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本文报导了非故意掺杂ＩｎＧａＡｓＳｂ本底浓度的降低和掺Ｔｅｎ型ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的ＭＢＥ生长与特性的研究结果。结果表明，通过生长工艺的优化，ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的背景空穴浓度可分别降至１．１×１０~（１６）ｃｍ~（－３）和４×１０~（１６）ｃｍ~（－３），室温空穴迁移率分别为９４０ｃｍ２／ｖ．ｓ和２６０ｃｍ~２／ｖ．ｓ。用Ｔｅ作ｎ型掺杂剂，可获得载流子浓度在１０~（１６）～１０~（１８）ｃｍ~（－３）的优质ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ外延层，所研制的材料已成功地制备出Ｄ_λ~＊＝４×１０~（１０）ｃｍＨｚ~（１／２）／Ｗ的室温ＩｎＧａＡｓＳｂ红外探测器和室温脉冲ＡｌＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＳｂ双异质结激光器。 相似文献
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４７．Ｄｕｔｙｏｆｐａｃｋｅｒｓａｎｄｉｍｐｏｒｔｅｒｓａｓｔｏｑｕａｎｔｉｔｙ．（１）Ｉｔｓｈａｌｌｂｅｔｈｅｄｕｔｙｏｆａｐｅｒｓｏｎ（ｗｈｏｉｓｔｈｅｐａｃｋｅｒｏｒｉｍｐｏｒｔｅｒｏｆｒｅｇｕｌａｔｅｄｐａｃｋａｇｅｓｔｏ）ｅｎｓｕｒｅｔｈａｔｗｈｅｎａｇｒｏｕｐｏｆｔｈｅｐａｃｋａｇｅｓｍａｒｋｅｄｗｉｔｈｔｈｅｓａｍｅｎｏｍｉｎａｌｑｕａｎｔｉｔｙｉｓｓｅｌｅｃｔｅｄｉｎｔｈｅｐｒｅｓｃｒｉｂｅｄｍａｎｎｅｒａｎｄｔｈｅｐａｃｋａｇｅｓｉｎｔｈｅｇｒｏｕｐｏｒｓｕｃｈａｐｏｒｔｉｏｎ… 相似文献
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拉丁美洲国家的包装策略ＰａｃｋａｇｉｎｇＳｔｒａｔｅｇｉｅｓＩｎＬａｔｉｎＡｍｅｒｉｃａＥｄｕａｒｄｏＣｒｕｚＰｒａｄｏ￥（墨西哥）Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＬａｔｉｎＡｍｅｒｉｃａｃｏｍｐｒｉｓｔＳｏｕｔｈＡｍｅｒｉｃａｗｉｔｈ１３ｃｏｕｎｔｒｉｅｓａｍｏ... 相似文献
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Yin Fengfu Wang ZunyuanDepartment of Plant Engineering ShanDong Institute of Engineering ZiBo city ShanDong Province P.R.ChinaJing YuanchangBeijing Graduate School China University of Mining Technology Beijing P.R.C 《国际设备工程与管理》1998,(2)
ｉｒｅｃｔ Ｒｅａｄｉｎｇ Ｆｅｒｏｇｒａｐｈ Ｐｒｅｃｉｐｉｔａｔｏｒ ＴｕｂｅTX１ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＴｈｅＤｉｒｅｃｔＲｅａｄｉｎｇ（ＤＲ）Ｆｅｒｏｇｒａｐｈｉｓａｓｉｍｐｌｅｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｔｈａｔｉｓｓｕｉｔａｂｌｅｆｏｒｕｓｅａｔ... 相似文献
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本文用ＧＳＭＢＥ技术生长纯度ＧａＡｓ和δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ结构二维电子气材料并对其电学性能进行了研究。对于纯度ＧａＡｓ的ＧＳＭＢＥ生长和研究，在低掺Ｓｉ时，载流子浓度为２×１０~（１４）ｃｍ~（－３），７７Ｋ时的迁移率可达８４，０００ｃｍ~２／Ｖ．ｓ。对于用ＧＳＭＢＥ技术生长的δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二维电子气材料，在优化了材料结构和生长工艺后，得到了液氮温度和６Ｋ迁移率分别为１７３，５８３ｃｍ~２／Ｖ．５和７．６７×１０~５ｃｍ~２／Ｖ．ｓ的高质量ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二维电子气材料。 相似文献
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液氮冷冻治疗皮肤病１４５例疗效观察朱耀芬（中国科学院低温技术实验中心北京１０００８０）ＯｂｓｅｒｖａｔｉｏｎｏｎｔｈｅＴｈｅｒａｐｅｕｔｉｃＥｆｆｉｃａｃｙｉｎ１４５ＣａｓｓｅｓｏｆＤｅｒｍａｔｏｓｉｓ液氮是目前医学科学中应用最广泛的冷冻剂，其沸点为... 相似文献
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液氮冷冻治疗宫颈糜烂７５例临床分析Ｃｌｉｎｉｃａｌａｎａｌｙｓｉｓｏｆ７５ｃａｓｅｓｏｆｕｔｅｒｏｃｅｒｖｉｃａｌｔｉｓｔｒｅａｔｅｄｗｉｔｈｌｉｑｕｉｄｎｉｔｒｏｇｅｎ边二堂王秀花（大同医专皮肤科）（繁峙县城关医院）宫颈糜烂的治疗方法诸多，但疗效均... 相似文献
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镀制汽车灯具的工艺探讨杨洪森（核工业西南物理研究院车灯厂）ＳｔｕｃｄｏｎｔｈｅＰｒｏｃｅｓｓＧｏａｔｉｎｇＭｏｔｏｒＬｉｇｈｔｅｒｓ￥ＹａｎｇＨｏｎｇｓｅｎ（ＭｏｔｏｒＬｉｇｈｔｅｒＦａｃｔｏｒｙ，ＮｕｃｌｅａｒＩｎｄｕｓｔｒｙｓｏｕｔｈｗｅｓｔｅｒ... 相似文献
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影响纸塑覆合产品质量因素分析（续）ＴｈｅＦａｃｔｏｒＡｆｅｃｔＱｕａｌｉｔｙｏｆＬａｍｉｎａｔｅｄＰｒｏｄｕｃｔ曹华＊ＣａｏＨｕａＴｈｅｑｕｌｉｔｙｏｆｌａｍｉｎａｔｅｄｐｒｏｄｕｃｔｉｓｉｎｆｌｕｅｎｃｅｄｂｙｍａｎｙｆａｃｔｏｒｓ，ｓｕｃｈａｓｍ... 相似文献
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《国际设备工程与管理》1996,(1)
ＴｉｍｅＦｒｅｑｕｅｎｃｙ（ｓｃａｌｅ）ＡｎａｌｙｓｉｓａｎｄＤｉａｇｎｏｓｉｓｆｏｒＮｏｎｓｔａｔｉｏｎａｒｙＤｙｎａｍｉｃＳｉｇｎａｌｓｏｆＭａｃｈｉｎｅｒｙＨｅＺｈｅｎｇｊｉａＭｅｎｇＱｉｎｇｆｅｎｇＺｈａｏＪｕｙｕａｎＬｉｕＸｉｎｍｉｎｇＤｅ... 相似文献
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热阴极电离真空计问答王逊（北京大学无线电电子学系）ＡｎｓｗｅｒｓａｎｄＱｕｅｓｔｉｏｎｓｏｎＨｏｔ－ｃａｔｈｏｄｅＶａｃｕｕｍＩｏｎｉｚａｔｉｏｎＧａｕｇｅ￥ＷａｎｇＸｕｎ（Ｄｅｐ．ｏｆＲａｄｉｏａｎｄＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，ＢｅｉｊｉｎｇＵｎｉｖｅ... 相似文献
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利用我们研制的常压ＭＯＶＰＥ设备对国产ＴＭＧａ、ＴＭＡｌ、ＴＭＩｎ和ＴＭＳｂ进行了鉴定，为此分别生长了ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＳｂ外延层和ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ、ＧａＳｂ／ＩｎＧａＳｂ超晶格和ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱结构。表征材料纯度的７７Ｋ载流予迁移率分别达到ＧａＡｓ：μ＿ｎ＝５６６００ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，Ａｌ＿（０．２５）Ｇａ＿（０．７５）Ａｓ：μ＿ｎ＝５１６０ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，ＩｎＰ：μ＿ｎ＝６５３００ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，ＧａＳｂ：μ＿ｐ＝５０７６ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ。由１０个周期的ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ超晶格结构组成的可见光区布拉格反射器已观测到很好的反射光谱和双晶Ｘ射线回摆曲线上高达±２０级的卫星峰。ＧａＡｓ／Ａｌ＿（０．３５）Ｇａ＿（０．６５）Ａｓ量子阱最小阱宽为１０，在ｌｉＫ下由量子尺寸效应导致的光致发光峰能量移动为３９０ｍｅＶ，其线宽为１２ｍｅＶ。这些结果表明上述金属有机化合物已达到较高质量。 相似文献
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包装机械设计中的并行工程技术ＣｏｎｃｕｒｅｎｔＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙｏｎＰａｃｋａｇｅＭａｃｈｉｎｅＤｅｓｉｇｎ胡继强＊ＨｕＪｉｑｉａｎｇＣｏｎｃｕｒｒｅｎｔＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ（ＣＥ）ｉｓｏｎｅｏｆｔｈｅａｄｖａｎｃｅｄｔｅｃ... 相似文献
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在Ｎ２气氛中，用蒸发冷凝法，制备了不同平均粒径（１２￣１００ｎｍ）的Ｆｅ－２９ｗｔ％／Ｎｉ合金超细微粒样品。它们是马氏体ａ’（ｂｃｃ）和奥氏体ｒ（ｆｃｃ）的混合体。随样品的平均粒径减小，马氏体体积分数明显增加。在加热过程中，随平均粒径减小，ａ’→ｒ逆马氏体转变温度（Ａｓ和Ａｆ）降低，转变温度范围（Ａｓ－Ａｆ）变窄。在冷却过程中（直到７７Ｋ），没有发现ｒ→ａ’马氏体转变。对奥氏体稳定化的原因，进行了 相似文献
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分子束外延生长室内晶片生长过程中真空度的测量张伯文（复旦大学）ＶａｃｕｕｍＭｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｄｕｒｉｎｇｔｈｅＰｒｏｃｅｓｓｏｆＣｒｙｓｔａｌＣｈｉｐＧｒｏｗｔｈｉｎｔｈｅＧｒｏｗｔｈＣｈａｍｂｅｒｏｆＭｏｌｅｃｕｌａｒＢｅａｍＥｐｉｔａｘｙ￥Ｚ... 相似文献
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冷冻治疗上颌窦炎８４例体会ＯｂｓｅｒｖａｔｉｏｎｓｏｎｔｈｅＣｕｒｅｔｉｏｎＥｆｅｃｔｏｆｔｈｅ８４ＣａｓｅｓｏｆＭａｘｉｌａｒｙＳｉｎｕｓｉｔｉｓＣｕｒｅｄｂｙＣｒｙｏｔｈｅｒａｐｙ张丽芬胡振叶（福州市中医院）（东方医院）上颌窦炎是耳鼻喉科的常见病... 相似文献
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ＧａＩｎＡｓＳｂ是红外探测器中重要的半导体材料之一。我们用水平常压金属氧化物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）技术在ｎ型ＧａＳｂ衬底上成功地生长了ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层，用ＰＬ谱、红外吸收谱、Ｘ射线衍射和扫描电子超声显微镜（ＳｃａｎｎｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎＡｃｏｕｓｔｉｃＭｉｃｒｏｓｃｏｐｙ，ＳＥＡＭ）等实验手段对ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层进行了表征。用ＧａＩｎＡｓＳｂ材料制作的红外探测器的光谱响应的截止波长达２．４μｍ，室温探测率Ｄ＊达１×１０９ｃｍＨｚ（１／２）／Ｗ，２．２５μｍ波长时的量子效率为３０％。本文首次给出了ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层的扫描电子超声显微镜像（ＳＥＡＭ像），为扫描电子超声显微镜在半导体材料方面的应用开辟了一个新的领域。 相似文献