一种二阶温度补偿的CMOS带隙基准电路

提出了一种可用于标准CMOS工艺下且具有二阶温度补偿电路的带隙基准源。所采用的PTAT2电流电路是利用了饱和区MOSFET的电流特性产生的,具有完全可以与标准CMOS工艺兼容的优点。针对在该工艺和电源电压下传统的启动电路难以启动的问题,引入了一个电阻,使其可以正常启动。基准核心电路中的共源共栅结构和串联BJT管有效地提高了电源抑制比,降低了温度系数。基于TSMC 0.35μm CMOS工艺运用HSPICE软件进行了仿真验证。仿真结果表明,在3.3V供电电压下,输出基准电压为1.2254V,温度系数为2.91×10-6V/℃,低频的电源抑制比高达96dB,启动时间为7μs。     

一种新型CMOS电流控制电流传输器

提出了一种基于共源共栅电流镜的CMOS电流控制电流传输器(CCCⅡ)电路。该电路由跨导线性环电路和共源共栅电流镜构成。相对于基于基本电流镜的CMOS电流控制电流传输器,该电路具有输出阻抗更大以及电流传输精度更高的优点。分析了电路的工作原理,给出了实验结果,验证了电路的正确性。     

一种CMOS串联集成稳压器的设计与分析

设计了一种CMOS集成串联稳压器,由带隙基准源、误差放大器和分电压元件等组成。内部带隙基准源电路采用带有启动电路和PATA电流的设计。仿真结果表明输出电压为2.5V,当电流从1uA到100mA变化时,输出电压能稳定在2.5V,输出纹波小于120mV,瞬态工作电流100uA,且具有较强的电流驱动能力。     

0.5umCMOS新型电流反馈放大器的分析与设计

设计了一种CMOS电流反馈运算放大器,通过在输出端采用电阻反馈,增强带负载能力,利用MOS管实现串联电阻以消除补偿电容带来的低频零点,通过高输出阻抗镜像电流镜增大了电路的增益,并用共源共栅电流源为电路提供偏置电流以减小电源电压的变化对偏置电流影响.使用BSM3 0.5um CMOS工艺参数,PSPICE模拟结果获得了与增益关系不大的带宽,电路参数为:84.2dB增益,447MHz的单位增益带宽,62度的相位裕度,138dB共模抑制比以及在Ⅳ电源电压仅产生0.7mw的功耗.     

一种工作在亚阈值区的CMOS基准电压源设计

提出了一种在低电源电压下工作的CMOS电压基准源,其基准电路采用工作在亚阈值区的nMOS晶体管和自偏置的共源共栅晶体管组合,该电路基准电流产生部分采用两个负反馈回路,确保了基准电流的稳定性.该电路采用标准的0.5 μm CMOS工艺,用Cadence中的Spectre仿真.在fs工艺角下,27℃时基准电压为1.52 V,在120℃范围内(-20℃～100℃)的温度系数可低至31.33 ppm/℃.     

用于高性能锁相环的CMOS电荷泵的设计

一般的CMOS电荷泵有充放电流失配的问题.电流失配导致了相位偏差.本文研究了一般CMOS电荷泵电流失配产生的原因,提出了一种新型的电荷泵.利用误差放大器和参考电流源以获得良好的电流匹配特性,降低了锁相环的相位噪声;利用电荷移除管有效地抑制了电荷共享.采用chartered 0.35umCOMS工艺进行仿真.仿真结果显示该电路有很好的电流匹配特性.     

基于电流镜的电化学CMOS恒电位仪的设计

设计了一种基于电流镜的三电极电化学传感器CMOS恒电位仪电路,由控制运放、电流镜和单端输出的跨导放大器构成.与传统的恒电位仪相比,该电路结构简单,减少了读出电路的功耗和版图面积,具有较宽的动态范围.在CSMC 0.5μm 2PTM CMOS工艺下,用Spectre仿真器对电路进行了模拟,仿真结果表明:传感电流范围为20...     

一种高精度高电源抑制的CMOS带隙基准

本文介绍了一种高精度高电源抑制的CMOS带隙电压基准,电源电压3V.该电路的实现是基于0.6um 5V的CMOS工艺.为了达到较高的精度和电源抑制比,电路中采用了一个PMOS电流源做调整管,以保证基准核的电流恒定.仿真结果表明,该基准电路在低频下的电源抑制比可达到-88dB,温度变化范围从-40℃至120℃.时,温度系数只有3.5ppm,输出电压误差为0.65mV.     

一种具有鲁棒启动行为的自偏置电流模式带隙基准

在很多应用中,带隙基准需要在很宽的电源电压范围内都能正常工作,而启动电路注入带隙基准的电流大小往往会因为电源电压的变化而受到影响。因此,对带隙基准的启动行为研究变得很重要,尤其对于自偏置电流模式带隙基准,该结构在启动过程中有一段非正常工作区。文章详细分析了影响自偏置电流模式带隙基准正常启动的原因,进而提出一种具有鲁棒启动行为的自偏置电流模式带隙基准,增强了自偏置电流模式带隙基准的启动鲁棒性,同时也简化了启动电路的设计。带隙基准的设计采用65 nm CMOS工艺,温度系数为17.2 ppm/℃,总电流消耗为35μA。     

高精度低温度系数带隙基准电压源的设计

基于0.5μm双层多晶双层铝CMOS工艺,采用共源共栅电流镜结构和基极电流补偿方法,设计了一种新颖的高性能带隙电压基准.结果表明,在温度-25℃～125℃范围,基准电压温度系数为15.3×10-6V/℃,低频时,电源抑制比可达-80db.该电路可做为A/D和D/A转换器中的基准电压源.