退火对C_（60）薄膜电学性质的影响

本文研究了退火对Ｃ６０膜电导率的影响．结果表明，从室温到２００℃的温度范围内，Ｃ６０膜具有明显的半导体性质，室温电导率在１０－５～１０－７（Ω·ｃｍ）－１的范围内．薄膜在２００℃温度下恒温保持过程中，当时间小于２．５小时时电导率的增大是由于薄膜中不稳定的ｈｃｐ相的减少引起的；而相互通连的晶粒数目的减少导致退火时间大于２．５小时的薄膜电导率的减小．相互通连的晶粒数目的减少使得晶间势垒变高，从而使电导率变小．通连晶粒间缺陷的减少导致激活能变大，这些缺陷在Ｃ６０膜的能带中引入缺陷态．σ－１／Ｔ图中高温区域电导偏     

非晶碳—聚酰亚胺复合薄膜的场致电子发射预击穿现象研究

利用脉冲激光沉积技术（Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）首次制备出非晶碳－聚酰亚胺复合薄膜，用其做为冷阴极，观察到其场致电子发射的预击穿现象，预击穿后阈值场强为７Ｖ／μｍ，最大发射电流密度为１．２ｍＡ／ｃｍ＾２。利用透明导电薄膜阳技术可观察到电子在薄膜阴极表明的发射区域。用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）观察了预击穿后发射区域的表面形貌的变化，并对复合薄膜的预击穿现象的场电子发射机理进行了探     

反应淀积氮化铝薄膜及其性质的研究

实验使用脉冲激光熔蚀金属铝靶,使溅射的物质粒子和真空室中的氮气反应以淀积氮化铝（ＡｌＮ）薄膜,淀积时引入氮气直流放电以促使Ａｌ和Ｎ发生完全反应制备高质量符合化学计量比的ＡｌＮ薄膜。讨论了脉冲能量密度、基底温度、气体放电对所沉积薄膜组织结构的影响。实验结果表明,当ＤＥ＝１．０Ｊ·ｃｍ－２,ＰＮ２＝１３．３３３ｋＰａ,Ｔｓｕｂ＝２００℃,Ｖ＝６５０Ｖ,ｆ＝５Ｈｚ,ｄＳ－Ｔ＝４ｃｍ时,高质量的ＡｌＮ薄膜被成功地沉积于Ｓｉ（１００）基片上。分析表明薄膜是具有高取向性的ＡｌＮ（１００）多晶膜,薄膜的能带间隙约为６．２ｅＶ,其电阻率和击穿电场分别为２×１０１３Ω·ｃｍ和３×１０６Ｖ·ｃｍ－１。     

（Pb,La）TiO3铁电薄膜的制备及热释电性能研究

讨论了ＰＬＴ１５铁电薄膜的溶胶－凝胶制备技术,及ＰＬＴ薄膜的结构和电性能研究。结果表明,在Ｓｉ基片上成功地生长出钙钛矿型结构多晶铁电薄膜,在（１１１）Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ上外延生长出（１１１）ＰＬＴ１５铁电薄膜。溶胶－凝胶制备的ＰＬＴ１５铁电薄膜具有优良的热释电性能,其热释电系数ｐ为５．２５×１０－８Ｃｃｍ－２Ｋ－１,电压响应率优值ＦＶ达到０．７８×１０－１０Ｃｃｍ／Ｊ,探测率优值Ｆｍ为１．１３×１０－８Ｃｃｍ／Ｊ,适于制备热释电红外探测器     

PVDF：TGS复合材料介电和热释电性能与膜厚度的关系

研制了不同厚度的ＰＶＤＦ：ＴＧＳ复合膜，实验结果表明：膜越薄，其介电常数，介电常数，介电损耗和热释电系数越大，对实验结果做了定性解释。研制了复合薄膜探测器，其Ｄ＊（５００Ｋ，１２．５Ｈｚ）达１．５５×１０＾８ｃｍ．Ｈｚ１／２．Ｗ－１。     

金属有机物热分解法制备铁电Bi4Ti3O12薄膜

由硝酸铋和钛酸丁酯原料出发，采用金属有机物热分解法在较低温度下（５００～６００°Ｃ）合成了赝正交晶系的铁电Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２多晶薄膜。对其结构进行了ＸＲＤ分析，对其介电、铁电和伏－安特性进行了测试分析。结果表明，晶格常数ａ和ｂ随烧结温度增高而减小，ｃ则不变；晶粒尺寸随烧结温度增高而增大。介电常数随频率增高而减小，损耗角正切随频率增高呈锅底形，在１０３～１０４Ｈｚ范围最低；介电常数随烧结温度增高而增大，是由于晶粒长大、晶界减薄引起的。介电常数和损耗角正切的典型值为１２４和０．０２。５５０°Ｃ以上烧结样品有较好的电滞回线；矫顽电场、自发极化、剩余极化均随烧结温度增加而增大；５５０°Ｃ烧结样品的典型参数值为Ｅｃ＝１２７ｋＶ／ｃｍ、Ｐｓ＝１１．１μＣ／ｃｍ２和Ｐｒ＝８．３３μＣ／ｃｍ２。薄膜样品的直流电阻率约为１０１０～１０１２Ω·ｃｍ，击穿电压约１５～２５Ｖ。     

染料增感聚苯胺半导体薄膜的光电性能

采用电化学方法,利用有机染料对聚苯胺进行有机染料增感,制备出不同增感性能的聚苯胺薄膜。采用红外吸收光谱对增感后的聚苯胺的结构和性能进行了表征,对其在紫外－ 可见光区的吸收特性进行了研究。结果表明,染料增感后的聚合物薄膜电导率分别为：直接耐晒蓝增感为０ ．１４２ Ｓ／ｃｍ ;直接耐晒翠蓝增感为１ ．０５０ Ｓ／ｃｍ ;直接耐晒黑增感为０ ．７９６ Ｓ／ｃｍ ; 四羧基酞菁增感为１ ．２２０ Ｓ／ｃｍ 。这些增感均可使聚苯胺在可见光谱范围内的光吸收增强,较大幅度地改善聚苯胺的光谱响应范围,并使得有机染料增感后的聚苯胺薄膜保持很高的电导率     

激光制备多层薄膜及铁电性能的研究

利用脉冲准分子激光淀积（ＰＬＤ）方法，在Ｓｉ基片上制备了ＢＩＴ／Ｓｉ〔１００〕、ＰＺＴ／ＢＩＴ／Ｓｉ〔１００〕和ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／Ｓｉ〔１００〕铁电薄膜。用ＸＲＤ分析了多层铁电薄膜的晶相结构；用Ｓａｗｙｅｒ－Ｔｏｗｅｒ电路研究了这些单层和多层铁电薄膜的铁电性能。结果表明，单层ＢＩＴ的矫顽场Ｅｃ为４ｋＶ／ｃｍ，剩余极化强度为３．４μＣ／ｃｍ２；ＰＺＴ／ＢＩＴ的矫顽场Ｅｃ为８２ｋＶ／ｃｍ，剩余极化强度Ｐｒ为３６μＣ／ｃｍ２；ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ夹层铁电薄膜的矫顽场Ｅｃ为５７ｋＶ／ｃｍ，剩余极化强度Ｐｒ为２９μＣ／ｃｍ２。最后讨论了薄膜的铁电性能与多层结构的关系     

有机薄膜衬底ITO透明导电膜的结构和光电特性

我们用反应蒸发法在氧分压２×１０－２Ｐａ、衬底温度８０～２４０℃条件下蒸发铟－锡合金，在有机薄膜衬底上制备出ＩＴＯ膜，并研究了其结构和光电特性随制备衬底温度的变化．制备膜的最佳取向为（１１１）方向，迁移率为２０．７～３６．７ｃｍ２·Ｖ－１·ｓ－１，载流子浓度为（１．７～４．４）×１０２０ｃｍ－３，适当调节制备参数，可得电阻率为６．６３×１０－４Ω·ｃｍ、在可见光区透过率达８２％的有机薄膜衬底ＩＴＯ膜     

用PECVD制备掺氟氧化硅低介电常数薄膜

用ＰＥＣＶＤ淀积了低介电常数的掺氟氧化硅介质薄膜,ＳｉＦ４的流量达到６０ｓｃｃｍ时,薄膜的相对介电常数可以降低到３．２。对试样的ＦＴＩＲ分析表明,薄膜中大部分的氟以Ｓｉ－Ｆ键形式存在。Ｃ－Ｖ特性测试表明,薄膜介电常数随氟含量的增加而减小,但薄膜的吸水性随氟含量的增加而变大。并进一步讨论了介电常数和薄膜稳定性与薄膜中氟原子含量之间的内在联系。     

CdS多晶薄膜的电学性质

用化学池沉积方法（ＣＢＤ）制备了ＣｄＳ多晶薄膜，并对薄膜进行了退火处理，测量了不同ＣｄＳ薄膜光电导、暗电导和电导－温度关系，计算了电导激光活能。结果表明：刚沉积的ＣｄＳ暗电导率为１０＾－６Ω＾－１．ｃｍ＾－１比光电导率低二个数量级，退火后，电导升高，电导激活能减小。Ｘ射线衍射分析表明，经退火后，ＣｄＳ薄膜发生相变，由立方结构变成六方结构。对上述结果进行了讨论。     

氮化硅薄膜的PECVD生长及其性能研究

采用ＰＥＣＶＤ法，反应温度为２５０℃，反应气体为ＮＨ３，ＳｉＨ４，在抛光硅片上沉积０．２～０．４μｍ厚的氮化硅薄膜。对这种Ｓｉ３Ｎ４薄膜的光学性能和电学性能进行了测试，其光学折射率为１．８７５，电阻率及击穿场强分别为８×１０１６Ω·ｃｍ及１×１０７Ｖ／ｃｍ，并用ＦＴＩＲ谱分析了薄膜的化学结构。     

P－型金刚石半导体制备及其性能研究

利用热丝化学气相沉积法，以硼酸三甲酯为液态掺杂源，用Ｈ＿２携带，制备出高质量的ｐ型金刚石薄膜。经检测，其晶体结构常数与天然金刚石十分接近。对掺杂样品计算表明，硼掺杂浓度是６．５×１０￣（１９）ｃｍ￣（－３）室温下空穴载流子浓度是８×１０￣（１６）ｃｍ￣（－３），电离率为１．２３／１０００。     

氢气对含金刚石碳薄膜场发射性能的影响

测试了采用磁控溅射工艺制备得到含金刚石碳薄膜的场发射性能，试验结果表明含金刚石薄膜具有良好的场发射性能，最小场强阈值为３７Ｖ／μｍ，其相应的有效功函数０．２９ｄｅＶ，最大的场发射电流密度达５．４ｍＡ／ｃｍ＾２。分析了溅射气体中加入量和基体温度对薄膜晶体结构和场发射性能的影响。     

一种填晶型的隔离介质浆料

在玻璃中加入氧化铝，制成填晶型隔离介质的相对介电常数８～１０，绝缘电阻率大于１０１２Ω·ｃｍ，耐电压强度大于ＡＣ５００Ｖ／２５μｍ，损耗角正切小于５×１０（－３），接近进口同类产品性能指标。     

电化学还原法制备PZT薄膜

以Ｐｂ（ＮＯ３）２、ＴｉＣｌ３为电解质，利用电化学还原方法在不锈钢基底上制备了钙钛矿型ＰＺＴ薄膜，并对薄膜样品性能进行了测试，其介电系数接近１３００，介质损耗０．６，剩余极化强度１２μＣ／ｃｍ＾２，矫顽场强６３ｋＶ／ｃｍ。     

BESOI薄膜的缺陷分析和应力研究

用机械减薄和氧化剥层法获得表层硅厚度约０．４μｍ的ＢＥＳＯＩ薄膜。对这种薄膜用Ｓｅｃｃｏ腐蚀液腐蚀并分析了缺陷种类，计量了缺陷密度。用波长为０．５１４５μｍ的激光Ｒａｍａｎ谱测量了ＢＥＳＯＩ薄膜和界面附近的应力密度。结果表明，该薄膜的主要缺陷为氧化层错，密度约１．８×１０３／ｃｍ２，总的缺陷密度为２．６×１０３／ｃｍ２，张应力密度δ≤５×１０３Ｎ／ｃｍ２。     

真空紫外光直接光CVD法低温生长SiO_2薄膜及其性质

使用真空紫外（ＶＵＶ）光直接光ＣＶＤ工艺，在低温（５０－１５０℃）下成功地淀积出了优质的ＳｉＯ２薄膜．测试结果表明：淀积膜的红外吸收峰与高温热生长膜的相符合；氧和硅原子的组分非常接近化学计量比；光折射率在１．４２－１．５５之间；介电常数大于３．６；击穿电场强度在１e７Ｖ／ｃｍ的量级；用氯氟酸腐蚀液（参考配方：ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：１２）测得膜的平均腐蚀速率约为１．２７ｕｍ／ｓ．试用表明，当使用本实验工艺于硅器件的表面钝化、涂覆及层间隔离，替代ＰＥＣＶＤ和热ＣＶＤ工艺时，器件的击穿特性和反向漏电流均明显地改     

0.15μm薄膜全耗尽MOS/SOI器件的设计和研制

利用自己开发的二维数值深亚微米ＳＯＩ器件模拟软件,较为详细地分析了沟道长度小于０．２μｍ的ＳＯＩ器件的阈值电压特性、穿通和击穿特性、亚阈值特性以及直流稳态特性等．通过这些模拟和分析计算,给出了沟道长度为０．１８、０．１５和０．１μｍ的薄膜全耗尽ＳＯＩ／ＭＯＳ器件的设计方案,并根据该设计方案成功地研制出了性能良好的沟道长度为０．１５μｍ的凹陷沟道ＳＯＩ器件．沟道长度为０．１５μｍ薄膜全耗尽凹陷沟道ＳＯＩ器件的亚阈值斜率为８７ｍＶ／ｄｅｃ,击穿电压为１．６Ｖ,阈值电压为０．４２Ｖ,电源电压为１．５Ｖ时的驱动电     

铁电钛酸铋超微粉及陶瓷的研究

采用类溶胶－凝胶方法制备了铁电Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２超微粉，分别用Ｘ射线衍射、透射电子显微镜、激光散射粒度仪和差热分析仪对其结构、形貌、粒度和相变特性进行了测试分析。结果表明，超微粉形成了正交晶系Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２结构，晶粒尺寸为１０～５０ｎｍ。由微粉制备了Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２陶瓷，其介电常数和损耗角正切分别为ε＝１０５．６和ｔｇδ＝０．０５２（１００Ｈｚ）及ε＝９７．２和ｔｇδ＝０．０００３６（４ＭＨｚ），铁电参数矫顽电场Ｅｃ为２．９１×１０６Ｖ／ｍ，剩余极化强度Ｐｒ为７×１０－３Ｃ／ｍ２。