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概述了多芯片组件技术的发展,介绍了多芯片技术基本类型及组装方法、三维多芯片组件以及多芯片组件的发展和重点应用领域. 相似文献
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三维多芯片组件（3D-MCM）是在二维多芯片组件（2D-MCM,通常指的MCM均系二维）技术的基础上发展起来的高级多芯片组件技术。二者的区别在于：3D-MCM是采用三维(x,y,z方向）结构形式对IC芯片进行三维集成的技术,而3D-MCM则是在二维(x,y方向）对IC芯片集成,即采用二维结构形式对IC芯片进入高密度组装,是IC芯片的二维集成技术。三维多芯片组件技术是现代微组装技术发展的重要方向,是微电子技术领域跨世纪的一项关键技术。 相似文献
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本文阐述了多芯片组件（ＭＣＭ）近期的新发展，其中主要包括高级多芯片组件、低成本多芯片组件以及ＭＣＭ的新材料、工艺和检测技术。 相似文献
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三维多芯片组件具有高组装密度、信号延迟时间短、系统性能高等优点，对电子系统的小型化、高速化有重要意义，九十年代以来在军事、通信、计算机等领域发展迅速。本文简要介绍了几种主要的三维多芯片组件。 相似文献
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三维多芯片组件（３－Ｄ ＭＣＭ）是在二维多芯片组件（２－Ｄ ＭＣＭ）基础上发展起来的，是９０年代微组装技术的标志。由于它的封装密度高，结构紧凑，延迟时间短，日益受到国际微电子工业界的重视。本文阐述了３－Ｄ ＭＣＭ的优点，并且指出了需要进一步完善的方面。 相似文献
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多芯片组件（ＭＣＭ）近年来发展迅速，正在成为电子产业的一个重要分支和前沿。本文综述多芯片组件的优点、特性、制作技术以及实际应用，分析多芯片组件主要制造技术的现状及发展趋势。 相似文献
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一、前言 三维多芯片组件(简称3D-MCM)是在二维多芯片组件(即2D-MCM,通常指的MCM均系二维)技术基础上发展起来的高级多芯片组件技术。二者的区别在于:3D-MCM是通过采用三维(x,y,z方向)结构形式对IC芯片进行立体结构的三维集成技术,而2D-MCM则是在二维(x,y方向)对IC芯片集成,即采用二维结构形式对IC芯片进行高密度组装,是IC芯片的二维集成技术。三维多芯片组 相似文献
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高性能的电子系统中，其内部互连网络所产生的影响对系统性能的作用表现得尤为明显。随着系统集成朝着更大规模的方向发展，电子系统内部电路的互连延迟已经成为限制其发展的主要障碍之一。光互连技术以其独特的传输性质对克服电互连产生的问题有较好的针对性。本文介绍了几种光学互连方式以及采用光互连方式的光电子多芯片组件。 相似文献
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多芯片组件技术近期发展主要体现在三个方面，一是高级多芯片组件的发展，二是向商业领域产品应用发展，三是研究新的材料、工艺技术和检测技术 相似文献
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三维微波多芯片组件是新一代固态有源相控阵共形天线和智能蒙皮的核心部件。文章详细介绍了实现三维微波多芯片组件最关键的小型化、低插入损耗和高可靠的垂直微波互联技术,对采用毛纽扣结构的无焊接垂直微波互联和采用环氧树脂包封的垂直微波互联、微波传输结构进行了仿真和优化,研发出相应的制作工艺,实现了三维微波多芯片组件微小型化、大工作带宽、低插入损耗和高可靠垂直微波互联。 相似文献
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着重讨论光互连技术在多芯片组件中的潜在应用。分析结果表明光互连技术在多芯片组件中应用应包括：组件的输入、输出、时钟分布以及内部芯片间互连等。 相似文献
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多芯片组装技术是微组装表面安装的最新技术，在这里我们提出将Cadence应用软件直接应用于多芯片组件设计技术中。介绍了目前Cadence软件应用状况及其功能。 相似文献
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本文对多芯片组件（ＭＣＭ）的定义，主要特征、发展历史及其应用进行了综合评述，并指出ＭＣＭ是微电路技术发展的高级产物。 相似文献
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本文首先指出研究多芯片组件用薄膜多层互连技术的必要性,然后对此类薄膜多层互连的材料、结构及工艺进行详细介绍,最后举例说明它在多芯片组件中的应用情况。 相似文献
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本文就国内外在混合集成电路和多芯片组件方面的发展现状进行了比较分析，指出了未来的发展趋势，较系统地介绍了多芯片组件的主要技术及其应用。 相似文献