高纯氧化铝陶瓷表面形貌对Mo-Mn法金属化封接强度的影响

本文通过不同烧结温度制备出两种显微结构的高纯Al2O3陶瓷,采用四种不同的加工方式,制备出不同表面状态的高纯Al2O3陶瓷样品.利用轮廓仪测量样品表面粗糙度,并利用扫描电镜对其表面显微形貌进行分析.然后,将各种不同表面形貌的高纯Al2O3陶瓷进行高温Mo-Mn法金属化,并用Ag焊料进行封接.最后,测试出不同表面形貌的高纯Al2O3陶瓷金属化封接强度,进而研究高纯氧化铝陶瓷表面形貌对其Mo-Mn金属化封接强度的影响.结果发现,表面未加工高纯Al2O3陶瓷金属化封接强度高、一致性最好.     

微光器件铟封漏气因素分析

为解决微光管光电阴极与管体铟封漏气问题,采用扫描电镜和X射线能谱仪对铟材和封接过程工艺质量进行全面分析,结果表明造成铟封漏气的根本原因是铟量小,铟表面氧化和吸附的杂质污染造成的,与铟纯度无关。采取提高真空度,改进化铟工艺,控制铟高温外流等措施解决了阴极与管体铟封漏气问题,使气密性成品率大于90%。     

利用Ti-Ag-Cu活性金属化法直接针封95Al_2O_3瓷

在通常所采用的陶瓷 金属封接结构中 ,平封和套封结构成品率相当高 ,直接针封成品率偏低 ,而直接针封通常采用Ｍｏ Ｍｎ金属化法进行封接 ,在保证瓷孔内涂膏均匀且尽量减小封接应力的情况下能够得到较高的成品率。而在陶瓷 -金属封接中采用的活性金属化法与Ｍｏ Ｍｎ金属化法相比较具有工序少、工艺简单的优点 ,在平封结构中广泛使用。利用活性金属法直接针封 95Ａｌ2 Ｏ3瓷尚未采用 ,曾有人做过此方面的试验 ,均因成品率太低而放弃。通常不用此方法是因为活性金属粉末涂于瓷孔内 ,金属粉与陶瓷粘接不牢固 ,装架时易碰掉金属粉 ,造成瓷孔内…     

近贴聚焦成像器件管体熔铟层气孔产生的因素分析

为解决成像器件管体熔铟层产生流散不均匀、熔层断裂、体内气泡造成的光电阴极与管体封接漏气问题,深入分析了产生根源,研究了一种管体注铟技术,使管体注铟合格率达到了100%,光电阴极与管体封接气密性成品率达到了98%。     

用相同成份的焊料进行二级金属陶瓷封接工艺

有些管型的输出窗瓷环高度和壁厚都不到二毫米,又无处开焊料槽。若用焊料丝作焊料的话,金属陶瓷封接后,一部分焊料将爬在和堆积在两边的陶瓷上,若每边爬瓷和堆积半毫米,将会对管子的性能产生严重的影响。为了有效地克服这个难题,我们曾经采用钛镍法工艺,但由于钛镍法封接温度高达970～990℃,某些精密零件变形很大;再加上钛镍法的成品率比钛银铜法低,故没有采用。最后决定采用银铜72～28％片作焊料,进行部件金属陶瓷封接,然后用银铜72～28％丝作焊料,进行整管封接和无排气管排气。封接用的模具对封接用的模具有三个要求:1.在封接温度时,能对封接件施加一定的压力;2.不粘模;3.结构简单,便于装配。     

近贴聚焦成像器件光电阴极传递封接工艺研究

依据近贴聚焦系列成像器件研究的需要,开展了光电阴极真空传递封接工艺研究,并且结合器件的研制对封接工艺质量进行了可靠性的考核。结果证明,用InSn合金焊料进行光电阴极真空传递封接,其工艺稳定,性能质量可靠,封接气密性成品率高。这种工艺除了用于成像器件的研究和生产外,也可用于非匹配材料的气密性封接,具有广泛的应用前景。     

一种Sc2O3掺杂Y-Gd-Hf-O压制式直热式阴极发射特性研究

为了提高Y-Gd-Hf-O阴极耐电子轰击能力,该文通过高能球磨、压制和高温氢气烧结,制备了一种Sc₂O₃掺杂Y-Gd-Hf-O压制式直热式阴极。该阴极在1550 °C工作温度下,经过10 W电子连续轰击480 h后,发射电流密度下降至初始值的87.5%,表现出良好的耐电子轰击能力。阴极表面的微观形貌、成分组成分析表明,经压制后氢气气氛烧结,阴极表面呈陶瓷状结构形态,有利于提高阴极的耐电子轰击能力;经高温烧结、激活后表面形成了n型半导体Y₂O_3-x层,对改善阴极表面导电性、降低逸出功和提高热发射有促进作用。     

真空电子技术

TNIO 2003040112AIN陶瓷的Ti一Ag一Cu活怕剑接工艺/鲁燕萍(电子部12所)]I真空科学与技术学报一2002,22(4),一293一295在A IN陶瓷的Ti一Ag一Cu活性封接工艺中,研究Ti的引入方式对其与金属封接抗拉强度的影响.其中Ti以四种不同方式引人:涂Ti粉、夹Ti箔、直接使用Ti一Ag一Cu合金焊料以及溅射Ti膜.图2表1参4(刚)扇形均匀磁场分析器的飞行时间的理论研究/程敏,唐天同,姚振华(西安交通大学)“真空科学与技术学报一2002,22(2)一97一99采用逐次近似的方法,在平面曲轴系统中,对于扇形均匀磁场分析器的飞行时间特性进行了直到二阶的理论研究…     

与标准Si工艺兼容的光电探测器的研制

提出采用Si基标准工艺进行研制与标准工艺兼容的光敏三极管,重点解决光敏三极管结 构与标准工艺兼容性问题,并实现对其结构、性能的优化设计。通过CADENCE软件,画出不 同光敏三极管的版图; 根据华润上华(CSMC)Si基标准工艺流程, 采用器件模拟软件Silvaco,对光敏三极管结构进行构建和仿真;基于理论分析结果,通过 设计改变结构优 化光敏三极管性能。采用CSMC标准Si工艺,实现了基区面积分别为40μm、50 μm×100μm×100μm和 100μm×100μm光敏三极管的流片、封 装和测试。结果显示,所设计的光敏三极管的响应度达到 2.02A/W,放大倍数β达到 60倍,最大带宽达到50MHz左右 。并且,标准Si工艺的低成本和放大集成电路的兼容性,使得制备的光敏三极管可以广泛 适用于快速光耦合器、光数据接收器等应用领域。     

复合发光碳膜

分析研究复合碳膜的制备及场发射效果。在陶瓷衬底上磁控溅射一层金属钛,对金属钛层进行仔细研磨,放入微波等离子体化学气相沉积腔中,在镀钛陶瓷衬底上制备出碳膜。利用扫描电镜、x射线衍射、拉曼光谱分析复合碳膜的微观结构和微观表面形态,表明此碳膜是含有碳纳米管、非晶碳和球状微米金刚石颗粒的复合碳膜。用二极管型结构测试了复合碳膜的场致发射电子的性能。首次发光的电场为0.75V/μm,稳定发光2.56V/μm的电场下,复合碳膜阴极发射电流密度为7.25mA/cm2。并对其复合碳膜制备成因及发射机理进行了研究。     

集成真空微电子器件的制备方法

发射极极尖的锥尖是典型场发射真空微电子器件最好的物理结构,一般不是由标准的集成电路制备工艺制备的。本文提出利用共形薄膜填充小孔时自然形成的尖端作为模型来制备较尖的发射极。形成这个锥尖的方法不仅容易与制备阴极、二极管、三极管和更多电极器件的标准半导体工艺相结合,而且也能与器件结构内部所有电极自对准。本文将描述用于制备微电子三极管器件的基本工艺过程,然后给出怎样改变工艺才能制备出不同数量电极和独立的阴极结构。描述了初步实验结果,分析讨论了工艺重复性的估算。     

陶瓷-金属封接用钛银铜合金焊料含钛量及其封接工艺的研究

正 (一) 前言 几十年来电真空器件一直采用钼锰金属化或涂钛粉的陶瓷金属封接工艺。该工艺比较复杂,同时封接质量又不易保证。我们研究了用钛银铜(Ti-Ag-Cu)活性合金焊料直接封接的工艺;试验了合金焊料中活性元素钛含量和封接温度等参量对封接质量的影响;给出了合金焊料的合适合钛量和封接的工艺规范。实验表明,钛银铜合金焊料直接封接工艺,方法简单,质量稳定,是值得推广应用的     

可伐合金与玻璃一步封接工艺的研究

研究了玻璃与具有Fe3O4氧化膜的可伐合金的封接工艺。结果表明最佳熔封温度为980℃,熔封时间为30 min。在此基础上,开发出将脱碳、氧化和熔封集于一个升降温周期的一步封接工艺。该工艺是将未氧化的可伐合金和玻坯首先升温至500℃并氧化40 min,而后升温至980℃并保温30 min,最后缓慢降至室温。结果表明,当采用该工艺时,与传统工艺相比不仅能简化操作,而且封接件的封接质量更高、可靠性更好。     

电泳淀积三极管结构的碳纳米管场发射显示阴极

本研究探索了一种电泳选域组装碳纳米管发射器到正栅极结构的衬底中作为三极管结构的场发射显示阴极的工艺.在这个工艺中,悬浊液中的碳纳米管在施加于栅极电极和阴极电极的电压的作用下移向并淀积到三极管结构的衬底中.同时,这个栅极电极的正电压能够排斥悬浊的碳纳米管,使栅极电极不吸附碳纳米管.实验结果表明,碳纳米管选域组装到栅极孔洞中去,并且每一个孔洞中碳纳米管具有相同的组装密度.该工艺成本低、可实现大面积阴极的制备,是一种在制备三极管型碳纳米管场发射显示阴极中可供选择的工艺.     

微米金刚石薄膜的制备与场发射研究

利用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）法,在镀金属钛层的陶瓷基底上面,调整优化沉积参数,制备出了碳膜。通过各种仪器分析了碳膜的内部结构和表面形貌,证明该碳膜是微米金刚石薄膜。进一步将微米金刚石薄膜作为场发射阴极材料,测试了其场致电子发射特性。稳定发射状态下的开启电场为1.15V/μm, 在3.35V/μm的电场下,其场发射电流密度为0.81mA/cm2,发射点密度约为104/ cm2。并对其发射机理进行了研究。     

Ag/p-GaN欧姆接触的图形化及表面处理工艺研究

研究了Ag/p-GaN欧姆接触的工艺,得到较为优化的工艺方法并应用于器件制备。分别采用直接剥离Ag、氧等离子体去底胶后剥离Ag和湿法腐蚀Ag三种工艺制备Ag图形,对比了三种工艺样品的粘附性及接触电性,发现直接剥离Ag工艺存在Ag脱落问题,去底胶后剥离Ag工艺无法形成欧姆接触,而腐蚀后退火的样品则可以实现较好的粘附和较佳电性；通过XPS分析了不同工艺对接触特性影响的机理。进一步,对比优化了Ag蒸发前表面化学处理工艺,结果表明酸性溶液处理或碱性溶液处理可以有效降低欧姆接触电阻率,酸性溶液处理略优。优化后的欧姆接触工艺可应用于可见光及深紫外LED器件制备,器件电学性能如下:在40A/cm²电流密度下,蓝色发光二极管电压为2.95V,紫外发光二极管电压为6.01V。     

陶瓷与金属对封结构的推广应用

目前,超高频管一般用玻璃与金属封接。用陶瓷与金属封接的管子,一般没用对封结构,而是套封和平封结构。这种结构有很大的局限性,要有一定的工艺条件,应用范围窄。大部分玻璃与金属结构管子的技术性能提不高,一般由于真空度不高。为了提高真空度,必须提高烘烤温度,使管子除气彻底。因为玻璃的熔点低,烘烤温度只能加到450℃。温度再加高玻璃要软化,造成管子报废;同时玻璃大量放气,排气时间就要加长。如果把玻璃改成陶瓷,就能达到提高烘烤温度的目的,可是用陶瓷与金属的套封和平封结构,必须改变超高频管的原来设计结构,才能把玻璃改成陶瓷。这样改,     

电泳工艺制备阵列场发射阴极及其性能的研究

碳纳米管是理想的场发射冷阴极材料,阴极的图形阵列化是实现碳纳米管场发射显示器动态全彩视频显示的核心.三极管结构能够更好地进行矩阵寻址显示图像,且与常规的驱动电路相兼容,降低整体平板显示器件的制作成本.从实验出发,探索利用简单的电泳工艺制备图形化碳基薄膜阴极,采用与阴极成同一水平面的栅极的三极管结构,并对电泳的实验参数进行优化以提高阴极电压电流特性和发射的均匀性等问题,为场发射器件的制造提供优良的工艺基础.研究机械球磨和稀释悬浊液浓度对碳纳米管沉积均匀性的影响.实验结果表明稀薄的悬浊液的条件下可以在玻璃的银浆导电层上沉积较薄而均匀的碳纳米管膜,与丝网印刷工艺制备的阴极相比,均匀性更好,厚度更容易控制,具有更好的发射均匀性.测试图形化的阵列碳纳米阴极的三极管结构的场发射特性,发现当阳极电压保持在600 V,栅极电压接近500 V时,阳极电流能达到2.6 mA/cm2.荧光粉发光均匀,相比二极管结构具有更低的阈值电压,在亮度、均匀性和稳定性方面都有显著的优势.     

氧化锆氧传感器Ag/Pd电极的表征

采用陶瓷注射成型技术制备了氧化锆固体电解质基体,在烧成的氧化锆基体上涂制Ag/Pd电极浆料,然后将电极在不同温度下烧结。利用扫描电镜(SEM)对所制备的电极表面微观形貌进行表征。结果表明电极烧结温度对电极微观形貌影响很大;利用电化学阻抗(EIS)研究了Ag/Pd电极的电化学性能,显示出Ag/Pd电极优良的电化学催化性能。     

氧化锆氧传感器Ag/Pd电极的表征

采用陶瓷注射成型技术制备了氧化锆固体电解质基体,在烧成的氧化锆基体上涂制Ag/Pd电极浆料,然后将电极在不同温度下烧结.利用扫描电镜(SEM)对所制备的电极表面微观形貌进行表征.结果表明电极烧结温度对电极微观形貌影响很大;利用电化学阻抗(EIS)研究了Ag/Pd电极的电化学性能,显示出Ag/Pd电极优良的电化学催化性能.