采集电路基于0.18 μm CMOS工艺进行设计与仿真。仿真结果表明,静态电流仅为5 μA,增益为46 dB,带宽为39 mHz~19 kHz,开关的切换频率为10 kHz。该采集电路能实现多导联心电信号的采集。  相似文献   

8.
为了防止电流模PWM升压型DC/DC的亚谐波振荡以及提高系统的稳定性和带载能力,设计了一种分段线性斜坡补偿电路。与传统的设计方法相比,该电路提供的补偿信号在不同占空比具有不同斜率,对三个占空比区间进行分段线性补偿,极大地提高了系统的带载能力和瞬态响应。仿真结果表明该分段线性斜坡补偿电路性能良好,其静态电流消耗仅为7μA,使芯片效率高达89%。  相似文献   

9.
秦国宾  王宁章 《通信技术》2010,43(9):170-172
利用双重器件提高线性度的方法,设计了一个两级电路结构的线性功率放大器,可应用于蓝牙系统发射模块。电路基于台基电公司(TSMC)0.18μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺进行设计,该功率放大器的中心工作频率为2.4GHz,利用ADS2008U2对电路进行模拟仿真。仿真结果显示,当输入信号功率为-7.8dBm时,功率增益为30.6dB,功率附加效率为26.67%,1dB压缩点输出功率为22.79dBm,具有很高的线性度。  相似文献   

10.
高线性低电压低噪声放大器的设计   总被引:2,自引:2,他引:0  
曹克  杨华中  汪蕙 《半导体学报》2004,25(11):1364-1369
研究了一种具有高线性的CMOS低噪声放大器,其工作电压可以低于1V.在这个电路中,加一个工作在线性区的辅助MOS管以提高线性特性.仿真表明这种方法可以提高输入三阶交截点,其代价远小于传统方法为获得1dB线性度改善而必须增加1dB功耗的代价.为了降低该电路中的共栅PMOS管的有载输入阻抗,不使其源极处的电压增益过大而降低电路的线性特性,必须优化其尺寸.仿真使用的模型是TSMC0.18μm射频CMOS工艺库,仿真工具是Cadence的SpectreRF  相似文献   

11.
频率响应是光电耦合隔离放大器的一个重要参数。首先介绍了光敏三极管光电导工作模式和集成运放宏模型,然后利用该原理对使用双路光耦设计的线性光耦隔离放大器电路进行了深入研究,分析并推导了电路频响的计算公式。对该电路的频响与电路中元件参数的关系进行了仿真和实验,最终得出结论。  相似文献   

12.
研究了一种具有高线性的CMOS低噪声放大器,其工作电压可以低于1V.在这个电路中,加一个工作在线性区的辅助MOS管以提高线性特性.仿真表明这种方法可以提高输入三阶交截点,其代价远小于传统方法为获得1dB线性度改善而必须增加1dB功耗的代价.为了降低该电路中的共栅PMOS管的有载输入阻抗,不使其源极处的电压增益过大而降低电路的线性特性,必须优化其尺寸.仿真使用的模型是TSMC 0.18μm射频CMOS工艺库,仿真工具是Cadence的SpectreRF.  相似文献   

13.
提出了一种结构简单的神经元分段线性输出函数SETMOS实现方式。理论分析了恒流源偏置下单电子晶体管(SET)器件的特性和神经元分段线性输出函数。利用SET和金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)混合结构实现了分段线性输出函数电路,并通过仿真分析得到了分段线性特性,提出了具体相应的调节方法,验证了该混合结构功能的正确性。结果表明,该混合电路具有结构简单,nm级特征尺寸,分段线性度好,静态功耗极低,约200nW,驱动负载工作能力强,输出电压可达几百毫伏,易于大规模神经网络电路的实现及应用和集成度的进一步提高。  相似文献   

14.
本文详细论述了一种可以有多输入的CMOS宽带互导(WBTC)电路,该电路具有线性,频率响应好的特点。利用该电路可以构成高Q值的VHF可调谐选频电路,文章中给出并详细分析了具体电路,最后是计算机仿真的结果。  相似文献   

15.
本文提出了一种适用于开关电源的内部供电电路。该电路采用齐纳二极管的稳压原理,将开关电源的高输入电压稳压输出5V,供模拟模块和数字模块使用,简化了以往采用基准和低压差线性稳压器(LDO,Low Dropout Regulator)供电的设计方法。本电路基于0.35 um BCD工艺,对所设计电路进行了仿真验证。仿真结果表明,该电路在-40℃~125℃应用环境温度范围内都能够实现高精度的输出电压,具有较强的稳定性。  相似文献   

16.
一种含理想运算放大器电路的讨论   总被引:1,自引:1,他引:0  
为进一步明确含理想运算放大电路的有关概念和运算放大器的特性,本文从计算机仿真和理论分析两个方面,对一个含理想运算放大器电路的输入输出特性进行了模拟和推导.结果表明该电路在线性输入范围内是一电压跟随器,若超出线性输入范围,则输出波形严重失真;带反馈电路与开环电路相比较表现为线性输入范围扩大、电压增益减小,而这正是电路负反馈的特性.因此,不能简单的把接在运算放大器同相输入端的反馈视为正反馈.  相似文献   

17.
对线性调频连续波雷达灵敏度频率控制技术的原理进行了论述 ,给出了一个实现灵敏度频率控制的电路并进行了功能仿真和分析 ,证明了该方法可以有效的压缩线性调频连续波雷达的动态范围  相似文献   

18.
设计了一种用于LED驱动电源的模拟调光电路。该调光电路由外部控制产生一个占空比可调的振荡信号来线性改变恒流的基准电压;基准电压的改变会产生对功率管开关信号(PWM)占空比的调节,从而实现LED电源输出电流的线性调节。基于TSMC0.5μm BCD工艺,用Hspice进行仿真,结果表明:这种线性调光电路能精确控制流过负载LED的电流,实现对LED灯的线性调光。  相似文献   

19.
模拟电路故障诊断的新故障字典法   总被引:16,自引:0,他引:16  
谭阳红  何怡刚 《微电子学》2001,31(4):252-254
基于节点电压灵敏度,将文献[1]中的线性无容差电路的故障字典法推广到可以诊断容差模拟电路和非线性电路软故障的新故障字典法。讨论了该方法的原理和字典的建立方法,给出了仿真实例。  相似文献   

20.
设计了一种用于WCDMA发射机系统的1.95 GHz上变频混频器。电路采用传统的双平衡吉尔伯特结构,并引入电流注入和多双曲正切技术,实现了较高的转换增益和线性度。基于宏力0.18μm SiGe BiCMOS工艺,对电路进行仿真。结果显示,该双平衡有源混频器转换增益约为6 dB,1 dB输出线性度约为4 dBm,噪声在15 dB左右,表明该电路达到基本性能要求。  相似文献   

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