一种适用于射频电子标签的低电压低功耗振荡器

提出了一种适合射频电子标签应用的振荡器设计方法.针对低电压低功耗的要求,选择了比较简单的振荡器结构,通过调节电流的方法来调节振荡器的输出频率.输出电流与电源无关的偏置电路设计保证了振荡器输出频率的稳定,低功耗的二进制权电流电路提供了很小的寄生参数、较高的电流精度和很小的芯片面积.芯片在Chartered 0.35μm CMOS工艺流片,电源电压为1.2～2V,环形振荡器消耗的平均电流约为6.5μA.     

IDT推出全球首款超低功耗±50ppmCrystalFree^tmCMOS振荡器

IDT公司近日推出业界首款拥有突破性±50ppm频率精度和超低功耗的CMOS振荡器。新器件代替了传统的石英晶体振荡器,在任何要求±50ppm时间基准的广泛应用中,节省功耗高达75％,包括计算、通信和消费市场。     

DT推出全球首款超低功耗±50ppm CrystalFree CMOS振荡器

IDT公司推出业界首款拥有突破性±50ppm频率精度和超低功耗的CMOS振荡器。新器件代替了传统的石英晶体振荡器，在任何要求±50ppm时间基准的广泛应用中，节省功耗高达75％．包括计算、通信和消费市场。     

一种用于DC-DC转换器的精密振荡器设计

提出了一种用于DC-DC转换器的高频、精密张驰振荡器的设计方法.基于V-i转换器原理,设计了精密电流产生电路;基于基极电流补偿技术,设计了一种结构新颖的比较器门限电压产生电路,从而有效地提高了振荡器频率稳定性和精度.通过外接可调电阻,振荡器可调工作频率为100 kHz～3 MHz,并能同时提供占空比85%的方波信号和用于斜率补偿的锯齿波信号,还具有与外接时钟信号同步振荡的功能.流片测试结果表明该振荡器满足设计指标.     

低相位噪声微波振荡器设计

针对Ka和Ku波段上、下变频装置对微波振荡器低相位噪声和小型化的要求,该文采用单环锁相式频率合成技术完成了微波振荡器的设计,并对锁相环的相位噪声进行了理论计算。分析了鉴相频率、鉴相器灵敏度和环路带宽对锁相环输出相位噪声的影响,根据分析结果对微波振荡器电路参数合理选择,同时兼顾了低相位噪声与小型化的设计要求。测试结果表明,振荡器的相位噪声指标与理论计算一致,各项指标均达到要求,可满足实际工程应用。     

基于Taylor级数近似补偿的改进数控振荡器实现

本文通过对传统CORDIC算法实现数控振荡器存在的问题进行分析,提出一种适用于软件无线电通信系统的数控振荡器改进实现方法:采用流水线结构采实现数控振荡器,可满足高速数据处理的需求;用二阶泰勒(Taylor)级数近似、残余相角补偿等措施来补偿传统CORDIC算法实现在精度方面的不足;设计引入的抖动模块改善角度周期性截断误差所引起的杂散,进一步提高了数控振荡器的精度.     

EPS电感式转矩传感器正弦波振荡器的研究

为了满足电动助力转向电感式转矩传感器的需要，设计了一种简单、实用的正弦振荡器。该振荡器采用结型场效应管的压控电阻特性设计自动增益控制电路，通过合理选择元器件的参数抑制了信号幅度的温漂。实验表明，振荡器的输出信号幅度稳定、失真小，满足传感器振荡器的性能要求。     

IDT推出全球首款超低功耗±50ppm CrystalFree CMOS振荡器

拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商IDT公司（Integrated Device Technology,Inc.;NASDAQ：IDTI）,推出业界首款拥有突破性±50 ppm频率精度和超低功耗的CMOS振荡器。新器件代替了传统的石英晶体振荡器,在任何要求±50 ppm时间基准的广泛...     

一种适用于射频电子标签的低电压低功耗振荡器

提出了一种适合射频电子标签应用的振荡器设计方法．针对低电压低功耗的要求，选择了比较简单的振荡器结构，通过调节电流的方法来调节振荡器的输出频率．输出电流与电源无关的偏置电路设计保证了振荡器输出频率的稳定，低功耗的二进制权电流电路提供了很小的寄生参数、较高的电流精度和很小的芯片面积．芯片在Chartered 0.35μm CMOS工艺流片，电源电压为1.2～2V，环形振荡器消耗的平均电流约为6.5μA．     

3LG系列CrystalFree CMOS振荡器：CMOS振荡器

IDT公司推出拥有突破性±50ppm频率精度和超低功耗的CMOS振荡器。器件代替了传统的石英晶体振荡器,在±50ppm时间基准的广泛应用中,节省功耗达75％,包括计算、通信和消费市场。