RFID芯片超声倒装封装技术研究

超声倒装是近年来芯片封装领域中快速发展的一种倒装技术,具有连接强度高、接触电阻低、可靠性高、低温下短时完成和成本低的优势,特别适合较少凸点的RFID芯片封装。在镀Ni/Au铜基板上进行了RFID芯片超声倒装焊接实验,金凸点与镀Ni/Au铜基板之间实现了冶金结合,获得了良好的力学与电气性能,满足射频要求。     

适合于印刷工艺的IndiumTacflux676助焊剂在倒装芯片装配过程中的应用

倒装芯片是一种无弓1脚结构的芯片互联技术,它起源于60年代,由IBM率先研发,具体原理是在I／O板上沉积焊料凸点,然后将芯片翻转加热利用熔融的焊料凸点与基板相结合,此技术代替了常规的打线接合,在封装技术的应用范围日益广泛,己逐步成为高端器件及高密度封装领域中经常采用的封装形式,特别是它可以采用类似SMT技术（印刷）的手段来加工生产效率将有大幅的提升,因此倒装芯片封装技术将是高密度芯片封装的最终方向。     

倒装芯片封装极具竞争力

随着倒装芯片封装在成本和性能上的不断改进,加上键合金线价格的不断攀升,从手机到游戏机芯片的各种应用领域里,倒装芯片技术都变得更具竞争力。     

倒装芯片的底部填充材料和涂布

倒装芯片是当今半导体封装领域的一大热点,它既是一种芯片互连技术,更是一种理想的芯片粘接技术。以往后级封装技术都是将芯片的有源区面朝上,背对基板粘贴后键合(如引线键合和载带自动键合TAB)。而倒装芯片则是将芯片有源区面对基板,通过芯片上呈阵列排列的焊料凸点来实现芯片与衬底的互连。显然,这种芯片互连的方式能够提供更高的I/O密度。     

倒装芯片基板缺货状况将延续

市场对倒装芯片封装需求涌现。但台湾四大倒装芯片基板供货商日月宏、全懋、华通、南亚电路板等。却因在短期内难以提升产能而无法纾解目前倒装芯片基板缺货问题。因此倒装芯片基板价格确定调涨一至二成，而订单应接不暇的厂商认为缺货情况将延续至2005年上半年。     

用面对面叠加法实现芯片的3D集成

面对面芯片叠加使一颗芯片置于另一颗芯片的倒装凸块阵列中,从而极大减小了封装厚度。POSSUMTM封装是指两颗或多颗芯片用面对面的方式叠加,其中较小的芯片置于较大芯片上没有互联倒装凸块的区域。较小的芯片在薄化后通过铜柱微块组装到较大的芯片上。因此,薄化了的较小芯片和它的铜柱微块的总体高度就比其附着的较大芯片的倒装凸块经回流后的高度要低很多。一旦组装完毕,较小芯片就被有效地夹在上面的较大芯片和下面的基板中,同时被一环或多环倒装锡凸块包围。底部填充剂的使用同时保证了铜柱和无铅锡凸块在测试和使用中的可靠性要求。因为信号在两颗芯片的表面运行,所以互连线极短,可以实现近距离信号匹配,和小电感的信号传输。这种面对面芯片叠加方式保证了很好的芯片间信号传输的完整性,是穿硅孔(TSV)封装技术的低成本的有效替代。     

Semco成为第二大FC—CSP基材供应商

据悉，韩国倒装芯片——芯片封装（FC—CSP）基板制造商Semco已经从日本揖斐电那里抢到足够的市场份额。从而有望成为市场上的第二大供应商。     

技术评论:倒装芯片非焊料高分子凸点工艺

在半导体工业奋力的去迎接明日的封装需求挑战之际,倒装芯片技术无疑将扮演一个重要的角色。为了达到更高的可靠性、更低的成本以及在更小尺寸的封装空间里进行更密集的装配以及更高速度的混合电路的回路,传统的芯片-金线连接方式必须改为倒装芯片的连接技术。倒装芯片封装有以下优点:●更小的尺寸和重量●简化工艺过程并降低构建体系成本●通过缩短信号通道提高电性能●提高散热性能●提高单片电子回路上I/O的数量达到更高的密集度●赋予可使用外围设备或在设计环节里进行排列连接点图案的能力虽然倒装芯片连接在整个连接制造工艺中只占一…     

浅谈CTE及其对FC—BGA焊点可靠性的影响

PCB对封装行业来说,最关键的莫过不同元器件和PCB之间的热膨胀系数（CTE）匹配性问题。其中FCRGA封装,通过倒装芯片实现芯片焊料凸点与FCBGA基板的直接连接,在FCBGA类产品中可实现较高的封装密度,获得更优良的电性能和热性能。但由于PCB与芯片之间cTE的不匹配,而导致FCBGA焊点的可靠性问题。本文就CTE影响FCBGA焊点可靠性展开讨论。     

倒装芯片封装技术及内部应力检测技术探析

当前,倒装芯片封装技术已经成为相关领域的主流方法,但由于芯片、基板、焊球、下填料等材料具有差异化的热膨胀系数,导致封装过程中极易引入热应力,不利于保持芯片的性能及其可靠性。采用有效方法能够对倒装封装过程中所产生的应力进行检测,对于完善封装参数,提高产品可靠性,具有重要的现实意义。     

多芯片机械电子功率封装用的倒装芯片焊接

为满足汽车市场的下一代系统要求，需要新的封装技术。半导体元器件的系统功能性的增强和对减少总成本的需要促成了多芯片封装的解决方案。使用半导体器件开关、控制和监测大电流负载将把逻辑和功率器件集成到一块共用基板上，要求这个基板具有功率耗散和载流能力，带有控制器件和互连所用的细线导体。为了实现这些目标，摩托罗拉公司的先进互连系统实验室(慕尼黑)研究出了一种新的封装概念，一种采用倒装芯片焊接技术和电镀共晶SnPb焊料凸点的多芯片机械电子功率封装。为了提供一个能覆盖系统结构中不同功率等级的先进封装乎台，评价了几种基板技术。     

采用MUF的倒装芯片封装技术

业界对信号完整性和电学性能提出了越来越高的要求,因而开始向更薄基板的方向发展,Amkor Technology Inc.开发出一种使用模塑底部填充（MUF）而非毛细底部填充（CUF）的倒装芯片模塑球栅阵列（FCMBGA）封装技术,使得无源器件与倒装芯片的间距更小,同时还提供了更优的薄芯基板变形控制,并可以获得更好的焊料连接可靠性。     

避免发生芯片裂纹的倒装片BGA技术概述

介绍了把断裂力学法应用于倒装片BGA的设计方法。概述了一些关键的材料特性和封装尺寸对倒装片BGA芯片裂纹的影响作用，从而断定基板厚度和芯片厚度是倒装片BGA芯片发生裂纹的两个最重要的因素。     

模块封装将通过半导体工艺技术而改变

过去通常直接组装到PCB板上的元器件,现在都集成到小型的单一封装基板——模块基板上,所构成的SiP(系统级封装)或RF模块等各种各样的功能模块已经越来越多地应用到电子设备中。模块基板是用于连接半导体器件和PCB板的部件,其尺寸、形状同封装的大小相当。具体来说,模块基板包括BGA基板、SiP及MCM(多芯片模块)基板、TAB(tape-automated bonding)基     

用于倒装芯片的金球凸点制作技术

倒装芯片中凸点用于实现芯片和基板的电路互连,芯片凸点的制作是倒装芯片技术的关键技术之一.对金球凸点制作进行了介绍.金球凸点直接粘附于芯片上,同时又可具有电路互连的作用,可以完成倒装芯片与基板的电气连接.金球凸点的优势是简单、灵活、便捷、低成本,最大特点是无需凸点下金属层(UBM),可对任意大小的单个芯片进行凸点制作,平整度可达到±4μm.     

热超声倒装焊在制作大功率GaN基LED中的应用

设计了适合于倒装的大功率GaN基LED芯片结构,在倒装基板硅片上制作了金凸点,采用热超声倒装焊接(FCB)技术将芯片倒装在基板上.测试结果表明获得的大面积金凸点连接的剪切力最高达53.93 g/bump,焊接后的GaN基绿光LED在350 mA工作电流下正向电压为3.0 V.将热超声倒装焊接技术用于制作大功率GaN基LED器件,能起到良好的机械互连和电气互连.     

喷射下填充--一种新的下填充技术

<正> 1 引言 下填充,就是在倒装焊接装片的芯片下面,或在焊球(或焊柱)组装安装器件的管壳下面填充粘接剂,用以把芯片与封装外壳基板、或封装外壳基板与组装的印制板粘接起来,从而使它们之间由于热膨胀失配产生的集中在芯片与封装外壳、或封装外壳基片与组装印制板间焊料连接点的热应     

FCOS技术被引入智能卡制造

FCOS（Flip Chip on Substrate板上倒装芯片)技术是英飞凌科技公司(Infineon)与捷德(Giesecke&amp;Devrient)公司联合研制开发的一种专用于IC卡应用的创新芯片封装工艺。它融合了最新芯片倒装工艺和革新的材料技术，首次将集成电路“倒装”在IC卡外壳中。芯片的功能面通过传导触点直接连接至模块，不再需要传统的金线和人造树脂等封装材料，新型连接技术不仅节省了模块内的空间，而且比常规接线方式更为牢固。     

倒装焊接在压力敏感芯片封装工艺中的研究

胶粘引丝无法实现硅压力敏感芯片的小型化封装,无引线封装可以解决该问题。倒装焊接具有高密度、无引线和可靠的优点,通过对传统倒装焊接工艺进行适当的更改,倒装焊接可应用于压力敏感芯片的小型化封装。采用静电封接工艺在普通硅压力敏感芯片上制作保护支撑硅基片,在硅压力敏感芯片的焊盘上制作金凸点,调整倒装焊接的工艺顺序和工艺参数,实现了绝压型硅压力敏感芯片的无引线封装,为压力传感器小型化开辟了一条新路。试验结果表明该封装方式可靠性高,寿命长,具有耐恶劣环境的特点。     

Ultra CSP晶片级封装

取得专利的低成本小型封装随着市场对更小、更快和不太昂贵器件需要的增长，工业上正在寻找一种使产品从导线焊接封装转到直接进行芯片连接（DCA）的解决方案。在近几年间，芯片大小的封装（CSP）已经显现出在球栅阵列（BGA）和倒装片的空隙之间架起的桥梁。由于许多设计预先考虑向DCA转移，所以已经把倒装片引入到他们的CSP或BGA封装里了。Kulicke＆Soffa工业股份有限公司的K＆S倒装片分部已经超出了传统的封装和CSP封装的范围，而转到向Ultra CSP技术发展。这种UltraCSP技术是一种晶片级（Wafer Level）CSP方案，是利用一…