一种光电式电压传感器及其温度漂移补偿方法

提出了一种利用发光二极管(LED)电致发光(EL)效 应的光电式电压传感器,其传感单元仅由一个电阻器和 两个LED组成。被测交流电压施加于一个高阻值(例如100MΩ)的电 阻器,产生μA级的泄漏电流并驱动 两个LED发光,用两根塑料光纤将此光强传输至光电探测器,则通过测量光强度即可获知被 测电压。选用 阻值约为100MΩ的电阻器,在室温条件下实验测量了0.2~5.5kV的工频电压,传感器输出与被测电压有效 值之间存在较好的线性关系,其非线性误差低于 3.1%。同时,提出并 实验验证了一种利用两路光传感信号 实现电压传感器输出随温度漂移的补偿方法,在5.5kV的被测电压范 围及－40～+60℃的温度范围内,补偿 后传感器输出的温度漂移约为±2.1%。本文的光电式电压传感器不需 要额外光源,并具有结构简单、成本低等优点。     

基于水热法生长的硅酸铋晶体光学电压传感器

提出一种基于水热法生长的硅酸铋(BSO,Bi12SiO20)晶体型光学电压传感器,其电压传感单元主要包括一块BSO晶体和两个偏振器,不需要附加1/4波片。实验结果表明,所用BSO晶体样品具有显著的线性电光效应,可以用于测量交流电压;通过合理利用BSO晶体自身自然旋光性,可以使其电压单调及线性测量范围均大于以往基于无自然旋光性晶体的电压传感器。实验所用BSO晶体的自然旋光角度约为132°。实验数据表明,在电光相位延迟的峰-峰值为2π范围以内,传感器输出电压仍然能够随被测电压单调地变化。在被测工频电压有效值为108~1300V范围内,实验测量了传感器输出电压随被测电压变化的非线性响应特性;在利用应力双折射产生的相位延迟提供光学偏置的条件下,在一定电压范围内,可以实现工频交流电压的线性测量,相应的电压测量灵敏度约为0.027 6mV/V,非线性误差小于3.1%。     

芴类衍生物有机电致发光器件中的激基复合物

利用紫外-可见光吸收光谱和荧光发光(PL)光谱,研究了新型芴类小分子材料2,3-bis(9,9-dihexyl-9H-flu-oren-2-yl)-6,7-difluoroquinoxaline(F2Py)的本征光谱特性,并制备了基于F2Py的有机电致发光器件(OLEDs),讨论了器件的电致发光(EL)光谱。结果表明,F2Py在溶液状态下的本征PL峰值位于452 nm,在薄膜状态下的本征PL峰值位于448 nm,而F2Py与NPB的混合物的PL发光峰在544 nm。在器件的EL光谱中,观察到了位于530~550 nm范围的激基复合物发光峰,以及来自F2Py与NPB激子发光的共同作用形成的位于430nm左右的肩峰。当F2Py层厚度为50 nm时,器件的启亮电压为17 V,最高亮度为58 cd/m2;而当F2Py厚度为20 nm并加入了Alq3(10 nm)做电子传输层(ETL)时,器件启亮电压为8 V,最高亮度为5030 cd/m2,EL性能大大提高。     

基于场效应管的光电式电流传感器

提出一种新型光电式电流传感器。利用电流取样电阻将被测电流转换为电压,并利用场效应管(FET)的转移特性和发光二极管(LED)将被测电流信号转换为光强度信号,再将光信号由塑料光纤(POF)传输到光电探测器(PD),可以实现直流电流(DC)、方波脉冲电流(PC)以及工频交流电流(AC)的光学传感。综合利用FET的转移特性和PD的开路电压,并合理选择FET的静态工作点,可以实现DC的线性传感。在0.03～17.00A范围内,DC测量的非线性误差低于0.44%;方波脉冲电流响应的延迟时间约为160ns。本文提出的传感器具有响应速度快、结构简单、成本低和可实现绝缘测量等优点。     

利用多掺杂体系制备白色OLED的研究

利用PVK、Eu(aspirin)3phen稀土配合物和Alq3共掺杂体系,制备了PVK:Eu(aspirin)3phen:Alq3为发光层、结构为ITO/PVK:Eu(aspirin)3phen:Alq3/BCP/Alq3/Al的有机发光二极管显示器件(OLED).保持PVK和Eu(aspirin)3phen的质量比为5∶1不变,改变PVK和Alq3的质量比,当PVK和Alq3的质量比为10∶1,得到了效果较好的白光,在电压为16 V时,器件色坐标达到(0.32,0.31),亮度为150 cd/m2.分析了掺杂体系中的能量传递过程以及器件的电致发光(EL)机理.     

LP-MOCVD法制作n-ZnO/p-Si异质结及其电致发光研究

采用低压-金属有机化学气相沉积法(LP-MOCVD)在(100)p-Si衬底上制备未掺杂n型ZnO薄膜,并制作了相应的n-ZnO/p-Si异质结器件.通过X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)光谱和霍尔测试分别研究了所制备薄膜的结构、光学和电学特性.得到具有较高质量的n型ZnO薄膜.在室温条件下,测得了该类异质结器件正向注入电流下可见光和近红外区域的电致发光(EL).     

Tb配合物TbY(o-MOBA)6(phen)2·2H2O的电致发光器件

合成了一类新型稀土配合物TbY(o-MOBA)6(phen)2·2H2O,将其掺杂到导电聚合物聚乙稀咔唑(PVK)中获得了纯正、明亮的绿光发射.用这种掺杂体系分别制作了2类器件:1) ITO/PVK:TbY(o-MOBA)6(phen)2·2H2O/LiF/Al;2) ITO/PVK:TbY(o-MOBA)6(phen)2·2H2O/BCP/AlQ/LiF/Al.器件1的起亮电压为13 V,在21 V时最大亮度为18.2 cd/m2;结构优化的器件2,在23 V 时最大亮度可达124.5 cd/m2.将这种材料的发光性能与另一种稀土配合物Tb(o-MOBA)3phen·H2O相比较,并分别讨论了其光致发光(PL)和电致发光(EL)机理.     

一种基于液晶性质的Pt配合物磷光材料电致发光器件

采用聚合物掺杂的方式,利用旋涂工艺制备了ITO/PVK:TOPPt/BCP(20 nm)/Mg:Ag(200 nm)结构的有机电致发光器件(OLED)。对掺杂浓度为2%(器件A)和4%(器件B)的磷光聚合物掺杂体系的光致发光(PL)和电致发光(EL)性质进行了分析研究,并对主体材料PVK到磷光客体材料TOPPPt的能量传递机制进行了讨论。实验表明,器件的EL谱谱峰位于625 nm,器件A在25 V时最大亮度为3037 cd/m2,最大电流效率为3.15cd/A。器件的EL谱不会随着偏置电压和掺杂浓度而改变,器件具有较好的稳定性。     

纳米ZnO光学性质研究进展

介绍了纳米ZnO常见发光谱的发光机制。在室温光致发光谱(PL)中,一般在380 nm处出现紫外发光,也有报道在357和377 nm处的紫外发光,列举了几种不同的发光解释。对于深能级发光,一般在400～550 nm出现连续的发光带,也有观察到深能级的声子伴线和声子复制现象。在低温光致发光谱的紫外发射中,一般观察到由自由激子发射(FX)、中性施主束缚激子发射(D0X)、施主-受主对跃迁峰(DAP)、中性施主束缚激子对应的双电子卫星峰(TES)以及声子伴线。综述了纳米ZnO的喇曼光谱、透射光谱、电致发光谱(EL)的特征,最后展望了纳米ZnO的光学性能研究前景。     

新型有机光伏及电致发光器件研究

用物理气相沉积(PVD)的方法制备了结构为ITO／m-MTDATA／Bphen／LiF／Al有机异质结光估器件。在能量为4mW／cm^2的365nm波长的紫外光从ITO电极方向照射下,器件的开路电压、短路电流和填充因子分别为1．3V、0．089mA／cm^2和0．22,对应的能量转换效率为0．64％;在直流电压驱动下,器件表现电致发光(EL)特性,发黄色光,其阈值电压为4V,14V时达到最大亮度为1350cd／m^2,研究证明它来自于有机界面的激基复合物发射。     

VGA信号分配及远程传输系统

介绍了基于电压跟随的视频VGA信号分配的原理以及实际电路的设计,以实现视频信号本地的多路显示。视频信号在实现远程传输时,需对视频信号进行放大,增大信号的驱动能力。为此,介绍了基于EL4543差分放大的视频信号远程传输发送端电路及其工作原理;在远程接收端,通过EL9111差分接收和EL9115的模拟补偿,恢复视频信号。采用本设计的视频传输距离可达200m左右。     

利用EL7516作为高效、高电流的白光LED驱动器

本文给出了利用EL7516升压芯片驱动大电流LED的高效电路.     

半绝缘GaAs光导开关不完全击穿前后暗态电阻降低原因新探

为了进一步理解光导开关非线性工作模式机理,通过实验以及理论研究方法,研究了半绝缘GaAs光导开关工作于非线性模式下在不完全击穿前后暗态阻值的变化,认为击穿阶段和锁定阶段改变了材料内部位错区域As原子的形态以及局部电子陷阱EL2的浓度,导致了击穿后暗态阻值的减小。     

EL场致显示技术及其在便携式电子系统中的应用

介绍了EL场致显示技术及如何构建EL显示控制模块以便对EL屏进行显示控制的原理和方法,给出了控制模块的设计框图及实际的电路连接图。最后给出了该接口技术的软件设计流程图和初始化程序。     

Transient analysis on stored charges in organic light-emitting diodes and their application in alternating current driven electroluminescence

AC-driven organic light-emitting diodes (OLEDs) can overcome some reliability-related drawbacks to traditional DC-OLEDs. They imply the use of insulating layers in the device. In this work OLEDs containing an insulating layer of poly (methyl methacrylate) (PMMA) in storing charges with the thickness of 2, 6, 8, 10 nm have been prepared and investigated. The emission mechanisms of the device are analyzed considering transient and AC electroluminescence (EL) measurements. We show that charges are stored in the PMMA layer as surface charges and bulk charges. The former contribute to the occurrence of EL spike after the driving pulse with a decay tail for about 80 μs to 10nm PMMA device, and the latter can be released to emit light under reversed voltage more than 2 V because they are immobile unless under the stronger reversed field. Stored charges commonly are harmful for the performance of OLEDs devices due to quenching, nonradiative transition and the thermal energy accumulation even degradation. Whereas when operating under alternating current (AC) stress, we not only obtain the EL peak from injection charges under forward voltage, but also obtain another peak below the built-in voltage 4.3 V, whose peak point lies in −0.2 V. It turns to originate from stored charges so they become beneficial instead of weakening EL for reusing to produce light. All the results pave the way to realize AC driven OLEDs devices using these stored charges, to uncover the AC EL mechanisms and to improve their EL performance.     

非掺杂半绝缘LECGaAs中电参数与碳浓度及EL2浓度的关系

利用范德堡方法和光吸收方法研究了非掺杂半绝缘（ＳＩ）ＬＥＣＧａＡｓ 中电参数与碳（Ｃ）浓度及ＥＬ２ 浓度的关系。通过比较实验结果和理论计算结果发现，这种半绝缘晶体中除Ｃ外还存在其它受主在电补偿中起重要作用     

粉末电致发光的新应用—一种光神经器件

近年来，人工神经风格与神经网络计算机的研究在世界范围内已形成一个热点，本文通过对电致发光材料的各种特性的讨论，分析了固体化平板电致发光作为一种光神经器件的一些特点，指出它在神经网络实现中有很好的应用前景。     

有机电致发光器件的研究及专利

介绍了国外正蓬勃开展研究的有机电致发光（ＥＬ）器件的研究发展过程、器件结构、制作和发光机理,报道了１９８９～１９９７年日本公开的专利申请、１９８９～１９９６年美国专利授权中有关有机和无机ＥＬ器件的情况,列出了世界上从事有机ＥＬ器件研究的主要公司及其专利申请,展现了ＥＬ器件的发展趋势。     

LED用于LCD背光源的前景展望

随着液晶显示(LCD)模组不断向更亮、更轻、更薄、尺寸更大的方向发展，对背光源的要求也就越来越高，本文介绍了目前LCD的背光源：冷阴极荧光灯(CCFL)、电致发光(EL)和发光二极管(LED)背光源，特别是LED背光源及其相关动态，通过LED与CCFL和EL的比较，预测LED将成为LCD理想的背光源。     

噻吩类化合物电致发光材料的研究进展

综述噻吩类化合物在电致发光材料领域的研究进展,重点介绍噻吩类化合物中聚合物类的烷基取代噻吩和烷氧基取代噻吩。并评述噻吩类电致材料的发展前景。