一种改进的中值滤波算法的研究

去除图像中的椒盐噪声是图像处理中的一个重要问题。传统的中值滤波算法,对所有的像素点采用相同的处理,使图像的细节变得模糊,同时降低了效率。本文针对这个问题,在多级中值滤波的基础上,提出了基于噪声点检测的多级中值滤波算法。通过Matlab仿真研究表明,该算法可以有效去除图像的椒盐噪声,并能更好的保护图像细节,同时具有很高的效率。     

基于神经网络噪声检测的自适应中值滤波器

针对椒盐噪声污染图像的滤波问题,提出了一种基于前馈神经网络的噪声检测器。基于这种噪声检测方法,采用自适应中值滤波算法,依据像素点的不同属性采用不同的滤波策略。实验结果表明,该算法在有效去除椒盐噪声的同时更好地保留了图像的边缘和细节,是一种有效的图像去噪方法。     

快速高效去除图像椒盐噪声的均值滤波算法

针对常见滤除椒盐噪声算法需要使用阈值、运算时间长、去除噪声效果不理想等缺陷,提出了一种快速高效去除图像椒盐噪声的均值滤波算法。新算法对滤波窗口下的疑似噪声像素,有针对性地选择少数信号像素构成信号像素集合,取集合中的元素均值对疑似噪声像素进行滤波。实验结果表明,对于噪声密度为1%到99%的图像,新算法均具有良好的去除噪声能力和保持细节能力,而且整个算法耗费时间很少,因而具有较大的实用性。     

一种用于抑制椒盐噪声的多窗口中值滤波器

该文提出了一种用于抑制椒盐噪声的多窗口中值滤波算法。算法在招待过程中根据具体情况采用不同大小的滤波窗口。仿真结果表明，与标准中值滤波算法相比，该方法不仅可以有效去除图像中的椒盐噪声，特别是在噪声密度非常大的情况下，表现了很好的性。     

一种抑制混合噪声的组合滤波算法

为了滤除图像中存在的混合噪声,提出了一种基于中值和均值的组合滤波算法。算法分两步进行,第一步采用改进的中值滤波算法过滤图像中的椒盐噪声;第二步将滤除椒盐噪声的图像采用均值滤波算法进行平滑,滤除高斯噪声。计算机仿真实验表明,组合滤波算法对于图像中的椒盐噪声和高斯噪声具有较好的滤除效果和细节保护作用,性能明显优于传统滤波算法。     

噪声密度不敏感的随机采样椒盐噪声滤波算法

中值滤波系列算法在处理被不同密度椒盐噪声污染的细节图像和平坦图像时,降噪性能不一致。本文借鉴开关中值滤波和压缩感知的思想,提出了随机采样滤波算法去除椒盐噪声。算法以噪声检测为基础,将被椒盐噪声污染的图像分为疑似噪声像素和信号像素,随机采样仅对信号像素采样。然后,利用正交匹配追踪算法重构出被污染前的图像,替代了中值滤波对噪声像素的估计。由于随机采样滤波基于压缩感知理论,对稀疏信号的重构具有最少测量次数的条件,因此随机采样点的数量具有一定的浮动空间,表现为对噪声密度不敏感。以被不同噪声密度污染图像的纹理、平坦局部区域进行验证,实验表明,当噪声密度在一定范围内变化时,算法可以实现对噪声密度不敏感。在高密度噪声污染的情况下,相较于中值滤波系列算法,随机采样滤波算法具有更好的细节保留能力和滤波能力。对标准测试图像进行了全局滤波,不同噪声密度具有一致的滤波效果,与自适应滤波算法相比,随机采样滤波算法在处理包含密集边缘特征的区域时更具备优势。      

噪声点位置已知的自适应滤波算法比较研究

高效滤除图像中椒盐噪声的方法大多采用先检测被污染图像中椒盐噪声的位置,再有针对性地对椒盐噪声进行处理的方法。噪声检测算法精度均较高,滤波质量与后续采用的自适应开关滤波算法息息相关。文中在图像椒盐噪声位置已知的情况下,比较研究了应用较为广泛的3种自适应开关滤波算法的去噪性能。     

基于浮选图像的高斯-椒盐噪声滤波算法

浮选图像采集和传输过程极易受到高斯-椒盐混合噪声的污染,严重了影响后续图像识别的精度.针对此种情况,结合多种传统滤波算法,提出一种去除高斯-椒盐混合噪声的有效算法.实验结果表明:提出的算法在去除浮选图像的混合噪声上要明显优于传统算法,且能够满足实时性需求,在滤除混合噪声上具有很好的参考价值.     

一种消除椒盐噪声的迭代自适应中值滤波算法

针对传统中值滤波算法对高密度椒盐噪声图像滤波效果差的问题,基于循环迭代处理思想,提出一种消除椒盐噪声的迭代自适应中值滤波算法。在传统基于决策滤波方法基础上,所提算法自适应调整滤波窗口尺寸并计算滤波窗口内非椒盐像素中值以替换噪声像素,进而根据噪声密度自适应决定算法迭代次数,以完全消除椒盐噪声并恢复原始图像。仿真结果表明,对噪声密度为10%～99%的图像,与标准中值滤波及其4种改进算法相比,所提算法能较快消除椒盐噪声且可较好恢复原始图像细节。     

基于噪声检测的高密度椒盐噪声自适应滤波算法

为了减少图像中的椒盐噪声对后续图像处理的影响,针对高密度噪声污染图像,提出了基于噪声检测的高密度椒盐噪声滤波算法。噪声检测方法理论可靠,保证了较高的噪声检测率,根据噪声点邻域信号点分布的不同采用不同的策略,能最大限度的保护图像的细节信息,使得高密度噪声污染图像也能得到较好地恢复。实验结果表明,所提出的滤波算法具有较强的自适应性、较高的算法保真率及较好的滤波效果。     

业务识别与控制技术及其测试评估

在传统Intemet网络逐步向多业务网络演进的过程中,监管者、运营商以及最终用户都对网络的可管可控能力提出了差异化的要求,业务识别与控制技术应运而生.作为IP领域的一项热点技术,该技术得到了广泛的关注并取得了迅猛的发展.在考虑来自不同主体需求的基础上,介绍了业务识别与控制技术.此外,还结合技术发展以及网络部署等要求,着重分析了该技术的测试评估方法及测试内容.     

箔条和箔片的性能特性及其应用和趋势

从箔条和箔片用于干扰雷达测和扰乱、迷惑、转移或者引诱进攻出发,详细论述箔条、箔条云及箔片、箔片云的雷达散射截面、带度、平移速度、下降速度及转动等情况,空间和时间我、水平和垂直极化性能、多普勒频移效应以及频谱展宽特性等,通过箔条和箔片有效成火控雷达实例,提出对抗火控雷达的三个重要因素及其采取的对策。     

"电路原理"与"信号与系统"课程的整合与优化

科学技术迅速发展,新兴学料不断增加,知识总量不断增长,迫使本科教育不断向着基础化方向发展,基础课程教学在本科教育中的地位愈来愈高。计算机技术的广泛应用,离散信号与系统的基础知识已是电气类各专业的必要的教学内容。因此基础课程要从根本上整体优化课程结构。本文提出了电气类专业“电路原理”与“信号与系统”课程教学改革方案,将两门课程教学内容进行整合与优化,并在实际教学过程中进行了教学试验,缩短了教学时间,提高了教学质量。     

Engineering education and industrial research and development-thepromise and the reality

The author observes that the social fabric of engineering, the support infrastructure of the profession, and the political and economic systems of the world are undergoing shifts that affect what engineering is, how it is accomplished, and what it should do. He asks what these changes mean in terms of the educational system and explores a few of these issues that lie between academia and the industrial environment beyond. He discusses the engineering curriculum as seen from industry, the role of continuing education, research in academia     

电压波动和闪烁的解析测量法及其应用与验证

文章介绍了针对特定电压变化特性的被测设备的、简单的、低成本的电压波动和闪烁的解析测量法,并将实际解析法测量计算结果与直接测量法结果进行了比较、验证,证明该方法切实可行,且符合标准规定的容差要求。     

“信号与系统”课程建设与教改的探索

信号与系统课程是高等院校电类专业一门重要的专业基础课程,本文以西安明德理工学院智能制造与控制技术学院的信号与系统课程建设与教学改革为例,介绍了我院在信号与系统课程资源建设和教学改革中的探索和实践。实践证明,本文提出的五维一体化线上线下课程资源建设和混合式教学改革能够有效推动教与学两个方面的变革,有效提高课程教学质量,为同类兄弟院校的同类课程建设和教学改革起到一定的借鉴作用。     

压电／电致伸缩材料及驱动器的新技术与应用

压电／电致伸缩驱动器是一种广泛使用的驱动器,文章概括总结了几种压电／电致伸缩新材料的发展方向,同时还介绍了几种新型驱动模式和超声电机的研究动态,并对压电／电致伸缩驱动器的发展前景予以展望。     

光交叉连接和光插分复用技术及其应用

目前所谓的全光网络一般指基于DWDM传送技术的光传送网络（OTN）。由于OTN的节点采用OADM和OXC技术,为解决目前点到点的DWDM技术在应用中不能实现灵活组网和当网络失效时不能有效进行保护的问题提供了一种解决方法,使得OTN具有传输容量大、组网灵活、网络具有可扩展性和可重构性、易于升级等特点,可透明传输具有代码格式的不同速率等级的用户数字信号,能够同时适应用户信号种类用服务种类不断增长的需求。     

Thin film deposition and microelectronic and optoelectronic devicefabrication and characterization in monocrystalline alpha and betasilicon carbide

The deposition of silicon carbide thin films and the associated technologies of impurity incorporation, etching, surface chemistry, and electrical contacts for fabrication of solid-state devices capable of operation at temperatures to 925 K are addressed. The results of several research programs in the United States, Japan and the Soviet Union, and the remaining challenges related to the development of silicon carbide for microelectronics are presented and discussed. It is concluded that the combination of α-SiC on α-SiC appears especially viable for device fabrication. In addition, considerable progress in the understanding of the surface science, ohmic and Schottky contacts, and dry etching have recently been made. The combination of these advances has allowed continual improvement in Schottky diode p-n junction, MESFET, MOSFET, HBT, and LED devices