热压/热变形(Nd,Ce)_2Fe_(14)B/CaF_2磁体的磁电性能和微结构

通过热压/热变形工艺制备了掺杂Ca F2的(Nd1-xCex)29FebalB0.9M(x=0.1,0.15,0.2,0.3,M=Co和Ga等)磁体,研究发现随Ca F2掺杂量增加,电阻率逐渐升高,磁性能逐渐下降。当Ca F2添加量为3wt%时,随Ce取代量的增加,矫顽力呈先上升后下降的趋势。当Ca F2掺杂量为3%,Ce含量x=0.15时,性能最优,剩磁为11.26k G,磁能积为21.93 MGOe,矫顽力达到最大值9.49 k Oe,电阻率达到269μ?·cm,与无掺杂Ca F2热压/热变形工艺制备的钕铁硼磁体电阻率230μ?·cm相比提高了13%。通过对热压/热变形磁体中Ca F2添加量和Ce含量的优化,提供了一种较高电阻率、低成本高磁性能的(Nd1-xCex)29FebalB0.9M热压/热变形磁体。     

聚酰亚胺/纳米Al2O3复合薄膜的介电性能

为了提高聚酰亚胺(PI)的耐电晕性能,采用原位分散聚合法制备了聚酰亚胺/纳米Al2O3复合材料,并采用透射电子显微镜(TEM)对纳米Al2O3的分散状态进行了表征。研究了纳米Al2O3填加量对该复合材料耐电晕性能和其它介电性能的影响,结果表明,随着纳米Al2O3含量的增加,材料的耐电晕性能显著增强,在±910V(双极性)、15kHz条件下,纳米Al2O3质量分数为20%的PI薄膜的耐电晕寿命达到极大值,为纯PI薄膜寿命的25倍,聚酰亚胺/纳米Al2O3复合材料的体积电阻率和击穿场强没有明显的劣化,而相对介电常数和损耗角正切有所增加。     

感应热压/热变形钕铁硼磁体形变均匀性及微观结构

采用热压/热变形法制备不同形变量的各向异性NdFeB磁体,通过对比分析磁体不同区域的微观结构及取向情况,研究了磁体的形变均匀性。结果表明,随着变形量增加,磁体径向(垂直模压方向)表面和中心磁性能差异及轴向(平行模压方向)上下磁性能差异均是先减小后增大。变形量为63%时,磁体已较为均匀,此时磁体内外的剩磁、矫顽力和磁能积差异分别为1.4%、7.9%和2.3%;上下的剩磁、矫顽力和磁能积差异分别为1.4%、14.2%和2.6%。变形量过大或过小均不利于获得均匀性好的磁体。     

Nd含量对Nd2Fe14B/α-Fe各向异性双相复合纳米晶磁体织构和磁性能的影响

采用放电等离子快速热压、热变形的方法制备了名义成分为NdxFe94-xB6(x=8,9,10,11)的各向异性Nd2Fe14B/α-Fe双相复合纳米晶永磁。研究了Nd含量对各向异性Nd2Fe14B/α-Fe双相复合纳米晶永磁织构和磁性能的影响。研究结果表明,随着Nd含量的提高,Nd2Fe14B/α-Fe双相复合纳米晶永磁c轴晶体织构逐渐强化,饱和磁化强度逐渐降低,但是磁体的矫顽力逐渐提高并导致剩磁也随之提高。     

纳米Al2O3在有机溶剂中的机械力化学改性

研究了纳米Al2O3在极性有机溶剂分散过程中,机械力化学效应对纳米Al2O3在N-甲基吡咯烷酮(NMP)中分散稳定性的影响,采用FTIR、TGA、XRD和XPS对砂磨前后的纳米Al2O3进行了分析。结果表明:纳米Al2O3粒子在砂磨后其结晶度降低了24%,对NMP的吸附量增加了4倍,在其表面形成了稳定的、一定厚度的溶剂化层,提高了纳米粒子在NMP中的分散稳定性。     

PMMA-g-Al2O3填充环氧树脂纳米复合材料的制备及性能研究

以聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)改性nano-Al2O3为填料,制备了PMMA-g-Al2O3/EP复合材料,并对其性能进行研究。结果表明:PMMA改性Al2O3纳米粉体的加入改善了环氧树脂的导热性能、冲击强度等综合性能,其冲击强度可达到18.34 kJ/m2,热导率提高率为22.9%,体积电阻率最高为14.98×1013Ω.m,且PMMA改性纳米Al2O3填充环氧树脂的综合性能优于未改性纳米Al2O3和A151改性纳米Al2O3填充环氧树脂的性能。     

热变形工艺对各向异性NdFeB永磁体显微结构和磁性能的影响

采用热压-热变形法制备各向异性NdFeB磁体,通过正交实验研究了热变形温度、变形量以及变形速率对磁体磁性能及显微结构的影响。结果表明,随变形温度、变形量、变形速率的增高增大,磁体剩磁Br及最大磁能积(BH)max增高,当变形温度升高至700℃、变形量增大到65%、以0.045mm/s的速率变形时,磁体获得最佳磁性能,(BH)max达360kJ/m3(45MGOe),同时主相NdFeB晶粒由最初的球状晶、沿垂直于压力方向长大转变为片状晶,晶粒取向度增高;当变形温度、变形量过高或变形速率过低时,磁体中将会出现异常长大晶粒,使磁性能恶化。     

Al2O3不同掺杂方式对钛酸钡介电性能的影响

采用固相法制备了掺杂1 mol%Al2O3和1mol%Al2O3-2mol%BaO两组钛酸钡陶瓷样品。结果表明:Al2O3两种掺杂方式对钛酸钡的作用效果存在差异,其中Al2O3-2BaO共掺杂的作用效果较强,这与不同掺杂方式所引起的钛酸钡陶瓷的晶格变化差异有关。两种掺杂方式均使钛酸钡陶瓷的εmax减小,居里温度降低,介质损耗降低,同时伴有介温峰展宽,且由于弥散相变的存在其室温介电常数呈增大之势。     

纳米Al_2O_3改性变压器绝缘纸性能的研究

为了研究纳米Al2O3改性绝缘纸的绝缘性能,实验室制备了含不同质量分数的纳米Al2O3绝缘纸手抄片,并对真空浸油后的绝缘纸性能进行了测试。结果表明在一定的质量分数内纳米Al2O3改性后的绝缘纸的工频击穿场强得到较大的提高,在质量分数为1%时,工频击穿场强提高了12.75%,绝缘纸的抗张强度增加了14.13%;在1%的添加量内绝缘纸的介电常数、介电损耗都随纳米Al2O3含量的增加而减小。     

方波脉冲下纳米氧化铝掺杂对聚酰亚胺介电性能的影响

为了研究方波条件下纳米Al2O3对PI膜介电性能的影响,将粒径为60 nm的Al2O3纳米粒子作为无机填料添加到PI基体中,制作了掺杂量质量分数为1%,2%,5%,7%,10%的PI薄膜。测量了PI/Al2O3薄膜耐电晕性能和介电温度谱以及介电频谱,并用SEM镜观察了放电前后PI/Al2O3薄膜微观形貌。研究结果表明:Al2O3纳米粒子的掺入提高了复合薄膜的耐电晕性能;PI/Al2O3复合薄膜的相对介电常数(εr)与介质损耗正切(tanδ)值随着Al2O3含量升高而升高,其tanδ值随着频率的增加先减小后增大,在200 Hz处有最小值。在同一频率下,PI/Al2O3薄膜εr和tanδ表现出对温度的依赖性,tanδ在70℃与170℃附近出现两个峰值;且随着Al2O3含量的增高,tanδ介电峰向高温方向移动。PI基体中高分子链缠结在纳米粒子周围,纳米粒子所引入的界面以及在聚合物中表现的"钉扎效应"是影响PI/Al2O3复合薄膜介电性能的主要原因。     

纳米MgO/环氧树脂复合电介质的介电性能研究

将纳米Mg O颗粒与环氧树脂混合后制得不同掺杂量的纳米Mg O/EP复合电介质,采用SEM观察纳米Mg O在环氧树脂中的分散情况,采用DSC测试环氧复合电介质的玻璃化转变温度,并研究了纳米Mg O对环氧树脂介电性能的影响。结果表明:纳米Mg O颗粒在环氧基体中分散均匀,掺杂Mg O可以提高环氧树脂的玻璃化转变温度。随着纳米Mg O掺杂量的增加,介电常数先下降后上升,在掺杂量为1%时介电常数实部达到最小值,掺杂纳米Mg O使环氧树脂的中低频损耗明显降低;复合电介质的电导活化能和体积电阻率均随着纳米掺杂量的增加呈先上升后下降的趋势,在掺杂量为0.1%时电导活化能和体积电阻率达到最大;复合电介质的电气强度随着掺杂量的增加呈先上升后下降的趋势,当掺杂量为1%时电气强度达到最大值,相比纯环氧树脂提高了11.2%。     

室温无反应磁控溅射法制备ZAO导电薄膜及其特性研究

以氧化铝(Al2O3)掺杂的ZnO陶瓷靶材为基础,室温下采用无氧直流磁控溅射法在载玻片衬底上制备了ZnO∶Al(ZAO)透明导电薄膜,研究了不同的Al2O3掺杂量对薄膜微观结构、电阻率和透光率性能的影响。结果表明:掺杂量大于1%(质量分数,下同)的薄膜均呈c轴择优取向生长,薄膜致密无裂纹,具有光滑表面;掺杂量对薄膜的电阻率影响显著,当掺杂量为3%时,薄膜的电阻率最小,仅为7.4×10-3Ω.cm;掺杂量对薄膜的透光性无明显影响,不同掺杂量的薄膜在可见光区的平均透光率接近90%。     

环氧树脂/氧化铝导热复合材料的结构设计和制备

采用浇注成型制备环氧树脂/氧化铝(EP/Al2O3)导热复合材料。研究了Al2O3用量和偶联剂处理对复合材料导热性能和力学性能影响。结果表明,复合材料的导热系数随Al2O3用量的增加而增加,当Al2O3质量分数为50%时,复合材料的导热系数达到0.68 W/(m.K);弯曲强度和冲击强度则随Al2O3用量的增加先增加后降低,当Al2O3质量分数为5%时,复合材料力学性能达到最佳,表面改性使复合材料导热性能和力学性能得到进一步提高。复合材料导热率的实验结果与Maxwell_Eucken模型较吻合,但Maxwell_Eucken模型只适用于低填充情况。     

LED 3D封装基板用TPI/AlN纳米导热膜的制备与研究

通过原位聚合法制备了热塑性聚酰亚胺/氮化铝(TPI/Al N)纳米导热膜。研究了纳米Al N颗粒不同添加量对TPI/Al N纳米导热膜高压击穿(Hi-Pot)、热导率、剥离强度以及介电性能的影响。结果表明:TPI/Al N纳米导热膜的热导率随着纳米Al N填充量的增加而增大,并在质量分数为10%时达到最大值0.41 W/(m·K);而剥离强度随Al N填充量的增加先增大后减小;交收态的导热膜Hi-Pot在质量分数为3%时达到最大值2 k V(AC),继续添加纳米Al N到20%时,Hi-Pot值急剧下降;弯曲后的导热膜Hi-Pot在质量分数为0.5%时达到最大值1.34 k V(AC)。导热膜的介电常数(Dk)在低频范围时显著增大,在高频范围时变化不大,介质损耗(Df)随着频率的升高而显著增大。     

共沉淀法制备的Al掺杂LiNi_(1/3)Co_(1/3)Mn_(1/3)O_2的性能

在氢氧化物共沉淀法制备前驱体的过程中添加纳米Al2O3,进行Al掺杂,考察掺杂量x对Li(Ni1/3Co1/3Mn1/3)1-x AlxO2形貌和电化学性能的影响。x=0.02的产物以0.2 C在2.7~4.2 V充放电,第50次循环的容量保持率为95.7%,高于未掺杂样品的81.5%,循环性能随着放电倍率的增大而提高。     

磁粉矫顽力、体积分数以及形貌对2:17型钐钴注射粒料磁性能的影响

采用双螺杆混炼工艺制备2∶17型钐钴粒料,并注射成型粘结磁体。研究了磁粉的矫顽力、形貌以及体积分数对注射粒料磁性能的影响。结果表明,高内禀矫顽力不利于注射成型过程中钐钴磁粉的取向。改善磁粉的形貌有利于提高钐钴注射粒料的流动性。随着磁粉体积分数的增加,造粒过程中扭矩增大、注射粒料流动性降低、注射磁体密度增高。磁粉体积分数小于64.5vol%,粒料剩磁随着体积分数线性上升,体积分数超过64.5vol%,剩磁增加缓慢。优化工艺参数制备出磁性能为Br=0.65T、Hcb=422 k A/m、Hcj=659 k A/m、(BH)max=79.14 k J/m3的注射粘结磁体。     

BaTi0.75Zr0.25O3陶瓷的低温烧结及介电性能研究

通过掺入不同含量的B2O3对BaTi0.75Zr0.25O3(BZT)陶瓷进行低温烧结,研究其对介电性能的影响,并采用X射线衍射进行物相分析。结果表明:掺杂B2O3的BZT陶瓷在1 150℃烧结温度下得到的主晶相均为钙钛矿,且不存在明显的杂相。观察试样的表面形貌,当B2O3掺杂量为0%～1.5%时,陶瓷晶粒尺寸逐渐变大,而掺杂量为1.5%～2.5%时,晶粒尺寸稍微变小。随着B2O3含量的增加,BZT陶瓷的介电常数降低,介质损耗略微增大。与未掺杂的BZT陶瓷相比,掺杂B2O3的BZT陶瓷的烧结温度下降了300℃,掺杂1.5%B2O3的BZT陶瓷的结构和介电性能较好。     

纳米氧化铝改性聚酰亚胺薄膜的制备与研究

用溶胶-凝胶法制得纳米氧化铝溶胶,将其掺入到聚酰胺酸基体中,采用原位生成法制备了一系列不同掺杂量的PI/Al2O3复合薄膜。利用耐电晕测试装置、耐击穿测试装置、扫描电子显微镜(SEM)对薄膜进行了测试及表征。结果表明:随着掺杂量的提高耐电晕时间增大,当掺杂量为30%(质量分数)时PI薄膜的耐电晕时间为57.64 h,是未掺杂的15倍以上。随着掺杂量的提高杂化薄膜电气强度先增大后减小,但都比未掺杂的低。纳米氧化铝粒子在PI基体中分散较均匀。     

具有改良表面的粘结NdFeB磁体的磁性能

研究了粉粒表面涂层对粘结NdFeB磁体磁性能的影响.涂层和未涂层的NdFeB粉末分别与聚苯撑硫化物混合,压制成各向同性压坯.用Helmholtz线圈和SQUID测量其磁性能.结果表明:涂层可大大改进粘结磁体的不可逆磁通损失和磁能积.研究还表明:NdFeB粉末中由氧化而引起的软磁材料的存在降低了磁性粒子之间的相互作用,但涂层处理后由于内部粒子的耦合系数增加,从而使粘结磁体的剩磁提高.     

Y2O3、Ga2O3和B2O3共掺杂对ZnO压敏电阻微观结构和电气性能的影响

稀土元素的掺杂能显著提高ZnO压敏电阻的电压梯度(E_1mA),但却会导致泄漏电流的增加,从而致使ZnO压敏电阻的老化稳定性降低。为了解决稀土元素掺杂导致泄漏电流增加的问题,研究了Y₂O₃、Ga₂O₃和B₂O₃共掺杂对ZnO压敏电阻微观结构和电气性能的影响。掺杂的Y₂O₃通过钉扎效应能够显著抑制ZnO晶粒的生长提高样品的E_1mA。Ga₂O₃的掺杂则有助于提高晶界层的势垒高度(φ_b)、抑制泄漏电流密度(J_L)的增加。而B₂O₃的掺杂则有助于改善样品的液相烧结,避免具有高电阻率Y尖晶石相聚集现象的发生,传输通道的阻断有利于降低样品的J_L。此外,B₂O₃的掺杂能够促进ZnO晶粒与其他...