一种L波段宽带功率放大器的设计

利用反馈法实现了L波段宽带功率放大器末级功率管的宽带化设计,采用小信号S参数法和负载牵引法分别对前级和末级功率管进行了匹配电路设计。通过ADS软件对整个功放电路进行了模拟和仿真并最终完成了L波段宽带功率放大器设计。实测结果表明,该功放的峰值发射功率大于50 W,占空比可达20%,相对带宽约为25%,满足系统指标要求。     

S频段300W固态功率放大器的设计

本文介绍了S频段300W功率放大器的设计与实现,具有高功率、小型化的优点。对于S频段LDMOS外匹配型功率管,最重要是匹配电路的设计,匹配电路关系着功率管性能的实现,难度较大,而本次设计更需要超频段使用。本文利用仿真软件ADS对匹配电路进行了设计,采用超频段匹配技术,在实际设计过程中进行了优化处理,测试结果表明设计的功率放大器满足指标要求。针对功率放大器设计了监测与控保电路,对功率放大器的状态进行监测,对异常情况进行了保护性设计,实现了功率放大器的健康管理。     

S波段1OWLDMOS功率管匹配电路设计

RFLDMOSs}／率管具有高输出功率、高增益、高线性、良好的热稳定性等优点,广泛应用于移动通信基站、数字广播电视发射以及射频通信领域、微波雷达系统。阻抗匹配是LDMOS~率管应用电路设计的关键任务,LDMOS功率管匹配电路的主要任务是实现功率管的最大功率传输。文中选择中国电子科技集团公司第58研究所研制的S波段10wLDMOS功率管,利用微波仿真工具ADS设计外匹配电路。经过精心调试后,s波段LDMOSs}／率管输入回波损耗、增益、输出功率、效率、谐波等技术指标达到设计要求。完成匹配电路设计的S波段LDMOS功率管在3．1～3．4GHz频率范围内,输出功率大于13．8W,功率增益大于12．4dB,效率大于37．9％。     

一种NPN型功率管驱动电路的设计

为NPN型功率管的降压型开关电源芯片设计了一种驱动电路。针对功率管工作在导通状态下的导通损耗和在开关状态转换中的开关损耗,设计了自举电路,使功率管饱和;设计了加速电路,缩短了功率管状态转换所用时间,降低了功率管损耗。在2 μm双极型工艺下进行仿真,结果显示,功率管工作在饱和区,导通损耗小,开关转换速度快,可满足高开关频率的要求。     

S波段超宽带固态功率放大器的研制

本文结合一款新研制的S波段超宽带固态功率放大器,介绍了超宽带固态功率放大器的设计理论和方法,根据砷化镓场效应晶体管的小信号S参数和I-V曲线,用微波仿真软件对功率管的输入、输出阻抗匹配电路及其偏置电路进行优化仿真设计.通过制作并测试此放大器,验证了该设计方法的可行性.最后,给出了测试数据,它在2GHz～4GHz的频带范围内,输入功率为40mW时,输出功率大于20W,带内功率起伏小于1.5dB.     

RF-LDMOS射频功率器件内匹配电路设计

介绍了一种RF-LDMOS功率器件内匹配电路的设计方法.首先通过ADS/De-Embed提取管芯的S参数,得到其输入阻抗;然后建立LC内匹配电路,确定电容值、电感值以及提升的目标阻抗值;最后在HFSS中建立金丝键合线模型,确定金丝键合线的长度及根数,完成内匹配电路的设计.该内匹配电路设计的目的是将管芯的输入阻抗提升为较大的阻值,使得在PCB上进行外匹配设计更为方便.设计仿真结果表明,通过在管壳内加入合适的内匹配电路,在目标频率1.2GHz时,将管芯的输入阻抗从0.8 Ω提升到12.4Ω,S11小于-46 dB,符合设计要求.为LDMOS功率器件设计者提供了一种有效的内匹配设计方法.     

基于ADS8364高速数据采集模块接口设计

在某复杂武器装备检测信号数据采集模块设计中,为实现对多路检测信号的实时精确采集,采用ADS8364与ADSP-BF533芯片相结合的方案。设计了基于ADS8364与ADSP-BF533的高速数据采集模块接口电路和A/D采集控制流程,系统测试表明,接口电路可以实现对装备复杂检测信号的实时精确采集和处理,数据传输速率高,传输稳定。     

ADS5270及其在光子谱仪中的应用

随着高能物理实验中粒子加速器能级的不断提高,探测器的规模逐渐增大,探测器对前端电子设备中信号采集电路的性能和速度的要求也越来越高.介绍了高速串行模敷转换器ADS5270的工作原理、主要特性及应用电路.着重讨论了光子谱仪中ADS5270接口电路的设计和ADS5270在应用中的噪声耦合、复位和时钟停止问题.     

COMS LNA的ADS设计研究

结合一个具体的低噪声放大器(LNA)设计实例,介绍了如何运用射频设计软件ADS(Advanced Design System)对CMOS低噪声放大器进行电路设计和仿真。设计中先初步构建了一个共源共栅结构的低噪声放大器电路,然后利用ADS对电路进行调试和优化,结合调试的过程说明了使用ADS的一些方法和技巧,并且最终设计出低功耗、低噪声、高增益、高稳定性的低噪声放大器,仿真的各项参数都达到了预期的指标要求。     

一种用于功率MOSFET的分段驱动电路设计

为减弱栅极电压过冲振荡,避免功率管在导通和关断过程中对系统以及其他电路产生的电磁干扰,提出了一种新型功率管驱动电路。该电路通过逻辑信号的分段控制,使得被驱动功率管缓慢开启和关断,研究了传统功率驱动电路的模型与工作过程,分析了功率管导通损耗的来源,提出驱动电路的要求,详细阐述了所设计的驱动电路的工作原理与工作过程,整个驱动电路采用0.18μｍ工艺在平台Cadence Spectre仿真并通过PCB板测量实现。理论与仿真结果表明,该设计可以有效达到减弱功率管过冲与振荡的要求,保证系统的稳定。     

用于雷达的LDMOS微波功率放大器设计

硅LDMOS晶体管以其大输出功率和高效率等优点作为微波功率放大器广泛应用于雷达发射机中.在大信号S参数无法获得而厂家提供的1710 MHz～2110 MHz范围内的源阻抗和负载阻抗参数又不能用时,利用一公司的ADS软件,采用负载牵引法得到了输入和输出阻抗.在对晶体管绝对稳定性分析的基础上,运用共轭匹配,成功设计出P-1大于30W、功率增益在1580MHz～1650 MHz频率范围内、增益保持在30dB以上和PAE大于30%的2级LDMOS微波功率放大器.同时,得到了最终的版图并且运用MOMENTUM对它进行了2.5D仿真,得到了理想的结果.     

用ADS进行宽带微波功放的仿真设计

宽带大功率微波功放在通信对抗中的应用越来越广泛，而宽带功放的设计在国内还处于起步阶段。介绍了一种用ADS技术来设计宽带微波功放模块的方法，利用MESFET功放管提供的静态Ⅳ特性曲线和小信号S参数，分别优化放大器的输入输出匹配电路，以期达到宽频带大输出功率的目的。通过一个1～2GHz 10W功放模块的设计实例，较为详细地介绍了ADS技术在设计过程中的应用，最后给出了试验电路的测试结果。     

L波段小信号放大器ADS设计与仿真

对小信号晶体管放大器的设计步骤、设计理论进行了阐述,利用ADS软件通过实例详细地设计了L波段小信号放大器,并给出了仿真结果.仿真结果表明,放大器匹配电路设计完全满足性能指标要求.本文提出的利用ADS软件对L波段的LNA和小信号功率放大器的设计方法可以加速放大器产品化进程,具有重要的实用价值.这种放大器主要应用于微波中继、数字音频卫星直播、全球定位系统等无线系统中.     

基于ADS的功率放大器设计与仿真

为了使射频功率放大器输出一定的功率给负载,采用一种负载牵引和源牵引相结合的方法进行功率放大器的设计。通过ADS软件对其稳定性、输入/输出匹配、输出功率进行仿真,并给出清晰的设计步骤。最后结合设计方法给出一个中心频率为2.6GHz、输出功率为6.5W的功率放大器的设计及优化实例和仿真结果。仿真结果表明,这种方法是可行的,满足设计的要求,并且对功放的设计有着重要的参考价值。     

A wide-band class AB monolithic power amplifier

A class AB Si monolithic power amplifier which achieves DC to 830-MHz small-signal bandwidth and delivers +20 dBm at 1-dB gain compression power and 100 MHz to a 50-Ω load is described. The circuits dissipates 540-mW quiescent power from a 12-V supply and has input and output impedances matched to 50 Ω. The circuit has a small die size, is housed in an inexpensive package, and exhibits excellent tolerance to input overdrive     

Development of GaAs monolithic power amplifiers in X-band

The design, fabrication, and performance of several GaAs FET monolithic circuits are described. These include a two-stage, four-FET push-pull amplifier that has exhibited 1.4-W output power with 12.4-dB gain at 9.0 GHz, and a three-transistor monolithic paraphase amplifier (unbalanced input, balanced output) exhibiting 6-dB small-signal gain and a 1-dB gain compression point of 20 dBm. The amplifier chips utilize monolithically fabricated inductors, capacitors, and transmission lines to accomplish on-the-chip impedance matching.     

宽带线性功率放大器的设计

根据宽带功率放大器设计的基本原理,通过采用LDMOS场效应晶体管、实频技术法以及前馈线性化技术,同时利用ADS软件平台,成功设计出一款工作带宽为50~550MHz的宽带线性功率放大器,实现了多倍频程带宽、高增益、良好平坦度及小输入/输出驻波比。通过ADS仿真和优化,得到了比较满意的结果。     

11.GHz GaAs Power MESFET Load-Pull Measurements Utilizing a New Method of Determining Tuner Y Parameters

A Ioad-pull technique utilizing a new method of determining tuner Y parameters is proposed for huge-signal characterization of microwave power transistors. Large-signal input-output transfer characteristics of an active circuit containing a GaAs FET and an input matching circuit are measured by inserting a microstrip tuner between the active circuit output drain terminal and the 50-Omega load. The microstrip-tuner Y parameters are determined by comparing the dc bias-dependent small-signal S parameter S/sub 22/ of the active circuit and that of the circuit which contains the active circuit and microstrip tuner. The reflection coefficient presented to the active circuit output drain terminal is derived from tuner Y parameters. Optimal load impedances for output power, obtained with this new Ioad-pull technique, are used to design X-band GaAs FET power amplifiers. An 11-GHz power amplifier with a 3000-mu m gate-width FET chip delivers 1-W microwave power output with 4-dB gain in the 500-MHz band.