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《微纳电子技术》1995,(2)
在InP衬底上用通常的晶格匹配(y=0.53)和晶格失配(y>0.53)In_(0.53)Al_0.48As/In_yGa_(1-y)As层结构同时制作p-沟和n-沟曾强型异质结绝缘栅场效应晶体管(HIGFET)。获得1μm栅长e型p-沟HIGFET,其阈值电压约0.66V,夹断尖锐,栅二极管开启电压0.9V,室温时非本征跨导>20mS/mm。相邻的(互补的)n-小沟HIGFET也显示e型工作(阈值V_th=0.16V),低的漏电,0.9V栅开启电压和高跨导(gm>320mS/mm)。这是首次报道在InP衬底上同时制作具有适合作互补电路特性的p_和n-沟HIGFET。 相似文献
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本文提出了一种全新的n-JFET和n-p-n兼容工艺,采用二次外延实现了JFET和n-p-n的隔离。介绍了工艺流程,并对工艺上第一外延的厚度和浓度、二次硼埋浓度以及隔离的温度和时间对n-JFET的V_p和n-p-n管的性能的影响进行了讨论。采用这种工艺研制出了V_p达3.5~4.5V,I_(DSS)=15mA的JFET和f_T=800MHz,β=100,BV_(ceo)≥25V的n-p-n管,并成功运用于调制解调开关侧音放大器中。 相似文献
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Ka波段功率PHEMT的设计与研制 总被引:1,自引:1,他引:0
报道了Ka 波段功率PHEMT的设计和研制结果。利用双平面掺杂的AlGaAs/InGaAsPHEMT材料,采用0.2 μm 的T型栅及槽型通孔接地技术,研制的功率PHEMT的初步测试结果为:Idss:365 m A/m m ;gm 0:320 m S/m m ;Vp:- 1.0~- 2.0 V。总栅宽为750 μm 的功率器件在频率为33 GHz时,输出功率大于280 m W,功率密度达到380 m W/m m ,增益大于6 dB。 相似文献
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借助一新的工艺模拟与异质器件模型用CAD软件──POSES(Poisson-SchroedingerEquationSolver),对以AlGaAs/InGaAs异质结为基础的多种功率PHEMT异质层结构系统(传统、单层与双层平面掺杂)进行了模拟与比较,确定出优化的双平面掺杂AlGaAs/InGaAs功率PHEMT异质结构参数,并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算,用于指导材料生长与器件制造。采用常规的HEMT工艺进行AlGaAs/InGaAs功率PHEMT的实验研制。对栅长0.8μm、总栅宽1.6mm单胞器件的初步测试结果为:IDss250~450mA/mm;gm0250~320mS/mm;Vp-2.0-2.5V;BVDS5~12V。7GHz下可获得最大1.62W(功率密度1.0W/mm)的功率输出;最大功率附加效率(PAE)达47%。 相似文献
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本文对Ti/Mo/Ti/Au作为栅金属的GaAsMESFET进行了四种不同的应力试验:1.高温反偏(HTRB);2.高压反偏(HRB);3.高温正向大电流(HFGC);4.高温存贮(HTS).通过HRB,ΦB从0.64eV减少到0.62eV,理想因子n略有增大.HTS试验中ΦB从0.67eV增加到0.69eV.分析表明,这归因于界面氧化层的消失,以及Ti与GaAs的反应;HFGC试验结果表明其主要的失效模式为烧毁,SEM观察中有电徙动及断栅现象发生.AES分析表明。应力试验后的样品,肖特基势垒接触界面模糊 相似文献
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对不同栅氧化物n-MOSFETs的GIDL(Gate-InducedDrainLeakage)特性在不同热载流子应力下的退化行为进行了研究.发现GIDL的漂移对栅电压十分敏感,在VG=0.5VD的应力条件下呈现最大.通过对漏极附近二维电场及载流子分布的模拟,引入“亚界面陷阱”概念,对所涉及的机理提出了新见解,认为:在应力期间,亚界面和体氧化物空穴陷阱的解陷分别相应于VG=0.5VD和VG=VD两种典型应力下GIDL的漂移.实验还观察到N2O氮化,特别是N2O退火NH3氮化的n-MOSFETs比常规热氧化n 相似文献
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卫星用AlGaAs/GaAs太阳能电池 总被引:2,自引:1,他引:1
介绍了GaAs太阳能电池的基本原理,结构设计和制作工艺。用水平液相外延一室分离多片旬延石墨舟研制了p-AlxGa1-xAs/p-n-GaAs结构的太阳能电池。在AMO,100mW/cm^225℃的测试条件下,开路电压(Voc)为994mV,短路电流密度为23.2mcm^2,填充因子(FF)为0.794,光电转换这18.25. 相似文献
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In0.53Ga0.47As表面钝化及降低界面态密度的方法 总被引:1,自引:1,他引:0
采用PECVD技术,以TEOS为源,对In0.53Ga0.47As材料进行表面钝化,研究了SiO2/In0.53Ga0.47As的界面态,提出降低界面态密度的方法,使其降低到8.5×10^10eV^-1cm^-2。 相似文献
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本文提出了一种用于高速多路波分复用(WDM)陆上级联掺铒光纤放大器(EDFA)光纤通信系统的色散补偿方案,其特点是:利用特殊设计的色散位移光纤SDDSF(零色散波长λ0≈1.6μm,色散斜率S_0=0.05ps/km/nm2),在1550nm处产生-2~-4ps/km/nm的色散,以避免ITU-TG.653色散位移光纤在多路复用时的四波混频(FWM)效应;并利用ITU-TG.652标准单模光纤(非色散位移光纤NDSF)在1530~1570nm(EDFA工作带宽)范围内,有效地补偿SDDSF所引入的负色散。此方案可使单路数据率高于10Gb/s的波分复用系统,经1000km传输后因色散引入的眼图恶化量仍<1dB。 相似文献
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为配合2000门GaAs超高速门列及GaAs超高速分频器等2英寸GaAs工艺技术研究,开展了2英寸GaAs快速热退火技术研究,做出了阈值电压为0~0.2V,跨导大于100mS/mm的E型GaAsMESFET和夹断电压为-0.4~-0.6V,跨导大于100mS/mm的低阈值D型GaAsMESFET。 相似文献
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由于FeS2具有窄的禁带宽度(Eg=0.95eV)和高的吸收系数(a〉6×10^5cm^-1),使它成为一种很有发展前途的太阳能材料。本文主要介绍了用射频溅射制备铁膜,然后在真空中(10^-1Pa),通过控制时间和温度进行硫化。经XRD和AES对薄膜进行分析,表明试样在硫化温度T=400℃,时间t=48h的条件下,Fe膜转变为FeS2膜。 相似文献
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固体C_(60)/p-GaAs异质结的整流特性和界面电子态 总被引:2,自引:0,他引:2
我们将C60膜淀积在p-GaAs〈100〉衬底上,做成了固体C60/p-GaAs异质结并对其电学性质做了研究.异质结的理想因子接近于1,在偏压为±1V时,其整流比大于106倍.在正向偏压固定的情况下,结电流的对数与温度倒数成线性函数关系,从关系中求出异质结有效势垒高度为0.63eV.用深能级瞬态谱(DLTS)技术在C60/p-GaAs界面上观测到一个空穴陷阱,其能级为GaAs价带之上0.45eV,密度为2.4×1011/cm2.这样少的界面态存在于C60/p-GaAs界面上可能意味着C60膜对GaAs表面 相似文献