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弯波导吸收区结构1.3μm InGaAsP/InP超辐射发光二极管的设计 总被引:1,自引:1,他引:0
本文用束传播方法(BPM)设计了具有弯曲波导吸收区结构1.3μmInGaAsP/InP超辐射发光二极管(SLD),分析了不同吸收区长度La和弯曲的曲率半径R对SLD特性的影响,给出了直观的结果,并进行了优化设计。在假定吸收区后端面反射率为1,和忽略吸收区内的吸收损耗的条件下,取d=0.2μm,w=2μm,Lp=400μm,La=200μm,R=500μm,I=200mA,经吸收区反射耦合回有源区内的光与有源区前端面入射光的强度比率仅为9.5×10-3。 相似文献
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在InP衬底上用通常用晶格匹配(y=0.53)和晶格失配(y〉0.53)In0.53Al0.46As/InyGa(1-y)As层结构同时制作p-沟和n-沟增强型异质结绝缘栅场效应晶体管(HIGFET)。获得1μm栅长e型p-沟HIGFET,其阈值电压约0.66V,夹断尖锐,栅二极管开启电压0.9V,室温时非本征跨导〉20mS/mm。相邻的(互补的)n-沟HIGFET也显示e型工作(阈值Vth=0. 相似文献
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P^+—GexSi1—x/p—Si异质结红外探测器性能的提高 总被引:3,自引:0,他引:3
通过采用层叠结构、增加SiO2介质腔和铝反射镜、背面蒸镀SiO抗反射层等措施,使P^+-GexSi1-x/p-Si异质结内光发射红外探测器在77K下的性能提高到在不加偏置电压的条件下响应范围2 ̄8μm,D(5.5,1000,1)^*=1.1×10^10cmHz^1/2/W,量子效率可达4%。其Dp^*已达到实用的PtSi红外探测器的量级。另外,在器件的结构设计中,我们采用了一种改进的电极结构,以提 相似文献
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本文论述在常压CVD硅外延系统中,通过e_qP=B-A/T,分别计算出SiH-Cl_3、PCl_3和BCl_3的A和B二常数值。采用低温深冷工艺,进一步提高硅源的纯度,通过控制SiHCl_3的蒸汽压,在晶向为(111)和(100),掺硼电阻率(4~8)×10 ̄(-3)Ω·cm的抛光衬底硅片上,生长出外延层电阻率为350Ω·cm(杂质浓度3.5×10 ̄(13)/cm ̄3),外延层厚度达120μm的p/p ̄+/硅外延片,制成器件的击穿电压可达1000V。 相似文献
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本文介绍了用具有大的正常色散单模光纤作色散补偿光纤来抵消1.3μm零色散波长传输光纤的反常色散的设计原理。用VAD法制作了Δ范围从1.6-3.5 种CDF,并检验了其性能。获得了最大Δ为3.5%的DCF,其在1.55μm波长处的最大色数为-140ps/(nm.km)。随着Δ的增大,瑞利散射和缺陷衰减增加,致使传输衰减也增大。 相似文献
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对1.3μm和1.55μm波长的Si1-xGex波长信号分离器(WSD)和Si1-xGex/Si应变超晶格(SLS)红外探测器的集成结构进行了系统的分析和优化设计.优化结果为:(1)对Si1-xGexWSD,Ge含量x=0.05.波导的脊高和腐蚀深度分别为3μm和2.6μm.对应于λ1=1.3μm和λ2=1.55μm波长的波导脊宽分别为11μm和8.5μm.(2)对Si1-xGex/SiSLS探测器,Ge含量x=0.5.探测器的厚度为550nm,由23个周期的6nmSi0.5Ge0.5+17nmSi组成. 相似文献
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M otorola公司的 MRFIC1859是一款双频单电源(3.6V)RF集成功率放大器,设计用于GSM900/DCS1800手持无线装置。改变匹配电路,它也可以用于3频GSM900/DCS1800/PCS1900装置。3.6V下的典型特性是:GSM:Pout=35.8dBm, PAE=53%;DCS: Pout=34dBm, PAE=43%。它具有一个宽频带(900-1800MHz)内部负电压产生器,此负电压产生器是基于输入载波经2级缓冲器放大后的RF整流(见图1)。这种方法消除了采用dc/dc… 相似文献
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本文提出了一种全新的n-JFET和n-p-n兼容工艺,采用二次外延实现了JFET和n-p-n的隔离。介绍了工艺流程,并对工艺上第一外延的厚度和浓度、二次硼埋浓度以及隔离的温度和时间对n-JFET的V_p和n-p-n管的性能的影响进行了讨论。采用这种工艺研制出了V_p达3.5~4.5V,I_(DSS)=15mA的JFET和f_T=800MHz,β=100,BV_(ceo)≥25V的n-p-n管,并成功运用于调制解调开关侧音放大器中。 相似文献
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多层结构铁电薄膜的I—V特性性能的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
为FRAM、FFET和FDM的实际应用研究,提出了多层结构铁电薄膜的设计思想,实际制备了M/BIT/p-Si、M/PZT/BIT/p-Si、M/BIT/PZT/BIT/p-Si三种结构铁电薄膜,并测量了它们的I-V特性曲线。结果表明,夹层结构铁电薄膜M/BIT/PZT/BIT/p-Si漏电流密度J最小,在500nm厚时J+(+3V)约2.8×10-10A/mm2,J-(-3V)约1.2×10-12A/mm2优于单层和双层结构铁电薄膜的结果。 相似文献
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本文用束传播方法设计了具有弯曲波导吸收区结构1.3μmIn-GaAsP/InP超辐射发光二级管,分析了不同吸收区长度La和弯曲的曲率半径R对SLD特性的影响,给出了直观的结果,并进行了优化设计,在假定吸收区后端面反射率为1,和忽略吸收区内的吸收损耗的条件下,取d=0.2μm,w=2μm,Lp=400μm,La=200μm,I=200mA,经吸收区反射耦合回有源区内的光与有源区前端面入光的强度比率仅 相似文献
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用分子束外延方法生长了p^+-GexSi1-x/p-Si异质结,并用平面工艺制成了内光电红外探测器,器件截止响应波长达9μm,在52K时,Rv500K=3.3×10^3V/W。 相似文献
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在(100)取向半绝缘GaAs衬底上,采用独特的含有InSb非晶过渡层的两步分子束外延(MBE)生长了异质外延InSb薄膜。InSb外延层表面为平滑镜面,外延层厚度约为6μm,导电类型为n型,室温(300K)和液氮(77K)霍尔载流子浓度分别为n_(300K):2.0×10 ̄(16)cm ̄(-3)和n_(77K):2.4×10 ̄(15)cm ̄(-3);电子迁移率分别为μ_(300K):41000cm ̄2V ̄(-1)S_(-1)和μ_(77K):51200cm ̄2V ̄(-1)S ̄(-1)。InSb外延层双晶衍射半峰宽为198arcs,最好的InSb外延层的半峰宽小于150arcs。采用InSb非晶过渡层有效地降低了外延层中的位错密度,改善了InSb外延层的质量。 相似文献
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