多层印制电路板制造技术及相关标准

第2章 多层印制板的工艺特点 2．概述多层板（MLB）制造技术的发展速度飞快,特别是80年代后期,随着高密度I／0（输出／输出）引线数量增加的VLSI、ULSI集成电路、SMD器件的出现与发展、SMT的采用,促使多层板的制造技术达到很高的工艺水平。     

高密度互连积层多层板工艺

1．概述 随着电子产品的“轻、薄、短、小“及多功能化的发展，特别是半导体芯片的高集成化与I／O（输入／输出）数的迅速增加，高密度安装技术的飞快进步，迫切要求安装基板-PCB成为具有高密度、高精度、高可靠及低成本要求的，适应高密度互连（HDI）结构的新型PCB产品，而积层多层板（BUM）的出现，完全满足了这些发展和科技进步的需要。     

基于组件技术的配电网管理系统的设计与实现

通过分析配电网管理系统（DMS）功能结构以及组件技术。将COM／DCOM的功能特点与DMS的基本要求有机地结合在一起，提出了运用组件技术建立DMS的基本设想。系统采用多层体系设计，先从功能实现上引入组件设计思想，再遥步实现系统及结构的迁移。DMS与GIS的融合，并给出了各结构层功能组件以及层间接口的设计。在组件技术的面向对泉及分布式属性、操作系统和平台无关性、事件通知功能、高效的通信机制及其网络安全技术等方面，均达到了配电网管理的功能要求。     

ASON网络多层生存性技术的研究

首先分析了ASON（自动交换光网络）的多层网络架构的背景。然后从网络扁平化的趋势中．探讨两层网络的生存性技术。对IP／GMPLS层网络和光层恢复技术的优劣作出比较，得出需要多层协调恢复的原因。从多层顺序恢复策略来探讨了包括延迟时间法、恢复率法和恢复令牌法的各种协调机制的优点和不足，提出一种改进的基于延迟时间的协调机制。     

下一代光刻用的新型反射镜

一种用于极紫外（EUV）光刻系统的高反射率反射镜已成为各国科学家研究的热点。虽然钼／硅（Mo／Si）或钼／铍（Mo／Be）多层膜堆层反射镜在１２nm波长处产生具有高达７０％或者更高的反射率，但是对于EUV系统使用的波长１０nm～１１nm的光源来说其反射率并不高。为此，美国加利福尼亚大学和劳仑斯利弗莫尔国家实验室的研究人员已经研制出由钼／锶（Mo／Sr）多层膜制作的反射镜，它对８nm～１２nm波长范围的光能够产生以往从未达到过的最高反射率。美国Sandia国家实验室已研制出一种氙射流激光产生等离子体，以作为下一代光刻用的一种…     

MEH-PPV多层结构器件的制备及其谱红移和窄化

研制了一种基于ITO／PEDOT／P—PPV／MEH—PPV／PFO／Ba／Al的多层结构器件，实现MEH—PPV发光峰的窄化和红移。该器件使MEH—PPV发射峰的半高宽（FWHM）由纯MEH—PPV单层的91nm减小到32nm，发光峰相对于MEH—PPV单层的582nm红移了20nm，相应的色坐标（CIE1931）由单层的（0．56，0．33）变为（0．62，0．38）。这种窄化和红移归为聚合物多层界面间的共混稀释效应。     

三星推出业界最大容量的8GB DDR DRAM模块

NEC公司日前宣称，该公司已经开发出用于下一代65纳米半导体工艺的多层（multi-leve)Cu／Low-k互连技术。     

钽／硅多层膜在550℃退火后的局域扩散反应

钽／硅多层膜在５５０℃退火后的局域扩散反应卢江，李凡庆，陈志文，谭舜，陆斌，张庶元，王路春，李齐（中国科技大学结构分析开放实验室，合肥２３００２６）（南京大学物理系）多层膜提供了一个具有大量界面的扩散、晶化、固相反应的系统。本文研究了在５５０℃退火后...     

反应溅射ZrN／AlON纳米多层膜的晶体生长

随着高速、干式切削技术的发展，要求刀具涂层在具备高硬度的同时还应具有优良的高温抗氧化性。1987年发现两种氮化物以纳米量级交替沉积形成多层结构时常伴有硬度异常升高的超硬效应，据此，Sproul于1996年提出了采用两种氧化物制备纳米多层膜的技术路线，以期获得同时具有高硬度和优良抗氧化性能的纳米多层膜。但按此技术路线制备的Al2O3／ZrO2和Y2O3／ZrO2纳米多层膜并未获得预期效果。最近，我们采用氮化物晶体层的模板作用强制氧化物层晶化的技术路线，已成功制备了具有超硬效应的TiN／SiO2和TiN／Al2O3纳米多层膜。然而，在这些多层膜中TiN、SiO2和Al2O3均是采用化合物靶在Ar气氛中通过射频溅射获得的。由于陶瓷靶溅射速率低，这种制备纳米多层膜的方法难以在工业生产中推广应用。为了获得高沉积速率的氮化物／氧化物纳米多层膜，本文研究了在Ar、N2混合气氛中采用反应溅射方法制备ZrN／AlON纳米多层膜并研究了其生长结构。     

激光制备多层铁电薄膜的C—V保持特性研究

采用脉冲准分子激光工艺在Ｓｉ（１００）单晶基片上，成功地淀积了ＢＩＴ、ＰＺＴ／ＢＩＴ和ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ等多层结构的铁电薄膜。通过测量金属／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／Ｓｉ多层结构的非回线型Ｃ－Ｖ特性曲线、电容与保持时间的关系，发现三层ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ薄膜具有很好的电容保持特性，是铁电场效应晶体管的理想栅极材料     

电力电子系统集成化的前景概述（下）

在电力电子模块装配中采用的绝大多数电力半导体芯片都具有内在的垂直结构，其中金属化的输入／输出电极（垫片）安置在芯片的两侧。通常，栅极和源极（或射极）垫片带着薄膜金属铝（Al）端子放置在顶部表面以利超声联结。漏极（或集电极）是做在芯片底部的沉积金属化层（大多数情况下为银或金），它是准备焊接到基础衬底上去的。这种垂直结构使人可以构成一种分层型三维多芯片模块（Multichip—module，简称MCM）结构。图4（a）表示按这种方法设计的电力电子模块的剖面图。它包括三个层次：     

论多层分布式计算机体系结构

传统的客户/服务器（二层）的应用正朝着三层或N-Tier结构发展,文章在分析了客户机/服务器两层结构（2-Tier）在架构上的缺陷的基础上,重点介绍了多层分布式结构技术的特点及存在的问题.     

基于MPLS网络的二层VPN技术

虚拟专用网（VPN）业务是最具潜力的新一代电信业务之一。基于多协议标记交换（MPLS）网络实现VPN的技术方案大大改善了传统IP网络的缺陷，同时又能提供和帧中继／ATM网络一样的安全性保证，很好地适应了VPN业务的需求。介绍了MPLS VPN网络模型，并详细讨论了两种基于MPLS网络的二层VPN技术实施方案，最后分析了这项技术的优缺点。     

Co/Si/Ti/Si(100)多层薄膜固相反应异质外延生长CoSi_2薄膜

本文研究Ｓｉ中间淀积层对ＣｏＳｉ２／Ｓｉ（１００）固相异质外延的影响．用离子束溅射方法在Ｓｉ（１００）衬底上制备了Ｃｏ／Ｓｉ／Ｔｉ／Ｓｉ多层薄膜结构，通过快速热退火使多层薄膜发生固相反应．实验表明，利用Ｃｏ／Ｓｉ／Ｔｉ／Ｓｉ固相反应得到的ＣｏＳｉ２薄膜具有良好的外延特性，薄膜也具有良好的电学特性和热稳定性．实验发现在较低温度退火时，生成Ｃｏ２Ｔｉ４Ｏ之类化合物，作为扩散阻挡层有利于ＣｏＳｉ２薄膜的外延．在多层薄膜结构中加入Ｓｉ非晶层，既能减少衬底Ｓｉ消耗量，又能保持ＣｏＳｉ２良好外延特性     

Mo／Si多层膜界面离子束处理及TEM观察

Ｍｏ／Ｓｉ多层膜界面离子束处理及ＴＥＭ观察薛钰芝Ｒ．Ｓｃｈｌａｔｍａｎｎ，林纪宁Ａ．Ｋｅｐｐｅｌ，Ｊ．Ｖｅｒｈｏｅｖｅｎ（大连铁道学院，大连１１６０２２）（荷兰ＦＯＭ原子分子物理研究所）软Ｘ射线多层膜（ＭｕｌｔｉｌａｙｅｒｓｆｏｒＳｏｆｔＸ－ｒａｙＯ...     

具有单调组分渐变空穴存储层和对称组分渐变空穴阻挡层的深紫外激光二极管性能优化

为了优化深紫外激光二极管（DUV-LD）的电光转换效率与输出功率，提出了单调组分渐变空穴存储层（MCGHRL）和对称组分渐变空穴阻挡层（SCG-HBL）结构。使用Crosslight软件对采用基础结构、矩形空穴存储层（R-HRL）、MCG-HRL以及MCG-HRL和SCG-HBL的DUV-LD进行了仿真研究。结果表明，采用MCG-HRL和SCG-HBL能够更加有效地提升DUV-LD量子阱（QWs）内的空穴浓度，减少n型区的空穴泄露，增加QWs内的辐射复合率，降低其阈值电压与电阻，提升其电光转换效率与输出功率。     

基于三层C/S结构的OMC-R系统的研究与实现

基站维护对提高移动网络的运营质量具有重要意义。目前基于双层C／S（Client/Server）结构的OMC－R（Operations Maintenance Center for Radio，无线基站操作维护系统）存在着维护地点局限性大，输出结果信息量小等不足。针对这些不足，本文提出采用三层C／S体系结构改进OMC－R系统，介绍了一个已经实现的基于三层C／S体系结构的OMC－R系统，并据此对三层C／S体系结构实现OMC－R优势进行了全面分析。     

多层印制板新技术—ALIVH

需用层数少、装连密度高、设计简单、制造方便，已经用于便携电话中技术环境在变化除了电子元器件的极小片状化、半导体器件的微细间距化之外，又出现了ＢＧＡ（球栅阵列）、ＣＳＰ（芯片尺寸封装）及ＭＣＭ（多芯片组件）等新型封装形式，围绕着多层印制线路板的技术环境...     

纳米硅／非晶硅多层膜室温可见光致发光研究

本文报道了在用等离子体增强化学汽相淀积法制备的氢化纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）／氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）多层膜中，未经任何后处理工艺，观察到室温可见光致发光（ＰＬ）．当ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ层厚度由４．０ｎｍ下降至２．１ｎｍ时，ＰＬ峰波长由７５０ｎｍ兰移至７０８ｎｍ．本文将这种对量大于Ｓｉ单晶能隙的光发射归因于多层膜中ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ子层的量子尺寸效应．     

多层印制板设计基本要领

一．概述 印制板（PCB—Printed Circuit Board）也叫印制电路板、印刷电路板。多层印制板，就是指两层以上的印制板，它是由几层绝缘基板上的连接导线和装配焊接电子元件用的焊盘组成。既具有导通各层线路，又具有相互间绝缘的作用。随着SMT（表面安装技术）的不断发展，以及新一代SMD（表面安装器件）的不断推出，如QFP、