业界首款16 Mb MRAM正式问世

Everspin科技公司日前推出16Mb MRAM,进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地位。现在,所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非挥发性、高性能以及高可靠性优势的MRAM技术。Everspin科技公司首席运营官Saied Tehrani表示:Everspin将持续快速扩展MRAM产品组合,以协助更多客户实现产品差异化的目标。根据产品发展蓝图,我们将不断提高MRAM产品的容量,并以极具成本效益的方式保持     

Everspin推出业界首款16 Mb MRAM产品

磁性随机存储器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)产品的领导厂商Everspin科技公司日前推出16 Mb MRAM,进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地位。现在,所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非挥发性、高性能、以及高可靠性优势的MRAM技术。Everspin科技公司首席运营官Saied Tehrani表示:Everspin将持续快速     

Everspin科技16MbMRAM正式问世

Everspin科技公司日前推出16MbMRAM．进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地位。现在．所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非挥发性、高性能、以及高可靠性优势的MRAM技术。     

Everspin推出业界首款16MbMRAM产品

Everspin科技公司近日推出16MbMRAM,进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地位。现在,所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非挥发性、高性能、以及高可靠性优势的MRAM技术。     

MRAM空间粒子辐射效应关键技术研究

磁性随机存储器(MRAM)以其天然的抗辐射特性逐渐成为宇航电子系统的核心元器件之一。围绕MRAM空间粒子辐射效应关键技术,对MRAM辐射效应的研究背景、物理机制、研究方法等内容进行了论述。目前对MRAM的辐射效应研究主要集中在对商用MRAM芯片的辐射性能进行辐射实验评价,评价内容主要包括质子、中子、γ射线等空间粒子对芯片存储数据翻转率的影响。借助于TEM、AFM、XRR及探针等技术对辐射前后的磁隧道结(MTJ)的界面态进行表征,探究离子辐射对MTJ内部结构的影响,揭示出辐射损伤物理机制。除了辐射实验及电镜表征外,通过创建MTJ的电路或TCAD模型,模拟外围读写电路的辐射效应,可以实现整个MRAM芯片的抗辐射性能评估,同时也可以降低重复试验的成本,提高研究效率。     

MRAM的发展目标是终极高速存储器

2005年底索尼发布了一款高速存储器,它具备SRAM的运行速率、闪存的非易失性以及无限制的写入次数等特性。该存储器采用了非易失性的8Kbit存储单元阵列,写入时间为2ns。如果再进一步提高集成度,可替代45nm以下工艺的SRAM、DRAM等非易失性存储器。索尼的这款存储器属于MRAM的一种。几年前,当MRAM刚上市时,业内就对它充满期待。但是随着研究的深入,很多难题不断出现。MRAM渐渐被视为特定市场的特定部件。索尼发布的这款存储器使MRAM回归到主流存储器的轨道上,甚至很可能发展成为终极存储器。除索尼外,美国Grandis、瑞萨科技、日本…     

可高用的4Mb MRAM存储器

具有高耐用性，读写周期为35ns 磁阻随机存取存储器（MRAM）MR2A16A的容量为4Mb，在断电后不会丢失数据，采用跳变位写入模式，是替代用电池做后备电源的SRAM单元的理想产品。MR2A16A还可用于高速缓存、配置存储器以及其他需要MRAM的速度、灵活性和稳定性的应用。     

1月半导体行业要闻

正新型记忆体芯片MRAM受热捧全球半导体业者竞逐下一个世代记忆体芯片的主导权日趋白热化,东芝和海力士组成的日韩联军、美国美光公司领军的团队,以及韩国三星电子等三大阵营都在积极研发磁阻式随机存取记忆体(MRAM),希望尽快替代目前的存储方案——动态随机存储(DRAM),并率先量产从而抢夺下一个世代记忆体芯片的主导权。     

磁电阻随机存储器MRAM的原理与应用

MRAM是指以磁电阻性质来存储数据的随机存储器。MRAM是大多数手机、移动设备、膝上机、PC等数字产品的存储器的潜在替代产品。从MRAM芯片技术的特性上来看,可以预计它将能解决包括计算机或手机启动慢、数据丢失、数据装载缓慢、电池寿命短等问题,能明显改变消费者使用电子设备的方式。     

飞思卡尔扩展MRAM产品系列 引领非易失性存储器未来

经常有人将磁阻RAM（MRAM,magnetor-esistive random access memory）称作是非易失性存储器（nvRAM,Non-Volatile RAM）在未来的关键性技术。作为一项非易失性存储器技术,MRAM是可以在掉电时保留数据,并且不需要定期刷新。MRAM利用磁性材料和传统的硅电路在单个器件中提供了s删的高速度和闪存的非易失性，它的寿命几乎是没有限制的。MRAM器件可以用于高速缓冲器、配置内存和其他要求高速、耐用和非易失性的商业应用。     

飞思卡尔率先将MRAM技术投入商用

在当今移动计算日益普及的环境中,过去的存储技术已经显得力不从心。对于满足电子产品对存储体积更小的要求来说,磁阻随机存取存储器(MRAM)的出现是一个重大的进步。近年来,MRAM受到日益广泛的关注。MRAM可以作为通用存储器,而无需结合使用多种存储器。独立的MRAM芯片是SRAM的理想单组件替代产品,具有可靠经     

英飞凌和IBM展示16 Mb MRAM

6月22日,英飞凌(Infineon)科技和IBM展示全球第一款16Mbit磁阻式随机访问存储器(MRAM)。新展示的非易失性存储器芯片是目前为止密度最高的MRAM器件。这表明MRAM具有成为适用于高性能计算和移动应用的通用存储器的潜力。向MRAM写入第一位信息所需要的时间比闪存约快100万倍。从MRAM中读出第一位信息所要的时间比NOR闪存快3倍,比NAND闪存快约1000倍。此外,MRAM的功耗比DRAM技术小得多。此次展示的16MbMRAM产品样品采用0.18mm工艺制造。器件采用单晶体管单磁隧道结(1T1MTJ)单元,并采用类似SRAM的接口。这一接口在移动和…     

飞思卡尔扩展MRAM产品系列引领非易失性存储器的未来

经常有人将磁阻RAM(MRAM,magnetoresistive random access memory)称作是非易失性存储器(nvRAM,Non-Volatile RAM)在未来的关键性技术.作为一项非易失性存储器技术,MRAM是可以在掉电时保留数据,并且不需要定期刷新.MRAM利用磁性材料和传统的硅电路在单个器件中提供了SRAM的高速度和闪存的非易失性.它的寿命几乎是没有限制的.MRAM器件可以用于高速缓冲器、配置内存和其它要求高速、耐用和非易失性的商业应用.     

东芝．NEC MRAM开发获进展

NEC和东芝宣布,在研制磁阻随机存取存储器(MRAM)的进程中取得关键进展。MRAM技术被视为开发未来高性能移动设备的关键,两公司于2002年开始在该技术上展开合作。MRAM的特性是快速读写、高密度、无限耐久性和非易失性——断电后还能保持数据,但在商业化应用之前,面临的主要问题是     

最新MM存储能力提升到16Mb

磁性随机存储器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)产品供应商Everspin科技公司,近日推出了高容量16Mb MRAM产品.     

最新MRAM存储能力提升到16Mb

磁性随机存储器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)产品供应商Everspin科技公司,近日推出了高容量16Mb MRAM产品.     

非易失性RAM将取代SRAM和NOR闪存

FRAM(铁电存储器)、MRAM(磁阻存储器)和PRAM(相变存储器)等非易失性RAM相继上市,它们兼具DRAM和SRAM的高速性以及闪存和EEPROM的非     

飞思卡尔扩展MRAM产品系列引领非易失性存储器的未来

经常有人将MRAM（磁阻RAM，magnetoresistive randoma ccess memory）称作是非易失性存储器（nvRAM，Non—Volatile RAM）在未来的关键性技术。作为一项非易失性存储器技术，MRAM可以在掉电时保留数据，并且不需要定期刷新，它利用磁性材料和传统硅电路在单个器件中提供了SRAM的高速度和闪存的非易失性，几乎没有寿命限制。MRAM器件可以用于高速缓冲器、配置内存和其它要求高速、耐用和非易失性的商业应用。[第一段]     

叠层MRAM封装的磁屏蔽

MRAM是一种很有希望的通用存储器候选技术。因为它具有非易失性、高速度、与常规CMOS的兼容性。以及抗辐射的潜力。PoP堆叠技术能够提高封装存储密度并有效地解决磁屏蔽问题。     

飞思卡尔扩展MRAM产品系列引领非易失性存储器的未来

经常有人将磁阻RAM(MRAM,magneto-resistive random access memory)称作是非易失性存储器nvRAM(non-volatile RAM)在未来的关键性技术.作为一项非易失性存储器技术,MRAM是可以在掉电时保留数据,并且不需要定期刷新.