瞬态模式SAW TDL／P^＋N二极管存储相关卷积器

对瞬态模式ＬｉＮｂＯ３抽头延迟线（ＴＤＬ）外接ＰＮ二极管阵列结构的声表面波存储相关卷积器进行了详尽的理论分析,对影响器件性能的重要参量进行了分析计算。讨论了器件存储时间与二极管少于寿命的关系,给出了二极管在窄脉冲作用下的瞬态充电过程。并对研制的器件进行了测试,器件的效率为－７６ｄＢｍ。文中结论可用于这种结构器件的设计及优化。     

二极管阵列声表面波存储相关卷积器的研制

介绍了一种LiNbO3抽头延迟线外接p n二极管阵列结构的声表面波存储相关卷积器.器件的中心频率为30 MHz,卷积效率为-54 dBm,存储相关效率为-76 dBm,信号存储时间大于70 ms.讨论了二极管阵列少子寿命与存储时间的关系,计算了相关输出与参考信号和读信号的关系,结果表明这种结构的器件是双线性的.对这种结构器件的设计及优化提出了建议.     

3.6微秒存储相关器读写实验及结果

通过在单片式MZOS结构卷积器中制作pn结二极管阵列,制成了这种结构的存储相关器/卷积器。我们利用这种器件作了对信号的存储、相关和卷积等一系列实验,描述了器件性能及工作方式和原理,为存储相关器作为信号处理器件的应用开发提供了有益的参考。     

一种新型声表面波—二极管卷积器

本文提出了一种新型结构的声表面波──二极管卷积器，利用二极管在反向偏置时结电容的非线性，通过声表面波延迟线抽头与二极管直接耦合而获得信号的卷积输出。这种新结构可以更有效地抑制抽头间的相互影响以及输入信号自身的谐波输出，并可以提高器件的工作带宽。该卷积器可在中频对信号进行实时处理，具有结构简单、效率高的特点，文中讨论了这种器件的工作原理，并给出了一个２８抽头卷积器的实验结果。     

CMOS线性敏感器阵列

ＴＡＯＳ公司的ＣＭＯＳ线性阵列除对光强信号比较敏感外 ,还可给出空间信息。这些器件中的线形光电二极管阵列的每个光电二极管均可敏感入射光 ,其输出为与积分时间和入射光强成正比的模拟或数字电压信号。该线性阵列器件具有２００、３００和４００ＤＰＩ（每英寸的点数）三种类型 ,像素数从６４～１２８０点 ,各型号的主要参数如表１所列。ＴＸＬ２０Ｘ系列的点密度为２００ＤＰＩ ,像元尺寸为１２０μｍ（高）×７０μｍ（宽） ,像间距是１２５μｍ。为了简化操作 ,该器件只需串行输入（ＳＩ）信号和时钟（ＣＬＫ）信号即可正常工作 ,它…     

微波副载波复用视频光纤传输系统

介绍一个采用国产光电器件研制的微波副载波复用光纤视频传输系统。系统进行了以传输亚洲一号卫星信号地面接收站第一中频多路电视信号为目标的现场实验。信号经过３８．７８ｋｍ，１．３μｍ波长单模光纤传输后，在接收光功率为－２２ｄＢｍ时，载噪比劣化不大于３ｄＢ，当接收光功率为－３０ｄＢｍ时。     

Eu3+配合物红色有机电致发光器件

合成了一种新型的Ｅｕ＾３＋配合物－Ｅｕ（ＢＡ）２（ＭＡＡ）（Ｐｈｅｎ）,并将其作为红光发射材料制备了结构为Ｇｌａｓｓ／ＩＴＯ／Ｅｕ（ＢＡ）２（ＭＡＡ）（Ｐｈｅｎ）／Ａ１ｒ的有机电致发光薄膜器件。这种材料具有很强的荧光和很好的单色性且比较强的电致发光。器件的开戾电压为１２Ｖ。在电压为２６Ｖ的正向驱动下,器件的亮度为１５ｃｄ／ｍ＾２,发光效率为０．２５１ｍ／Ｗ。结合测量粉末、薄膜状态下的荧光光谱、激发     

2．4Gb／s跨阻型光前置放大器CAD及验证

阐述了光纤通信前置放大器的设计原理，分析了光接收机中ＰＩＮ二极管和ＧａＡｓＦＥＴ器件的信号模型和噪声模型，提取了放大器用ＧａＡｓＦＥＴ器件的模型参数（包括大信号、小信号和噪声模型参数）。利用ＰＳＰＩＣＥ程序对光前置放大器进行了模拟分析和优化设计，并实际制作了用于２．４Ｇｂ／ｓ光纤通信的ＰＩＮ－ＨＥＭＴ前置放大器。实测结果表明放大器３ｄＢ带宽达到ＤＣ～４．４ＧＨｚ，增益为１８±１ｄＢ；加入ＰＩＮ二极管后的光接收模块的３ｄＢ带宽为ＤＣ～１．６８８ＧＨｚ，满足了２．４Ｇｂ／ｓ光纤通信的需要。     

适合WDM网络动态增益均衡的全光增益锁定光纤放大器

在光纤放大器内部同时建立增益谱锁定与平坦机制，研制出适合ＷＤＭ网络应用的全光锁定高增益、大功率掺铒光纤放大器（ＥＤＦＡ）。在２３ｄＢ输入功率动态范围（－４０～－１７ｄＢｍ）内的增益箝制在３３ｄＢ，对应总输入功率为－１７ｄＢｍ的输出光功率为１６ｄＢｍ，锁定的－１ｄＢ增益带宽为１４ｎｍ（１５４７～１５６１ｎｍ）。     

具有隐埋电镀热沉结构用于高性能MMIC的大功率GaAs FET

报道了一种称作“先进的ＳＩＶＦＥＴ”的ＦＥＴ结构（先进的源区通孔ＦＥＴ）。“ＳＩＶＦＥＴ”（源区通孔ＦＥＴ）￣［１］是一种新型的ＦＥＴ，其每个源电极都通过通孔与４０μｍ厚的背面电镀热沉金属相连接地，以达到减小源寄生电感的目的。为了获得低的热阻，芯片厚度要小达３０μｍ。“先进的ＳＩＶＦＥＴ”的改进结构包含了一种选择隐埋ＰＨＳ（电镀热沉）用以代替背面的厚金层。在这种ＦＥＴ中，由于有源层在器件工作时会产生热量，所以有源层下面的基片厚度设定为３０μｍ，并且在其下面埋入了７０μｍ厚的电镀热沉金属金以改善热阻。为了获得微带线的低损耗和足够的机械强度，芯片其它部分的厚度设定为１００μｍ。该结构提供了更高的功率输出及功率附加效率，并且使芯片的操作更加方便。实验结果显示，当这种１３５０μｍ栅宽的ＦＥＴ处在最大沟道温度（４２．１℃）时，具有极低的热阻（１６℃／Ｗ）。其射频特性为，在Ｖ＿（ｄｓ）＝７Ｖ时，对应于１ｄＢ功率压缩点下的功率输出高达２７．９ｄＢｍ，功率附加效率为３２％；当频率为１８ＧＨｚ时，线性增益为８．３ｄＢ。该器件同时也具有很优异的功率密度，当Ｖ＿（ｄｓ）＝８Ｖ时，其值为０．５４Ｗ／ｍｍ。在机械可靠性方面这种结构也?