气敏元件电导响应过冲现象

此文针对气敏器件的某些实验曲线采用适当的数学模拟，全面分析了用针孔注入还原气体闭室测试气敏器件的电导响应及测试过程中出现的过冲现象，找出了其中的规律，探讨了过冲现象产生的机理．     

气敏薄膜电导响应的扩散反应和传感理论（Ⅱ）──实验结果与讨论

本文通过实验结果证实了扩散反应模型，证实了Ｆｉｃｋ扩散定律可推广用于有表面反应的金属氧化物多孔材料中，支持了以兰缪－享希尔伍德机理和传感理论为基础建立起来的扩散反应电导气敏响应的理论．提出了一种通过气敏电导现象的观测和分析来研究表面化学物理有关问题的方法．还就密闭测试室的过冲驰豫现象进行了分析讨论．     

纳米复合发光材料器件研制成功

由山东大学承担的山东省科技攻关项目——纳米材料和器件的制备、表征及其应用，通过了技术鉴定。该课题首次利用多孔纳米固体研制出ZnO气敏传感器，成功解决了ZnO气敏传感器本征电阻过高和工作稳定性较差的问题。该项目研制的Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米复合发光材料和氧化锌多孔纳米固体气敏传感器为国内外首创。     

新材料与新工艺

纳米复合发光材料器件研制成功由山东大学承担的山东省科技攻关项目——纳米材料和器件的制备、表征及其应用,通过了技术鉴定。该课题首次利用多孔纳米固体研制出ZnO气敏传感器,成功解决了ZnO气敏传感器本征电阻过高和工作稳定性较差的问题。该项目研制的III-V族半导体纳米复合     

金属氧化物半导体气敏特性研究（Ⅰ）实验研究（待续）

研究了气敏电导次方定律的指数和灵敏度随薄膜样品膜厚的变化，随温度的变化，气敏电导响应时间和恢复时间随膜厚的变化，随温度的变化；气敏电导振荡现象和规律。     

SnO2气敏元件敏感性能的研究

为了探讨具有优良性能的SnO2气敏元件的研制方法,依据半导体晶界气敏理论．以SnO2为基体材料,采用烧结型工艺和溶胶一凝胶方法制备出了气敏器件,并对该元件的气敏特性进行了测试,结果表明,采用溶胶一凝胶方法制备的气敏元件具有较高的灵敏度和低电阻等特点,对氢气响应时间可以达到5s.     

MgAl/PbPc/Cu有机薄膜二极管的制备与气敏特性分析

选用酞菁铅作为有机半导体气敏材料,用真空热蒸镀、磁控溅射等镀膜方法制备器件,所制备薄膜二极管的结构为MgAl/PbPc/Cu,使用Keithley 4200半导体测试仪与气敏测量系统分析器件肖特基二极管的气敏特性,通过对电流-电压特性的实测数据进行深入的理论分析,比较出器件对不同浓度NO2气体的敏感程度.经过测试结果可知:当器件置于10-5的NO2气体74 min后,正向电流减小65倍,对应的MgAl/PbPc肖特基势垒高度约上升了20 meV.同时由于被吸附NO2气体的PbPc薄膜少数载流子电子数目的增加,导致器件的反向电流增加4倍.     

金属氧化物半导体气敏特性研究（Ⅰ）实验研究（待续）

研究了气敏电导次方定律的指数和灵敏度随薄膜样品膜厚的变化、随温度的变化；气敏电导响应时间和恢复时间随膜厚的变化、随温度的变化；气敏电导振荡现象和规律．     

氟里昂气体传感器的研制

高灵敏度的氟里昂气体传感器是检测氟里昂泄漏的关键元件。本叙述了氟里昂气敏器件的制作工艺、敏感原理、测试方法及测试结果。     

气敏薄膜电导响应的扩散反应和传感理论（Ⅱ）：实验结果与讨论

本文通过实验结果证实了扩散反应模型，证实了Ｆｉｃｋ扩散定律可推广用于有表面反应的金属氧化物多孔材料中，支持了以兰缪－亨希尔伍德机理和传感理论为基础建立起来的扩散反应电导气敏响应的理论，提出了一种通过气敏电导现象的观测和分析来研究表面化学物理有关问题的方法。     

气敏元件测量电路的优化设计

近年来，气敏元件测量电路广泛采用的“负载电阻取样电压法”存在一些实际问题：影响气敏元件在某种气体中的真实电阻，不能绘制气敏元件电阻随所加电压变化的连续曲线，不能反映气敏元件敏感过程的全貌，为解决这些问题，在现有测量电路基础上研究了气敏元件测量电路的一种优化设计方法，主要包括线性升压加热源、元件电阻测量电路、声光提示及自动回零电路设计等，并给出了应用实例，应用这组测量电路可直接描绘出气敏元件电阻随所加电压变化的连续曲线、灵敏度、精确值及选择性，可对敏感过程进行全面观测，实验结果表明，效果十分理想，对于气敏元件特性的研究及气敏元件制作具有重要意义。     

新型半导体n+p结构气敏元件研究

讨论了基于气敏元件互补反馈和互补增强原理的新型半导体n p结构气敏元件．理论分析表明，该新型气敏元件具有高的选择性，同时还具有好的热稳定性和高的灵敏度，通过实验。获得了性能较好的n p结构酒敏元件。     

ANSYS有限元分析软件在微结构气敏元件电极设计的问题研究

微热板是微结构气敏元件的重要组成部分,采用Si作为基底,通过氧化腐蚀形成Si O2绝缘层,在绝缘层上选用Pt完成电极层的制作.利用ANSYS有限元分析工具对微结构气敏传感器的微热板的结构设计进行仿真,通过仿真得到的结果和数据,对器件的整体结构和尺寸进行优化.     

ITO气敏薄膜的研制及应用

本文阐述了ＩＴＯ气敏薄膜的制作过程、工作原理与气敏特性的测试方法和它的应用前景，对掺入Ｐｔ前后的ＩＴＯ气敏薄膜的灵敏度进行了对比研究     

ITO气敏薄膜的研制及应用

本文阐述了ＩＴＯ气敏薄膜的制作过程、工作原理与气敏特性的测试方法和它的应用前景，对掺入Ｐｔ前后的ＩＴＯ气敏薄膜的灵敏度进行了对比研究。     

Pr-LaFeO_3的甲醛气敏性能研究

利用微波辅助溶胶-凝胶法制备了Pr-LaFeO_3气敏材料,并将其制成烧结型旁热式敏感器件。气敏测试结果显示:组分含量x=mol(Pr)∶mol(Pr-LaFeO3)=1∶10的Pr-LaFeO_3元件对10mL/m~3甲醛气体的灵敏度优于其它组分含量比的元件,另外,其响应时间约为60s,恢复时间约为240s。     

微型薄膜气敏元件芯片的传热系数和热功耗

热功耗是关系到气敏元件的应用、热特性分析和工艺设计的重要参数，至今无计算气敏薄膜元件热功耗的实用公式；在研究微型薄膜气敏元件引线的散热量，芯片传热系数随芯片尺寸和温度变化的规律的基础上，给出了热功耗的相关计算方法和公式，据此计算得出微型薄膜气敏元件的热功耗数值，与实验结果一致。     

Al2O3基气敏元件反应过程中脱附量的研究

气敏元件的性能不但与材料的显微结构有关，而且与气敏过程中氧化还原的产物及量的多少相关。针对此问题，借助于TGA热分析系统对3种不同晶粒尺寸的Al2O3基气敏元件在不同温度工作时的脱附量、吸附量进行了研究。     

Zn_2SnO_4的制备及其气敏性能研究进展

作为一种重要的半导体气敏材料,Zn_2SnO_4气敏传感器被广泛用于检测有毒、有害、易燃和易爆等气体。本文综述了Zn_2SnO_4气敏材料的制备、气敏机理以及通过改变形貌和掺杂来提升其气敏性能的方法,并进一步指出Zn_2SnO_4气敏传感器未来发展亟需解决的问题。     

粉末溅射ZnO薄膜酒敏元件

针对金属氧化物薄膜气敏元件传统制造工艺中存在的掺杂不稳问题，开发了一种实用化的ZnO薄膜气敏基材料.采用粉末溅射法研制ZnO:1%CeO2薄膜，利用衬底Al2O3与ZnO晶体均为六方结构的特点，选择适当溅射参数研制出薄膜气敏元件，同时通过悬挂芯片双点焊工艺，使元件更加小型化.长期检测结果表明，此类元件气敏特性和稳定性良好，适合进一步推广应用.