烧结温度对羟基磷灰石靶的影响

为研究烧结温度对羟基磷灰石靶的影响规律,把纯度为99%的羟基磷灰石粉末压制成圆盘形靶后,在氩气中分别在600℃、700℃和800℃高温下进行烧结。用X射线衍射仪和X射线光电子能谱仪对未烧结和不同温度下烧结的羟基磷灰石靶进行检测。检测结果表明：烧结温度对羟基磷灰石靶的结晶度和组成元素没有显著影响。但是随着烧结温度的升高,羟基磷灰石靶的平均粒径和钙磷比值都增大。800℃高温烧结的羟基磷灰石靶将具有更好的生物相容性、生物活性和稳定性。     

烧结时间对羟基磷灰石靶的影响

为研究烧结时间对羟基磷灰石靶的影响规律,把纯度为99%的羟基磷灰石粉末压制成圆盘形靶后,在氩气中保持800℃恒温分别烧结12小时、16小时、20小时和24小时。用X射线衍射仪和X射线光电子能谱仪对不同时间烧结的羟基磷灰石靶进行检测。检测结果表明：烧结时间对羟基磷灰石靶的结晶度和组成元素种类没有显著影响,但对钙磷比值有显著影响。烧结时间从12小时增加到20小时,Ca/P比值增大;从20小时增加到24小时,Ca/P比值反而减小。20小时800℃高温烧结的羟基磷灰石靶将具有更好的生物相容性和稳定性。     

激光熔覆生物陶瓷涂层物相分析

用激光熔覆技术在预涂敷于钛合金(TC4)表面的CaCO3和CaHPO4·2H2O以及Ti粉经两次激光熔覆及适当热处理制备了生物陶瓷涂层。通过X射线衍射(XRD)分析可得:过渡层涂层成分主要为CaTiO3,未热处理的陶瓷层成分主要为磷酸四钙(TTCP),热处理陶瓷层涂层主要物相为羟基磷灰石(HA)。研究工艺参数、热处理以及混合粉末配比对涂层物相组成的影响研究可知:工艺参数激光功率对涂层物相的影响大于扫描速度;800℃热处理4h并随炉冷却可以有效提高涂层HA含量;Ca/P2.00配比的混合粉末所制备的涂层HA含量最高。     

超微细镍–银双金属粉的抗氧化性研究

采用液相化学还原法,在亚微米级的镍粉表面包覆上一层纳米银制成镍–银双金属粉。研究了影响包覆效果的各种因素和双金属粉的抗氧化性,用透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射仪(XRD)对粉末的形貌和组成进行了分析。银的质量分数为40%时,镍–银双金属粉抗氧化温度可达到800℃,方阻为97mΩ/□。     

Si基片上掺Ge SiO2的火焰水解法制备

用火焰水解法在单晶Si片上沉积了掺Ge的SiO2(GeO2-SiO2)粉末,随后在高温炉中将此粉末烧结成玻璃.用光学显微镜观察了样品表面形貌,研究了不同的烧结工艺对样品形貌的影响.用X射线光电子能谱检测了样品的元素组成,并用棱镜耦合法测量了样品的折射率和厚度.结果表明,用适宜的工艺条件制备出的掺Ge的SiO2具有表面平整光滑,折射率和厚度可调等优点,适合用作Si基SiO2波导器件的芯层.     

Si基片上掺Ge SiO_2的火焰水解法制备

用火焰水解法在单晶Si片上沉积了掺Ge的SiO2 (GeO2 SiO2 )粉末 ,随后在高温炉中将此粉末烧结成玻璃 .用光学显微镜观察了样品表面形貌 ,研究了不同的烧结工艺对样品形貌的影响 .用X射线光电子能谱检测了样品的元素组成 ,并用棱镜耦合法测量了样品的折射率和厚度 .结果表明 ,用适宜的工艺条件制备出的掺Ge的SiO2 具有表面平整光滑 ,折射率和厚度可调等优点 ,适合用作Si基SiO2 波导器件的芯层 .     

(Ba_(0.67)Sr_(0.33))TiO_3陶瓷靶的制备和微观结构分析

探讨了射频磁控溅射用(Ba_(0.67)Sr_(0.33))TiO_3陶瓷靶的烧结工艺,并用电子探针和X射线粉晶衍射法对其成分和微观结构进行了分析。结果表明,900～1 000℃烧结出的(Ba_(0.67)Sr_(0.33))TiO_3陶瓷靶在组织结构及成分均匀性、致密度和强度方面都符合射频磁控溅射的实际要求。     

Mg_3N_2粉末稳定性的实验分析(英文)

稳定性是Mg3N2粉末的一个重要特性。研究了利用镁粉与氨气直接反应法在最佳条件下制备的Mg3N2粉末的稳定性,包括热稳定性、在氧气中的抗氧化性以及在空气中的稳定性。用X射线衍射(XRD)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)对样品在设置条件下的变化进行了分析,结果表明用该方法制备的Mg3N2粉末具有非常好的热稳定性,在1 100℃下都不会分解;在低于800℃下,Mg3N2粉末表现出很好的抗氧化性能,在高于800℃时其直接被氧化为氧化镁粉末。通过对Mg3N2粉末在空气中的稳定性的研究,提出并利用三维水驱动扩散模型很好地描述并解释了Mg3N2在空气中变质的过程。     

PLD法制备ZnO薄膜的退火特性和蓝光机制研究

通过脉冲激光沉积(PLD)方法,在O2中和100～500℃衬底温度下,用粉末靶在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜,在300℃温度下生长的薄膜在400～800℃温度和N2氛围中进行了退火处理,用X射线衍射(XRD)谱、原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)谱表征薄膜的结构和光学特性。XRD谱显示,在生长温度300℃时获得较好的复晶薄膜,在退火温度700℃时获得最好的六方结构的结晶薄膜;AFM显示,在此退火条件下,薄膜表面平整、晶粒均匀;PL谱结果显示,在700℃退火时有最好的光学特性。     

溶胶-凝胶生物玻璃多孔材料显微结构和生物活性的扫描电镜及红外光谱分析

本文利用溶胶．凝胶法制备了CaO-P2O5-SiO，系统生物活性玻璃，并以其为原料制备了用于骨修复及骨组织工程支架的块状生物活性材料。利用体外实验方法(invitro)结合x射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和傅立叶变换红外光谱分析(FTIR)技术对不同烧结工艺制备的材料结构、晶相和生物活性的影响进行了分析研究。研究表明，经800℃和1100℃烧结5min的两种材料均有硅磷酸钙Ca5(PO4)2SjO4微晶相析出。烧结温度越高，析出微晶相的体积比例越大，材料的生物活性则越低。在模拟生理溶液中碳酸羟基磷灰石(HCA)只在烧结体中的玻璃颗粒表面形成，而在其硅磷酸钙Ca5(PO4)2SiO4微晶相表面未发现HCA形成。     

The Effect of Heat Treatment on Structural and Multiferroic Properties of Phase-Pure BiFeO3

Phase-pure multiferroic BiFeO₃ (BFO) was prepared by the coprecipitation technique using diverse precursors bismuth oxide at temperature as low as 400°C. The dependence of structural, microstructural, thermal, electrical (AC and DC), and magnetic properties on sintering temperature was systematically investigated. Uniaxially pressed samples (Ø8 mm) were sintered in air at 500°C to 800°C for 4 h. X-ray diffraction analysis was used to determine the amorphous and perovskite nature of as-synthesized and calcined/sintered samples, respectively. The crystallite size of sintered powders increased from 47 nm to 67 nm. Scanning electron microscopy showed grain growth during sintering, which improved intergranular connectivity and decreased porosity in the samples. The ferroelectric to paraelectric Curie transition temperature (T _C) of pure BFO powder was detected by differential scanning calorimetry analysis and found to be 820°C ± 1°C. The samples exhibited high AC resistivity and dielectric constant, and low loss tangent values. The samples exhibited weak ferromagnetic behavior with an unsaturated magnetization versus magnetic field hysteresis loop at room temperature. Ferroelectric behavior and variation in remnant polarization and coercivity were observed from polarization versus electric field loops. Enhanced capacitance in the magnetic field revealed the magnetoelectric effect in the samples.     

Behaviour of Ti Based on Si （111） Substrate at High Temperature in Oxygen

The behavior of Ti based on Si（lll） in oxygen under high temperatures（700 ℃, 800 ℃ , 900 ℃ , I 000 ℃ and 1 100℃） is reported. X-ray diffraction（XRD） and Fourier transform infrared spectroscopy （FTIR） are used to analyze the structure and composition of the samples annealing at different temperatures in oxygen ambience. It is found that raising temperature is helpful to the formation of both TiSi2 and TiO2 and helpful to the diffusion of Ti to Si substrate.     

掺铝氧化锌陶瓷靶材的制备及其薄膜的光学性能

以Al(NO3)3.9H2O和ZnO粉体为原料,采用常压烧结方法制备了高致密度和高导电性的ZnO:Al(AZO)陶瓷靶材。研究了烧结温度对AZO靶材微观结构、相对密度和电性能的影响。当Al和Zn的摩尔比为3:100,烧结温度为1 400℃时,所制AZO靶材的致密度达96%,电阻率为2.5×10–2.cm。以烧结温度为1400℃的AZO陶瓷靶为靶材并通过直流磁控溅射在玻璃基片上制备出了高度c轴择优取向的AZO薄膜,其可见光透过率为90%,禁带宽度为3.63 eV,电阻率为1.7×10–3.cm。     

sol-gel燃烧合成CLST陶瓷

采用sol-gel法合成了CaO-Li2O-Sm2O3-TiO2(CLST)陶瓷粉体。用XRD、TEM等手段对CLST粉体和CLST陶瓷的相结构和形貌进行了表征,同时测试了不同烧结温度的CLST陶瓷的介电性能。结果表明:CLST前驱体在900℃煅烧3h,晶体结构已经完全形成,主晶相为斜方钙钛矿结构,一次粒子粒径约60nm。1150℃烧结3h时,CLST陶瓷表现出优良的介电性能:εr为110,tanδ为0.008,τf为11×10–6/℃。     

La_（0．5）Sr_（0．5）CoO_3电极材料的制备与结构研究

采用化学共沉淀法合成了超细均匀的Ｌａ０．５Ｓｒ０．５ＣｏＯ３，复合氧化物粉末，并研究了合成粉末的特性和烧结体的结构特征。在１１００～１２００℃保温３ｈ烧成，可获得相对密度＞９６％的Ｌａ０．５Ｓｒ０．５ＣｏＯ３电极材料。Ｘ射线分析表明，Ｌａ０．５Ｓｒ０．５ＣｏＯ３烧结体的相组成主要为立方钙钛矿型结构，此外还有一些由氧空位造成的畸变钙钛矿型的四方相结构。     

Ce_(0.8)Gd_(0.2)O_(1.9)固体电解质的性能研究

采用干压成型后常规烧结的方法制备Ce0.8Gd0.2O1.9(CGO)固体电解质,对1 300～1 500℃空气气氛烧结4 h的各个样品进行线收缩率、相对密度、物相及微观形貌的分析。通过对比样品的电化学阻抗谱(EIS),分析了晶粒和晶界电阻的变化情况,并测定了各样品的电导率和活化能,发现1 500℃烧结的样品具有最大的电导率,测试温度800℃时达到0.03 S/cm。1 300℃烧结的样品具有最低的活化能100.29 kJ/mol。     

双粒径组分YSZ陶瓷的烧结致密化研究

为了在低于1400℃的烧结温度下获得相对密度高于95%的氧化钇稳定氧化锆(YSZ)陶瓷,将粒径不同的YSZ粉体球磨混合成双粒径组分粉体,采用流延成型工艺制得生坯并分别在1 350,1 400,1 450℃下进行烧结。研究了双粒径粉体的组分对所制YSZ陶瓷性能的影响。结果表明:粗细粉组成的双粒径粉体试样烧结密度较之单一原料粉体有所提高,微米级(中径1.46μm)粉体与造粒后的纳米级(中径90 nm)粉体进行级配(质量比7∶3)后在1 350℃烧结所制的YSZ陶瓷相对密度达到97%。