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1.前言 由于真空材料和真空技术的进步,已经能够比较容易地实现高真空和超高真空,但是伴随着高真空和超高真空的发展,以电离真空计为代表的所谓全压强计的指示值,因残余气体成分不同而进行变化,因此难以掌握正确的压强值。 另一方面,虽然以滤质器为代表的四极质谱计进行残余气体成分分析的方法是最简单的,可是由于四极质谱计离子检测灵敏度经常在变动,故不能充分地稳定进行残余气体成分的定量分析,即分压强定量分析不稳定。 然而,掌握真空容器中残余气体的成分在半导体生产工艺中是个非常重要的因素,因此,为了稳定而高灵敏度地定量分析残余… 相似文献
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真空比对装置稳定可靠、操作简便、效率高,不但可以校准真空规,而且能测定漏率、分析真空残余气体,是一种实用的多功能检测设备。 相似文献
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本底真空度和残余气体对集成电路金属薄膜淀积的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
何秉元 《真空科学与技术学报》2012,(4):318-323
随着集成电路芯片器件特征尺寸不断缩小和一些特色工艺的要求,金属薄膜淀积对反应腔真空度和残余气体的要求越来越高,尤其对于高温厚铝溅射工艺,真空反应腔微环境的细小变化可能导致器件失效。本文采用氦质谱检漏仪,残余气体仪对出现问题的8英寸Al,W金属薄膜淀积设备进行真空和残余气体检查,采用扫描电子显微镜,透射电子显微镜,能量色散X射线光谱仪等方法对缺陷进行分析。研究表明设备真空腔体微漏和极微量的残余气体对Al,W金属薄膜质量影响很大。从设备的角度提出改善真空度、减少残余气体的措施,这些措施在实际生产中得到了验证和应用,达到减少设备停机时间,减少产品缺陷,提高成品率的效果。 相似文献
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显像管中的残余气体是影响显像管质量和寿命的重要因素,通过四极质谱残余气体分析系统,可以对显像管中的残余气体进行有效的分析,对带消气剂的真空器件,本底要考虑扣除消气剂作用的影响.在此基础上可以进行残余气体离子轰击的计算机模拟研究,并对显像管电子枪进行优化设计. 相似文献
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在同步辐射电子储存环中,由于光电解吸的作用,将解吸大量的气体,而储存的束流电子与气体分子的碰撞将引起电子的用射,导致束流寿命的减小,因此残余气体分成为衡量一个电子储存环真空系统性能的重要的指标,本文将介绍有关NSRL储存环真空系统残气分析的部分工作。 相似文献
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本文详尽地探讨高真空及超高真空中的残余气体的质谱分析方法,并运用这些方法在LAS-2000二次离子质谱仪上进行了应用研究,使我们对LAS-2000的本底真空有所了解,发现其超高真空中含较多的碳氢化合物。 相似文献
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为了便于使用四极质谱计分析真空系统中的残余气体,我们制做了图形系数换算器。其中,真空泵油,六氟化硫等12种是我们采用国产四极质谱计SJX—l和ZP-4001,在以溅射离子泵为主泵的真空系统上测试的结果。并参考了国内外的有关数据。此图给出的真空泵油图形系数是真空系统受泵油一 相似文献
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低温绝热气瓶漏放气性能的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以低温绝热气瓶为研究对象,设计并搭建气瓶漏放气及残余气体分析实验台,开展了室温和低温下容器漏放气和残气分析的实验研究。通过理论分析与实验研究相结合得出:室温下,气瓶真空夹层内残余气体中H2的含量约为70%,可以利用复合材料扩散放气模型预测低温绝热气瓶的漏放气;低温下,气瓶真空夹层内残余气体中H2的平均含量达到81%,可以利用金属材料扩散放气模型预测低温绝热气瓶的漏放气。本文的研究有助于推动真空维持技术的应用,对于提高高真空多层绝热低温容器产品的寿命、降低成本和确保产品的可靠性,都具有十分积极的意义。 相似文献
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《真空科学与技术学报》2018,(10)
电真空器件内残余气体直接影响其阴极的发射能力与寿命。本文利用高灵敏度四极质谱仪监测了空间行波管在整个排气过程中的残余气体,对各阶段气体成分及含量进行了分析。结果表明:烘烤前,水为主要气体,占80%。前期擦拭用无水乙醇易污染真空系统;升温过程中氢迅速增多,当烘烤温度达到220℃时,H_2成为系统中主要气体;整个烘排过程H_2的分压小于10-3Pa,其余气体分压均小于10~(-4)Pa;烘烤结束后,H_2分压为2. 4×10~(-8)Pa,占74%。H_2O分压为6×10-9Pa,占20%;离子泵与吸气剂泵组可有效抽除残余气体,且对H_2的抽速高于对其他气体抽速;另外,质谱仪自身会放出H_2、H_2O、CH_4、CO_2等气体,在真空系统压力达到10-9Pa范围时,质谱仪自身放气已不可忽略。 相似文献
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等离子体物理实验研究用的GBH-1装置是一个高比压快速磁压缩装置。此装置的核心部件之一的真空放电室是一种用非金属材料——95氧化铝陶瓷制成的。由于该真空放电室是大尺寸、厚壁、拉长截面的环,整体制造是困难的,只能烧制成多节的内环和外环,再用特制的粘结剂粘结而成。本文主要介绍如何选择粘结剂和粘结工艺以及真空放电室残余气体质谱分析的结果。 相似文献
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残气质谱分析在LAS—2000上的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
详尽地探讨高真空及超高真空中的残余气体的质谱分析方法。运用这些方法在LAS-2000二次离子质谱仪上进行了应用研究。精确地分析了LAS-2000的本底真空,发现其超高真空中含有较多的碳氢化合物,这些碳氢化学物主要影响氢(氘)轰击石墨的化学腐蚀研究的结果分析。 相似文献
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介绍了多层绝热低温容器进行真空夹层残余气体质谱分析的目的、方法和装置,分别测出被测低温容器在注入液氮之前、之后的残余气体质谱图。分析结果表明:容器经过抽真空封口后,因多层绝热材料放气,夹层真空逐渐降低,其放气的主要成份是氢,其次是H_2O和CO、N_2等;装入液氮后,夹层真空会有较大幅度地提高,这时残气成份几乎全是氢。认为材料放气中的氢是获得和长期维持更好真空的主要限制因素。最后提出减少氢气量的三点技术措施。 相似文献
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本文首先评述了残余气体的量和质对电真空器件性能和寿命的影响。根据电真空器件是静态真空件的特点,指出降低气源的重要性。 分析了:漏、渗透、出气表面化学反应各种气源因素并做了数字比较。认为出气是最根本、最首要的。 说明了电真空器件的出气主要应考虑高温出气。介绍了目前国内外高温出气研究中选择的物理参量,加温方式,出气机制中的问题,以及如何把高温出气数据运用在电真空器件上。 一、残余气体对电真空器件的影响 电子管属于静态真空器件(如果不计吸气剂的作用)。 近年来栅控管、微波管、电子束管、光电器件等几个大类均已发展到… 相似文献