NTT公司开发液晶用TFT技术

日本电信电话公司开发有源矩阵液晶显示用大面积、高分辨率、低成本的TFT制造技术.该技术是在玻璃衬底上集成TFT,用作液晶器件的驱动电路.采用有利于提高性能的多晶硅材料,研究廉价玻璃衬底上的低温制造技术是开发重点,此外还采用了新的高速驱动     

OLED中的激光技术

Sony公司研发了用于有源OLED的μc-Si TFT技术,采用二极管激光热退火(Diodelaser Themlal Anneal,DLTA)方法制备了μc-Si TFT阵列,在大显示面积上获得了均匀而稳定的发光像素驱动电流.另外,Sony公司还研发了激光导致的像素图形升华沉积技术(LaserInduced Pattem-wise Sublimation,LIPS),以玻璃基板为施主衬底,将OLED发光材料精确转移到了显示基板上.采用LIPS技术制作的RGB像素图形具有非常高的精度.基于DLTA和LIPS两项激光技术,Sony公司制作了27.3 in的OLED电视,为OLED电视的批量化生产提供了一个可行的技术方案.     

一种窄边框的液晶显示面板设计

为了满足市场对LCD面板高分辨率、窄边框的需求,面板设计引入了玻璃上集成栅极驱动设计。本文对传统液晶显示面板栅极电路设计做了介绍,分析了集成栅极驱动电路技术在实现显示面板窄边框化时的优缺点。提出了一种新型栅极驱动电路,将空间控制转化为时间控制,使用一条栅极走线控制两行甚至多行像素。模拟分析结果表明:新型栅极驱动电路在关态下会产生2.5V的较小噪声;栅极信号的上升沿及下降沿的时间延迟总和只有3.5μs,可以实现像素节点的正常充放电并完成显示面板的正常显示。同时,本文提出的新型驱动电路可成倍减少显示面板边框栅极走线数量,减少栅极走线所占用的空间,实现高分辨率高解析度显示面板的窄边框化设计。     

TFT-OLED像素单元电路及驱动系统分析

本文基于TFT-OLED有源矩阵像素单元电路,着重分析了两管TFT结构、三管TFT结构、四管TFT结构及多管TFT结构的电压控制型与电流控制型像素单元电路的工作原理和优缺点,指出电压控制型电路具有响应速度快的特点,而电流控制型电路则能准确地调节显示的灰度.最后简要讨论了控制/驱动IC对TFT-0LED有源驱动电路的影响.     

AM-OLED四管像素驱动电路特性研究

为了消除2-TFT像素驱动电路中TFT阈值电压变化对OLED像素电流的影响,设计了基于多晶硅的4-TFT像素驱动电路.使用Hspice仿真软件,验证了在该电路中,流过OLED的电流与TFT管的阈值电压无关.同时,通过选择器件参数,保证在像素选通与非选通期间,都有近似恒定的电流流过OLED.     

一种新型a-IGZO TFT集成栅极驱动电路设计

在传统集成栅驱动电路中采用非晶InGaZnO薄膜晶体管(a-IGZO TFT)后会造成信赖性的降低,经过分析确定原因为驱动TFT阈值电压漂移。本文提出了一种改进的集成栅驱动电路,通过对驱动TFT栅节点电压的稳定控制,获得了较大的驱动TFT阈值电压漂移冗余度(从原来的不到±-3V扩大到±-9V),克服了a-IGZO TFT阈值电压漂移所造成的电路失效,稳定了集成栅驱动电路并延长了液晶显示器面板的寿命。     

MIUC poly-Si TFT显示驱动电路的性能优化

以金属诱导单向横向晶化多晶硅薄膜晶体管(MIUC poly-Si TFT)为基本器件单元,采用2M1P 5 μmCMOS工艺研制出适合于作全集成有源显示周边驱动的行扫描和列驱动电路.行扫描和列驱动电路的工作频率随工作电压呈指数式增加,然后趋于线性增长.在外加激励信号电压为10 V时,工作频率可以达5 MHz.在5 V电压应力条件下连续工作15000 s,行扫描和列驱动电路的输出特性基本不衰退.将这样的行、列驱动电路集成制作于像素矩阵电路的周边,研制出具有良好动态显示功能的彩色"板上系统(SOP)"型有源选址液晶显示器(AMLCD)模块.     

改进的OLED像素驱动电路

有机电致发光显示器件(OLED)被认为是LCD最强有力的竞争者.因OLED显示屏的像素驱动电路至少由两个TFT管和一个电容组成,在实际制作驱动电路中,电容面积较大,影响显示屏开口率.基于对像素驱动电路的深入研究,提出一种改进的像素驱动电路,改进后的电路面积较小.通过仿真验证和理论推导计算证明该驱动电路不仅性能稳定而且可以明显地提高显示屏的开口率.     

TFT-LCD的新型VA八畴驱动技术

提出了一种应用于TFT-LCD的新型8畴驱动技术,可以简化现有的驱动电路,节省成本.通过在A、B像素的TFT栅极上施加具有不同削角电压的栅极信号,利用TFT像素的Feed through效应,可以在A、B像素上得到不同的显示电压,实现8畴显示.本技术只需要1组伽玛电压就可以实现8畴显示,而传统的TT-Type则需要2组.模拟结果表明:采用文章中提出的技术可以得到8畴的显示效果.由于栅极线GnA、GnB同时打开,相比两根栅极线分时打开的传统TT-Type结构,液晶电容有更多的充电时间.这样,不需要增加TFT的W/L就可以得到很好的充电效果.同时,由于不同灰阶电压下A、B像素的电压差取决于电容的耦合效应以及削角电压V1和V2的值,因此相对于CC-type而言,由于增加了V1和V2两个变量,所以调试更加灵活.     

显示技术新进展

叙述丁CRT、LCD、PDP、FED及OEL技术发展和趋势,在显示领域里TFT LCD的技术进步是最快的,例如;在6—7年时间里．分辨率由CGA(320X240)发展到UXGA(1 600Xl 200);像素密度超过200dpi;用光学补偿膜或IPS、MVA、SAM等技术得到宽视角,克服了LCD显示视角窄的缺点;用低温多晶硅技术,把周边驱动电路集成到TFT LCD屏上等。最后描述了我国显示技术发展现状与前景。     

一种有源矩阵触摸屏的驱动电路设计

有源矩阵触摸屏内部集成了薄膜晶体管(TFT),用于控制触摸点的通断.针对现有有源矩阵触摸屏驱动电路输出电压只有+5 V及-5 V,且无法根据实际情况动态调节输出电压来满足薄膜晶体管高响应度的问题,设计了一种关于TFT触摸屏的驱动电路.其可以根据触摸屏中不同类型薄膜晶体管的导通特性动态输出范围为+5～+15 V的导通电压...     

其它电路与技术

0603638 TFT-OLED像素单元电路及驱动系统分析[刊,中]／朱儒晖／／中国集成电路．-2005,(11)．-70-76(G) 本文基于TFT-OLED有源矩阵像素单元电路,着重分析了两管TFT结构、三管TFT结构、四管TFT 结构及多管TFT结构的电压控制型与电流控制型像     

一种窄边框的液晶显示面板设计

为了满足人们的现代审美需求和高质量要求,本文设计了一种窄边框液晶显示面板,设计面板采用的是玻璃上集成栅极驱动设计。本文首先介绍了传统液晶显示面板栅极电路设计,并对其优缺点进行了分析,在此基础上提出了将空间控制转变为时间控制,以一条栅极走线控制至少两行像素的新型栅极驱动电路。此次设计的新型栅极驱动电路能够实现像素节点的正常放电,显示面板也能够正常显示,同时能够减少栅极走线空间,实现高分辨率。     

基于不同TFT技术的AMOLED像素电路仿真分析

非晶硅、非晶氧化铟镓锌、多晶硅薄膜晶体管是可用于设计AMOLED像素驱动电路的3种典型的薄膜晶体管(TFT)技术。文中基于3种TFT的模型,针对大尺寸、高分辨率的AMOLED,分别在典型的电压式驱动和电流式驱动像素电路进行了建模仿真,并对仿真结果做了分析和比较。该研究方法为像素电路的设计提供了一定理论依据。     

用于OLED的a-Si TFT有源驱动阵列保护电路的分析

在模拟与仿真的基础上．根据MOS器件的源漏击穿特性．分析了用于a-Si TFT有源驱动阵列的外围保护电路的工作原理;同时根据所采用的有源OLED单元像素驱动电路的特点,确定了电源线、数据线、信号线上的相应保护电路形式。该保护电路可应用于OLED的有源驱动TFT阵列。     

OLED有源驱动TFT阵列的一种测试方法

提出了一种检测有源驱动OLED TFT阵列的方法,这种电流检测方法是结合TFT的制作工艺进行的.在只增加一块光刻版的情况下,有效地解决了在含有2个TFT的单元像素电路中,检测驱动管困难的难题.这种检测方法能够进行快速的全屏检测,具有精度高,对TFT阵列无损伤的特点.     

有源矩阵FED器件用的单块集成多晶硅FEA与TFT

本文给出了制作在有源矩阵场发射显示（AMFED）器件绝缘基底上的集成多晶硅场发射阵列（p-SiFEA）与薄膜晶体管（TFT）。这里的TFT设计即使在高漏电压下也具有低断路电流。集成P—SiTFT主动地控制着P-SiFEA的电子发射,从而导致了对于发射稳定性及15伏以下低压场发射的极大改进。本技术有在玻璃基底之AMFED上应用的潜力。     

OLED有源驱动TFT阵列的一种测试方法

提出了一种检测有源驱动OLED TFT阵列的方法,这种电流检测方法是结合TFT的制作工艺进行的. 在只增加一块光刻版的情况下,有效地解决了在含有2个TFT的单元像素电路中,检测驱动管困难的难题. 这种检测方法能够进行快速的全屏检测,具有精度高,对TFT阵列无损伤的特点.     

LTPS AMOLED显示器像素电路阈值电压补偿效果的改善

为改善LTPS AMOLED显示器像素电路阈值电压变动性补偿效果,本文分析了相关电压型像素电路的工作过程,确认了影响阈值电压补偿效果的关键因素,包括显示信号刷新扫描行周期对阈值电压获取充电时间的制约、驱动信号形成过程中相关TFT电容增量造成的阈值电压精度损失等.针对这些关键因素,本文提出了像素电路改进对策.通过分离阈值...     

降低数据线负载的像素设计

在面板设计中,数据线负载较大会引起信号延迟时间长、源IC温度过高、功耗上升等不利后果。随着面板尺寸增大以及分辨率升高,数据线负载高造成的不良影响愈加严重。本文提出了一种倒置U型的像素TFT结构,区别于传统的U型TFT设计,将像素TFT的源极与漏极形状互换,可以降低数据线与栅线的交叠面积,进而降低数据线负载电容。将这种像素设计搭载23.6HD ADS产品进行了实验验证,结果表明,采用倒置U型TFT设计面板的光学参数与传统U型设计面板基本一致,数据线负载电容下降24%,功耗下降10%,源IC温度下降7.1%。