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为了进一步理解光导开关非线性工作模式机理,通过实验以及理论研究方法,研究了半绝缘GaAs光导开关工作于非线性模式下在不完全击穿前后暗态阻值的变化,认为击穿阶段和锁定阶段改变了材料内部位错区域As原子的形态以及局部电子陷阱EL2的浓度,导致了击穿后暗态阻值的减小。 相似文献
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为了进一步理解光导开关非线性工作模式机理，通过实验以及理论研究方法，研究了半绝缘GaAs光导开关工作于非线性模式下在不完全击穿前后暗态阻值的变化，认为击穿阶段和锁定阶段改变了材料内部位错区域As原子的形态以及局部电子陷阱EL2的浓度，导致了击穿后暗态阻值的减小。 相似文献
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