国外工艺文献导读

责任编辑吕淑珍 20000301 提高倒装片工艺的成品率和可靠性一 Brian J Lewis.SMT,1999,13(11):64～68(英文) 尽管有一些成熟的工艺适用于PCB上的裸芯 片贴装,但倒装片技术是最独特的,芯片被直接倒装 在基板上.倒装片工艺的最关键问题之一是由于热 膨胀系数不同而引起的芯片与基板之间的应力,为 了消除这一应力,下填充工艺被应用于基板与芯片 之间.为了提高倒装片组装的成品率和可靠性,本 文研究了一些相关参数,并介绍了在工艺中怎样检 验每一参数的作用以及必须进行的调整. 20000302 免洗焊膏的改进-Smith Brian.SMT,     

业界动态

环球仪器开办倒装片研讨班 美国环球仪器公司(UIC)计划今秋再举办倒装片研讨班,教授有关倒装片工艺和坏球仪器GSMxs和GSMx倒装片组装平台操作规程的综合课程,包括倒     

FPC产品倒装片工艺的改善

本文主要分析了智能卡产品倒装片工艺固有的位置精度问题。通过数据分析,找出了设备长期工作后,精度下降引发产品倒装问题的主要原因。同时,采用AutoCAD软件对倒装片智能卡(Chip Card)产品的布局分析,并结合设备精度、FPC(挠性线路板)制造精度等因素,进行倒装片工艺的仿真模拟,进而可以确定需要改进的设计布局图中的关键尺寸,从而彻底地解决了引发倒装片工艺精度差的问题。     

倒装片封装与芯片规模封装的综合比较及其发展前景

本文主要论述了现代微电子封装技术中倒装片封装技术和芯片规模封装技术的结构类型,应用产品,倒装片与晶片级规模封装,并阐述了倒装片封装与芯片规模封装的综合比较及其发展前景。     

倒装片封装引领风骚 2003年大展身手

2000年起,英特尔的Slot1架构全部转为Socket370,封装则采用Flip Chip PGA封装技术;其845芯片组目前也以倒装片技术进行封装。其后,英特尔的主要竞争者AMD也开始相继采用倒装片封装。在移动通讯的应用上,如索尼爱立信的蓝牙模块,也已经跨入倒装片封装的领域。2002年封装大厂的技术发展主力,多着重在倒装片技术能量的布局,在产品特性需求的驱动下,预计倒装片技术的应用将在2003年开始起飞。     

倒装片装配的设备和工艺

据估计,1998年全球倒装芯片(flip chip)总产量是4至6亿只,其中绝大多数用于低成本的消费电子产品,如计算器和手表。近年来,计算机和通信市场也逐渐对电路板上倒装芯片(FCOB)和倒装芯片封装(FCIP)表现出兴趣,这类高端应用包括微处理器、专用集成电路和微控制器。 市场研究表明,倒装片已经被列入基础设施。随着技术障碍的克服和一些新材料的面世,未来两三年内,芯片制造将变得更加便宜,市场需求也将扩大。芯片制造行业应准备迎接新的需求热潮。 建立集成化倒装芯片的批量组装线,必须考虑芯片对高清洁度和高精     

倒装焊接技术及其发展

文章主要介绍了倒装片技术从起源到现在的发展状况,并对倒装片的工艺优点及电气方面的优点作出评价,提出倒装片将成为今后大型计算机组装工艺中的关键技术。     

倒装芯片封装技术的凸点、压焊及下填充

简要叙述了IBM公司的倒装片技术,包括凸点形成技术、压焊技术和下填充技术,并展望了倒装片技术的发展前景.     

专用倒装焊封装的开发与应用

倒装焊互连开始出现于各种封装结构中,倒装芯片封装(FCIP)现在已从30引线的CSP发展到2000引线以上的BGA中,该技术并不是一门新技术。倒装焊芯片最早是30多年前IBM公司推出,一直是在所生产的一些最高性能计算系统的核心。这个概念很简单,将一个小的焊料凸点从芯片的有源面直接到基板上。这种连接在电性能上远远优于线连接,因为它大大缩减了路径长度和相关的电感。其次,芯片与基板之间的导体连接点是同时完成,而不像丝焊封装那样一个接一个     

热处理与表面处理工艺

Y99-61677-39 0007628倒装片功率分布=Flip-chip power distribution[会,英]/Lipa,S.& Schaffer,J.T.//Characterization of flip-chipCMOS ASIC simultaneous switching noise on multilayerorganic and ceramic BGA/CGA packages.—39～41(EG)应用薄膜(MCM-D)和倒装片焊接块技术在 IC 上分配电源层与接地层,所需的金属百分比可以减少。然而,显著的减少需要密集的焊接块技术。参3     

无引线倒装钽铝薄膜电阻片

<正> 前言 无引线倒装技术是目前国外混合集成电路组装技术发展的新动向。外贴无引线倒装电阻片只是倒装技术中的一个小分文,但值得引起国内的注意。 钽铝薄膜电阻到七十年代才出现,由于     

MCM-D技术电热特性综述

本文主要说明了淀积型多芯片组件(MCM-D)技术所使用的主要材料的热特性。此技术采用倒装片技术把硅芯片安装到硅基板上。阐述了薄膜电阻和接触电阻的测量与所使用金属的温度范围-28℃-100℃的比较。一套典型的试验结构诸如开尔文接触、横桥电阻(CBR)及Van der Pauw 结构不仅已用于此技术,而且为了测试通过球倒装片连接的接触电阻,采用一新的开尔文式结构。已获得MCM封装的热模型,并考虑由此类封装增加的所有的热电阻。     

EDA工具与设计服务

Ansoft公司的Trubo Package Analyzer(TPA)4.0软件可用于分析复杂的封装(倒装片和芯片规模封装)。这种软件能模拟传输高速信号的长连线,适合用于通信领域的封装技术。     

国外工艺文献导读

20 0 10 2 0 1　倒装片的可返修的底部填充工艺—ＨａｒｒｙＨｉｎｃｈｃｌｉｆｆｅ ,ＤａｒｒｙｌＳｍａｌｌ.ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＰａｃｋａｇｉｎｇ＆Ｐｒｏｄｕｃ ｔｉｏｎ ,2 0 0 0 ,4 0 ( 11) :52～ 59(英文 )底部填充工艺对倒装片组件可靠性是必不可少的 ,同时它也可提高ＢＧＡ和ＣＳＰ的使用寿命 ,但是由于底部填充胶粘剂的不可返修性使它的应用受到了限制。现在可返修的底部填充材料已开发成功 ,正在应用于板级倒装片组装的生产中。新开发的底部填充材料将缩短返修时间 ,改善组件的热性能。本文从倒装片底部填充工艺、ＣＳＰ底部…     

倒装芯片:一项再生的技术

"倒装芯片"是芯片面朝下安装在基片上的通称.这项技术已被应用30多年了,但到目前为止,倒装片只在一小部分公司使用.     

电路组装技术的重大变革

本从二十世纪末以来电路组装技术发展的三个潮流入手，概括了电路组装技术中IC封装和板级SMT组装之间的技术融合，简要介绍了SMT环境下的焊料倒装片技术、焊料凸起形成技术和在电路板焊盘上形成凸起的倒装片技术。     

印制电路词汇(9)

528 face bonding:面焊接 为了电路面与基板面相接而将裸片组装在基板上的工艺。529 face down:倒装 形成芯片电路元件的一侧与基板面正向组合的状态即为倒装(如下图所示)。以这种方式构成的芯片代表就是倒装片。     

高密度封装技术现状及发展趋势

综述了对半导体集成电路发展有深刻影响的微电子封装技术的现状 ,指出了适用于高密度封装的载带封装 (TCP)、球栅阵列封装 (BGA)、倒装片 (FCT)、芯片规模封装 (CSP)、多芯片组件 (MCM)、三维封装等关键技术及其发展趋势     

避免发生芯片裂纹的倒装片BGA技术概述

介绍了把断裂力学法应用于倒装片BGA的设计方法。概述了一些关键的材料特性和封装尺寸对倒装片BGA芯片裂纹的影响作用，从而断定基板厚度和芯片厚度是倒装片BGA芯片发生裂纹的两个最重要的因素。     

大功率倒装单片集成LED芯片的自隔离散热技术

提出采用 自隔离散热技术解决大功率倒装单片集成LED芯片散热与绝缘之间的矛盾问题.基于自隔离散热技术原理,利用微纳加工技术,通过在AlN陶瓷基板上生长隔离金属岛制备自隔离散热基板.采用多胞串并联网络结构设计大功率倒装单片集成LED芯片,芯片尺寸为1.5 mmx4.5 mm.在200 mA的驱动电流下,大功率倒装单片集成LED芯片的正向电压为8.3 V,反向漏电流小于100 nA.当输入电流为2 A时,大功率倒装单片集成LED芯片的输入功率为20W,其最大光输出功率为8.3 W,插墙效率为42.08％,峰值热阻约为1.23 K/W,平均热阻约为1.17 K/W.