表面加工多晶硅薄膜热导率测试结构

提出了一种使用表面加工工艺设计多晶硅薄膜热导率的测试结构，论文推导了热学模型，给出了测试方法。由于其制造工艺能和其它微机械器件制造工艺完全兼容，因而能够达到监控MEMS器件制造工艺和在线检测的目的。     

新书推荐——薄膜晶体管（TFT）阵列制造技术

本书主要介绍非晶硅（amorphous silicon，a-Si）TFT阵列大规模生产的制造技术，共13章，内容从TFT元件的结构及特点，到TFT的检查与修复，包括TFT阵列制造清洗工艺、成膜工艺、光刻工艺、不尉辑析和检查修复。本书从11可阵列大规模制造的角度，第一次比较全面地介绍了TFT LCD牛产线的TFT阵列制造工艺技术、工艺参数、生产工艺技术管理、工艺材料规格、设备特性、     

SMT／AI混装工艺技术研究

SMT／AI混装工艺可以降低生产成本，提高生产效率，在目前电子产品制造中仍然被采用。本文针对SMT／AI混装工艺AKPCB设计、元器件选择、制造工艺等方面进行了研究，重点对SMT／AI混装工艺设计进行了阐述，可供设计、制造等相关人员参考。     

加强工艺保障实现元器件质量与可靠性增长

本文从元器件制造工艺可靠性保障角度分析了元器件的质量与可靠性增长方法和技术，元器件的可靠性是设计进去制造出来的，在设计定型的情况下，工艺制造过程对其质量和可靠性的影响很大，最终产品的可靠性水平取决于工艺制造，应用REM、PCM和SPC等可靠性保障技术实现产品的高质量高可靠性和可重复性，是今后元器件研制和生产的必然趋势。     

ADI公司发布创新的制造工艺ICMOS

美国模拟器件公司近日发布了一种创新的半导体制造工艺iCMOS，它是将高电压半导体工艺与亚微米CMOS和互补双极型工艺相结合，它使诸如工企自动化和过程控制等高电压应用在性能、设计和节省成本方面达到了空前的水平。与采用传统CMOS制造工艺不同，按照iCMOS工业制造工艺制造的模拟IC能承受高达30V电源电压，同时能提供突破的性能水平，降低系统设计成本，而且降低85％的功耗和减小30％的封装尺寸。     

从65nm到45nm

英特尔继续依托其“Tick-Tock”策略，已经将企业、桌面、移动平台主流处理器制造工艺提升45nm。2007年1月初，英特尔内部率先研制出世界第一款45nm制造工艺处理器，时隔一年多的时间，英特尔已经基本完成45nrn制造工艺战略部署。     

厚膜混合集成电路的制造技术与应用

本简要介绍厚膜混合集成电路的制造过程，由于它的制造特点使其性能稳定可靠，应用领域广泛。其制造工艺适于大批量自动化生产，具有工艺简单、投资省、见效快等优点。     

ADI推出iCMOS模拟IC顿起波澜

美国模拟器件公司发布了一种创新的半导体制造工艺，它将高电压半导体工艺与亚微米CMOS和互补双极型工艺相结合，并将该工艺命名为iCMOS(工业CMOS)。iCMOS使诸如工企自动化和过程控制等高电压应用在性能、设计和节省成本方面均得到极大提升。与采用传统CM0S制造工艺不同，采用iCMOS制造工艺的模拟IC能承受高达30V电源电压，     

Sirenza优质LDMOS功率晶体管介绍

LDMOS是横向双扩散金属氧化物半导体场效应管LDMOSFET（lateral double—dif fused MOSFET）的简称。LDMOS制造工艺结合了硅双极晶体管制造工艺和砷化镓制造工艺。与标准MOS工艺不同的是，在器件封装上，LDMOS没有采用BeO氧化铍隔离层，而是直接硬焊接在衬底上，导热性能得到较大改善，提高了器件的耐高温性，大大延长了器件寿命。     

微电子制造科学与技术计划中的干法刻蚀工艺及传感器

微电子制造科学与技术（ＭＭＳＴ）规划中大多数刻蚀工艺都是在德克萨斯仪器公司设计并制造的先进的真空工艺设备中实现的。反应离子刻蚀设备和微波刻蚀技术结合现场传感器，并且与一个工厂联网的计算机集成制造（ＣＩＭ）系统相连接，传感器和计算机集成制造（ＣＩＭ）系统通过提供实时控制能力有助于实现工艺要求，还使得某些工艺的逐批控制和其他工艺的标准统计工艺控制成为可能。     

GlobaIFoundries宣布将开发20nm工艺

GlobalFoundries近日宣布将会开发20nm半导体制造工艺，但与台积电不同，新工艺将与22nm共存，而且GF认为这种半代工艺并不会消失。GF目前的业务主要有两种，一是继续为AMD制造微处理器，二是开拓新的代工业务，为其它芯片厂商代丁更简单一些的各类芯片，这就需要新的制造工艺，特别是半代工艺。     

X波段五位移相器的小功率开关HMIC的研制

介绍了一种混合微波组装工艺制造的Ｘ波段ＰＩＮ二极管五位数字移相器和小功率开关ＨＭＩＣ的电路设计和制造工艺，并分析了制造工艺对移相器的影响，提出控制这种影响的方法。用这种控制方法制造的该Ｘ波段ＰＩＮ二极管五位数字移相器和小功率开关ＨＭＩＣ：体积小，可靠性高。     

基于虚拟制造技术的集成电路工艺设计优化

采用虚拟制造技术对0.8μm双阱LPLV CMOS工艺进行优化，确定了主要的工艺参数。在此基础上，对全工艺过程进行仿真，得到虚拟制造器件和软件测试数据，所得结果与实测数据吻合得很好。     

模具制造工艺研究

探讨了模具制造工艺的应用现状，并提出了其应用中应注意的一些问题，为模具制造工艺的发展提出了有益的建议。     

纳米时代的可制造性设计

集成电路产业在遵循摩尔定律发展进入纳米时代后，制造工艺效应对芯片电学性能的影响越来越大，使得在设计的各个阶段都必须考虑可制造性因素。介绍了可制造性设计中的分辨率增强技术、工艺可变性，以及建立可制造性设计机制中的多方合作问题。     

TFT制造工艺简化

三星电子公司开发了三次套刻工艺来制造TFT器件。一般TFT制造采用四次或五次套刻工艺来完成。采用三次套刻工艺后，比四次套刻工艺不仅提高生产能力20％，而且节省原材料、缩短生产节拍，将提高产量，提高竞争力。     

我国最新一代集成电路制造工艺研发取得突破性进展

近年来，我们使用的电脑、手机等速度更快、耗电更省、成本更低，这有赖于集成电路制造工艺的不断进步。中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在22nm技术代集成电路关键技术研发上取得了突破性进展，掌握这种最先进的集成电路制造工艺将有利于提升我国自主生产制造更加质优价廉的集成电路产品的能力。     

臭氧水在TFT制造工艺中的作用

本文阐述了臭氧水在薄膜晶体管制造工艺中所起的清洗及成膜作用。在薄膜晶体管制造中，引入臭氧水工艺，增强了它的可控性，增加了欧姆接触，降低点欠陷数量，提高成品率。     

一种新型并联梳齿驱动的静电型微继电器

介绍了一种新型的、利用并联梳齿结构驱动的静电型微继电器及其制造工艺。通过优化并联梳齿结构的几何尺寸，可以使微继电器的阈值电压降低到5V。该微继电器的主体部分使用一套表面牺牲层标准工艺制造，同时，使用溅射工艺制作Au接触电极，可以使接触电阻降到100mΩ以下，增加了微继电器的使用寿命。由于该微继电器的驱动电压和制造工艺都和普通集成电路的驱动电压和制造工艺相兼容，因此两者在产业化生产中可以很容易地被集成在同一芯片上。     

从设计水平和制造工艺的角度规定高性能数据转换器

不久以前，设计水平与制造工艺几乎对高性能数据转换器的性能起到同样的决定作用。实现12-bit～16-bit分辨率的数据转换器性能需要使用复杂的BiCMOS集成电路制造工艺，这种工艺我们从来没有大量使用，从而需要大量专业技术才能得到可高度重复的结果。芯片制造出来以后，通常都需要使用薄膜激光修正技术降低BiCMOSI艺造成性